Одиночные MOSFET транзисторы

85
Ток стока макс.: 11A
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (85)
Акция
IRFU9024NPBF IRFU9024NPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 55В 11А 38Вт, 0.175 Ом
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-251AA
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
11A
Сопротивление открытого канала:
175 мОм
Мощность макс.:
38Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
19нКл
Входная емкость:
350пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
71 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
385 шт
Цена от:
от 58,17
-6% Акция
IRFPC50PBF IRFPC50PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 11А 180Вт, 0.6 Ом
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-247AC
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
11A
Сопротивление открытого канала:
600 мОм
Мощность макс.:
180Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
140нКл
Входная емкость:
2700пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
60 шт

Внешние склады:
540 шт
Цена от:
от 205,25
-6% Акция
FDB8880 FDB8880 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 54А 11 мОм
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
11A
Сопротивление открытого канала:
11.6 мОм
Мощность макс.:
55Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Заряд затвора:
29нКл
Входная емкость:
1240пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
39 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 20,59
SPA11N80C3XKSA1 SPA11N80C3XKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 11A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
PG-TO220-3 (fully isolated)
Напряжение сток-исток макс.:
800В
Ток стока макс.:
11A
Сопротивление открытого канала:
450 мОм
Мощность макс.:
41Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
3.9В
Заряд затвора:
85нКл
Входная емкость:
1600пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
35 шт

Внешние склады:
600 шт
Цена от:
от 210,20
-6% Акция
IRFSL11N50APBF IRFSL11N50APBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 11A
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-262-3
Напряжение сток-исток макс.:
500В
Ток стока макс.:
11A
Сопротивление открытого канала:
550 мОм
Мощность макс.:
190Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
51нКл
Входная емкость:
1426пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
26 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 51,07
-6% Акция
IRFS11N50APBF IRFS11N50APBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 11A
Производитель:
Vishay
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
500В
Ток стока макс.:
11A
Сопротивление открытого канала:
520 мОм
Мощность макс.:
170Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
52нКл
Входная емкость:
1423пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
23 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 51,39
Акция
FQA11N90C_F109 FQA11N90C_F109 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 900В 11A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-3P
Напряжение сток-исток макс.:
900В
Ток стока макс.:
11A
Сопротивление открытого канала:
1.1 Ом
Мощность макс.:
300Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
80нКл
Входная емкость:
3290пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
8 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 611,29
IPD80R450P7ATMA1 IPD80R450P7ATMA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 11A серия COOLMOS P7 TO-252
Производитель:
Infineon Technologies
Напряжение сток-исток макс.:
800В
Ток стока макс.:
11A
Тип транзистора:
N-канал
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
2 140 шт
Цена от:
от 143,78
Акция
IRF9640SPBF IRF9640SPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 200В 11А 125Вт, 0.5 Ом
Производитель:
Vishay
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
11A
Сопротивление открытого канала:
500 мОм
Мощность макс.:
3Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
44нКл
Входная емкость:
1200пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
1 924 шт
Аналоги:
1 063 шт
Цена от:
от 138,05
IRF9640STRLPBF IRF9640STRLPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 200В 11А 125Вт
Производитель:
Vishay
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
11A
Сопротивление открытого канала:
500 мОм
Мощность макс.:
3Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
44нКл
Входная емкость:
1200пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
1 063 шт
Аналоги:
1 924 шт
Цена от:
от 93,21
-6% Акция
AO4422 AO4422 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 11А 2Вт
Производитель:
Alpha & Omega Semiconductor
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
11A
Мощность макс.:
2Вт
Тип транзистора:
N-канал
BSC123N08NS3GATMA1 BSC123N08NS3GATMA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 80В 11A автомобильного применения 8-Pin TDSON EP лента на катушке
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TDSON-8 FL
Напряжение сток-исток макс.:
80В
Ток стока макс.:
11A
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Automotive
Тип монтажа:
Surface Mount
BSZ088N03MSGATMA1 BSZ088N03MSGATMA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 11A 8-Pin TSDSON EP
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
PG-TSDSON-8 (3.3x3.3)
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
11A
Сопротивление открытого канала:
8 мОм
Мощность макс.:
35Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
27нКл
Входная емкость:
2100пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
BSZ100N06LS3GATMA1 BSZ100N06LS3GATMA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 11A TSDSON8
Производитель:
Infineon Technologies
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
11A
Тип транзистора:
N-канал
Тип монтажа:
Surface Mount
BUK92150-55A,118 BUK92150-55A,118 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 11A автомобильного применения 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
DPAK
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
11A
Сопротивление открытого канала:
125 мОм
Мощность макс.:
36Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Automotive, Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
6нКл
Входная емкость:
338пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
DMN1019UFDE-7 DMN1019UFDE-7 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 12В 11A
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
6-UDFN2020 (2x2)
Напряжение сток-исток макс.:
12В
Ток стока макс.:
11A
Сопротивление открытого канала:
10 мОм
Мощность макс.:
690мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
800mВ
Заряд затвора:
50.6нКл
Входная емкость:
2425пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Акция
FCP11N60 FCP11N60 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 11А 0.38 Ом, 125Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
11A
Сопротивление открытого канала:
380 мОм
Мощность макс.:
125Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
52нКл
Входная емкость:
1490пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Акция
FCP11N60F FCP11N60F Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 11А 0.32 Ом, 125Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
11A
Сопротивление открытого канала:
380 мОм
Мощность макс.:
125Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
52нКл
Входная емкость:
1490пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FCPF11N60 FCPF11N60 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 11A TO220F
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220F
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
11A
Сопротивление открытого канала:
380 мОм
Мощность макс.:
36Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
52нКл
Входная емкость:
1490пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FCPF400N80Z FCPF400N80Z Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 11A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220F
Напряжение сток-исток макс.:
800В
Ток стока макс.:
11A
Сопротивление открытого канала:
400 мОм
Мощность макс.:
35.7Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
56нКл
Входная емкость:
2350пФ
Тип монтажа:
Through Hole
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.60435 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"