Одиночные MOSFET транзисторы

₆₇

Заряд затвора: 14нКл

Фильтр

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Through Hole (1863)
Surface Mount (3356)
Chassis Mount (8)

Умный фильтр

Показать

Одиночные MOSFET транзисторы (67)

Акция

AOD498 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 11А 23Вт

Производитель:

Alpha & Omega Semiconductor

Корпус:

TO-252

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

2.5A

Сопротивление открытого канала:

140 мОм

Мощность макс.:

2.1Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.3В

Заряд затвора:

14нКл

Входная емкость:

415пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

4 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 19,48₽

IRFH3702TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 16A 8-Pin PQFN EP лента на катушке

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

8-PQFN (3x3)

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

16A

Сопротивление открытого канала:

7.1 мОм

Мощность макс.:

2.8Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.35В

Заряд затвора:

14нКл

Входная емкость:

1510пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

100 шт

Цена от:

от 72,72₽

IRFR9020PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 50В 9.9A

Производитель:

Vishay

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

50В

Ток стока макс.:

9.9A

Сопротивление открытого канала:

280 мОм

Мощность макс.:

42Вт

Тип транзистора:

P-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

14нКл

Входная емкость:

490пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

1 236 шт

Цена от:

от 105,88₽

Акция

IRLL014NPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 2.0А 2.1Вт, 0.14 Ом

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

SOT-223

Напряжение сток-исток макс.:

55В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

140 мОм

Мощность макс.:

1Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2В

Заряд затвора:

14нКл

Входная емкость:

230пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

600 шт

Аналоги:

16 438 шт

Цена от:

от 52,42₽

FDC638P Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 4.5A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SSOT6

Напряжение сток-исток макс.:

20В

Ток стока макс.:

4.5A

Сопротивление открытого канала:

48 мОм

Мощность макс.:

800мВт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

1.5В

Заряд затвора:

14нКл

Входная емкость:

1160пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDMA291P Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 6.6A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

MicroFET6

Напряжение сток-исток макс.:

20В

Ток стока макс.:

6.6A

Сопротивление открытого канала:

42 мОм

Мощность макс.:

900мВт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate, 1.8V Drive

Пороговое напряжение включения макс.:

1В

Заряд затвора:

14нКл

Входная емкость:

1000пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDMA410NZ Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 9.5A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

MicroFET6

Напряжение сток-исток макс.:

20В

Ток стока макс.:

9.5A

Сопротивление открытого канала:

23 мОм

Мощность макс.:

900мВт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate, 1.5V Drive

Пороговое напряжение включения макс.:

1В

Заряд затвора:

14нКл

Входная емкость:

1080пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDMC8884 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 9A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

MLP (3.3x3.3)

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

19 мОм

Мощность макс.:

2.3Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.5В

Заряд затвора:

14нКл

Входная емкость:

685пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FQB1P50TM Транзистор полевой MOSFET P-канальный 500В 1.5A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-263-2

Напряжение сток-исток макс.:

500В

Ток стока макс.:

1.5A

Сопротивление открытого канала:

10.5 Ом

Мощность макс.:

3.13Вт

Тип транзистора:

P-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

14нКл

Входная емкость:

350пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FQD4P25TM_WS Транзистор полевой MOSFET P-канальный 250В 3.1A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

250В

Ток стока макс.:

3.1A

Сопротивление открытого канала:

2.1 Ом

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

P-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

14нКл

Входная емкость:

420пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FQP3N60C Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 3A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220

Напряжение сток-исток макс.:

600В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

3.4 Ом

Мощность макс.:

75Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

14нКл

Входная емкость:

565пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

IRF620SPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 5.2A

Производитель:

Vishay

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

200В

Ток стока макс.:

5.2A

Сопротивление открытого канала:

800 мОм

Мощность макс.:

3Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

14нКл

Входная емкость:

260пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRF624SPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 4.4A

Производитель:

Vishay

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

250В

Ток стока макс.:

4.4A

Сопротивление открытого канала:

1.1 Ом

Мощность макс.:

3.1Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

14нКл

Входная емкость:

260пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

IRF7413ZPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 13A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

SO-8

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

13A

Сопротивление открытого канала:

10 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.25В

Заряд затвора:

14нКл

Входная емкость:

1210пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

1 920 шт

Цена от:

от 34,46₽

IRF7807VD1PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 8.3A 8-SOIC

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

SO-8

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

8.3A

Сопротивление открытого канала:

25 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Diode (Isolated)

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

14нКл

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRF7807VTRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 8.3A 8-Pin SOIC лента на катушке

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

SO-8

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

8.3A

Сопротивление открытого канала:

25 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

14нКл

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

IRF7821PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 18А 3.1Вт, 0.005 Ом

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

SO-8

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

13.6A

Сопротивление открытого канала:

9.1 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

1В

Заряд затвора:

14нКл

Входная емкость:

1010пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

853 шт

Цена от:

от 58,41₽

IRF7828TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 13.6A 8-SO

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

SO-8

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

13.6A

Сопротивление открытого канала:

12.5 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

1В

Заряд затвора:

14нКл

Входная емкость:

1010пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRFD224PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 630мА

Производитель:

Vishay

Корпус:

4-DIP, Hexdip, HVMDIP

Напряжение сток-исток макс.:

250В

Ток стока макс.:

630мА

Сопротивление открытого канала:

1.1 Ом

Мощность макс.:

1Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

14нКл

Входная емкость:

260пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

IRFI620GPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 4.1A

Производитель:

Vishay

Корпус:

TO-220F

Напряжение сток-исток макс.:

200В

Ток стока макс.:

4.1A

Сопротивление открытого канала:

800 мОм

Мощность макс.:

30Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

14нКл

Входная емкость:

260пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.62466 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"