Одиночные MOSFET транзисторы

₉₀₆

Корпус: DPAK/TO252

Фильтр

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Surface Mount (3357)
Chassis Mount (8)
Through Hole (1863)

Умный фильтр

Показать

Одиночные MOSFET транзисторы (906)

FDD86326 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 80В

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

80В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

23 мОм

Мощность макс.:

3.1Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

19нКл

Входная емкость:

1035пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDD86540 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 50A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

21.5A

Сопротивление открытого канала:

4.1 мОм

Мощность макс.:

3.1Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

90нКл

Входная емкость:

6340пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDD8778 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 25В 35А 14 мОм

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

25В

Ток стока макс.:

35A

Сопротивление открытого канала:

14 мОм

Мощность макс.:

39Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.5В

Заряд затвора:

18нКл

Входная емкость:

845пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDD8780 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 25В 35A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

25В

Ток стока макс.:

35A

Сопротивление открытого канала:

8.5 мОм

Мощность макс.:

50Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.5В

Заряд затвора:

29нКл

Входная емкость:

1440пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDD8782 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 25В 35A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

25В

Ток стока макс.:

35A

Сопротивление открытого канала:

11 мОм

Мощность макс.:

50Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.5В

Заряд затвора:

25нКл

Входная емкость:

1220пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDD8870 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 160A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

21A

Сопротивление открытого канала:

3.9 мОм

Мощность макс.:

160Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

2.5В

Заряд затвора:

118нКл

Входная емкость:

5160пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDD8880 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 58A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-252-3

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

13A

Сопротивление открытого канала:

9 мОм

Мощность макс.:

55Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.5В

Заряд затвора:

31нКл

Входная емкость:

1260пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDD8882 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 55A D-PAK

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

55А

Тип транзистора:

N-канальный

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDD9407_F085 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 100A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-252

Напряжение сток-исток макс.:

40В

Ток стока макс.:

100A

Сопротивление открытого канала:

2 мОм

Мощность макс.:

227Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

112нКл

Входная емкость:

6390пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDD9409_F085 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 90A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-252

Напряжение сток-исток макс.:

40В

Ток стока макс.:

90A

Сопротивление открытого канала:

3.2 мОм

Мощность макс.:

150Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

46нКл

Входная емкость:

3130пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FQD10N20CTM Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 7.8A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-252-3

Напряжение сток-исток макс.:

200В

Ток стока макс.:

7.8A

Сопротивление открытого канала:

360 мОм

Мощность макс.:

50Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

26нКл

Входная емкость:

510пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FQD10N20LTM Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 7.6A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

200В

Ток стока макс.:

7.6A

Сопротивление открытого канала:

360 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2В

Заряд затвора:

17нКл

Входная емкость:

830пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FQD11P06TM Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 9.4A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-252-3

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

9.4A

Сопротивление открытого канала:

185 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

P-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

17нКл

Входная емкость:

550пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FQD12N20LTM_F085 Полевой транзистор, N-канальный, 200 В, 9 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Сообщить о поступлении

FQD12N20TM Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 9A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

200В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

280 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

23нКл

Входная емкость:

910пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FQD13N06LTM Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 11A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-252-3

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

11A

Сопротивление открытого канала:

115 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.5В

Заряд затвора:

6.4нКл

Входная емкость:

350пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FQD13N06TM Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 10A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

10A

Сопротивление открытого канала:

140 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

7.5нКл

Входная емкость:

310пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FQD13N10LTM Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 10A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-252-3

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

10A

Сопротивление открытого канала:

180 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2В

Заряд затвора:

12нКл

Входная емкость:

520пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FQD13N10TM Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 10A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-252-3

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

10A

Сопротивление открытого канала:

180 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

16нКл

Входная емкость:

450пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FQD16N25CTM Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 16А 270 мОм

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DPAK

Напряжение сток-исток макс.:

250В

Ток стока макс.:

16A

Сопротивление открытого канала:

270 мОм

Мощность макс.:

160Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

53.5нКл

Входная емкость:

1080пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.69252 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"