Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.
В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.
Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.
- Главная
- Каталог
- Транзисторы
- Полевые транзисторы
- Одиночные MOSFET транзисторы
Одиночные MOSFET транзисторы
-
Сортировать по:
Одиночные MOSFET транзисторы (6795)
IRFD9120PBF
Транзистор полевой P-канальный 100В 1А 1.3Вт, 0.6 Ом
Производитель: Vishay
Корпус: DIP-4
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 1A
Сопротивление открытого канала: 600 мОм
Мощность макс.: 1.3Вт
Тип транзистора: P-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 18нКл
Входная емкость: 390пФ
Тип монтажа: Through Hole
IRFD9210PBF
Транзистор полевой P-канальный 200В 0.4А 1.3Вт, 3.0 Ом
Производитель: Vishay
Корпус: DIP-4
Напряжение исток-сток макс.: 200В
Ток стока макс.: 400мА
Сопротивление открытого канала: 3 Ом
Мощность макс.: 1Вт
Тип транзистора: P-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 8.9нКл
Входная емкость: 170пФ
Тип монтажа: Through Hole
IRFD9220PBF
Транзистор полевой P-канальный 200В 0.56А 1.3Вт, 1.5 Ом
Производитель: Vishay
Корпус: DIP-4
Напряжение исток-сток макс.: 200В
Ток стока макс.: 560мА
Сопротивление открытого канала: 1.5 Ом
Мощность макс.: 1Вт
Тип транзистора: P-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 15нКл
Входная емкость: 340пФ
Тип монтажа: Through Hole
IRFDC20PBF
Транзистор полевой N-канальный 600В 320мА
Производитель: Vishay
Корпус: 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Напряжение исток-сток макс.: 600В
Ток стока макс.: 320мА
Сопротивление открытого канала: 4.4 Ом
Мощность макс.: 1Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 18нКл
Входная емкость: 350пФ
Тип монтажа: Through Hole
IRFH3702TRPBF
Полевой транзистор N-канальный 30В 16A 8-Pin PQFN EP лента на катушке
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: Power33
Напряжение исток-сток макс.: 30В
Ток стока макс.: 16A
Сопротивление открытого канала: 7.1 мОм
Мощность макс.: 2.8Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2.35В
Заряд затвора: 14нКл
Входная емкость: 1510пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRFH3707TRPBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 12A PQFN56
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: Power33
Напряжение исток-сток макс.: 30В
Ток стока макс.: 12A(Ta),29A(Tc)
Сопротивление открытого канала: 12.4 мОм @ 12А, 10В
Мощность макс.: 2.8Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2.35В @ 25 µA
Заряд затвора: 8.1нКл @ 4.5В
Входная емкость: 755пФ @ 15В
Тип монтажа: Surface Mount
IRFH4210DTRPBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 25В 44A 8PQFN
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: Power56
Напряжение исток-сток макс.: 25В
Ток стока макс.: 44A(Ta)
Сопротивление открытого канала: 1.10 мОм @ 50А, 10В
Мощность макс.: 3.5Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2.1В @ 100 µA
Заряд затвора: 77нКл @ 10В
Входная емкость: 4812пФ @ 13В
Тип монтажа: Surface Mount
IRFH4253DTRPBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 25В 64A/145A 8-Pin PQFN EP лента на катушке
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: Power56
Напряжение исток-сток макс.: 25В
Ток стока макс.: 64A,145A
Сопротивление открытого канала: 3.2 мОм @ 30А, 10В
Мощность макс.: 31Вт, 50Вт
IRFH5006TRPBF
Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 100 А
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: Power56
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 21A
Сопротивление открытого канала: 4.1 мОм
Мощность макс.: 3.6Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 100нКл
Входная емкость: 4175пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRFH5010TRPBF
Транзистор полевой N-канальный 100В 13A
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: Power56
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 13A
Сопротивление открытого канала: 9 мОм
Мощность макс.: 3.6Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 98нКл
Входная емкость: 4340пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRFH5015TRPBF
Транзистор полевой N-канальный 150В 31мОм 54нКл PQFN 5x6мм
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: PQFN 5x6 mm
Напряжение исток-сток макс.: 150В
Ток стока макс.: 10A
Сопротивление открытого канала: 31 мОм
Мощность макс.: 3.6Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Заряд затвора: 50нКл
Входная емкость: 2300пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRFH5053TRPBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 9.3A PQFN56
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: Power56
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 9.3A(Ta),46A(Tc)
Сопротивление открытого канала: 18 мОм @ 9.3А, 10В
Мощность макс.: 3.1Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Standard
Пороговое напряжение включения макс.: 4.9В @ 100 µA
Заряд затвора: 36нКл @ 10В
Входная емкость: 1510пФ @ 50В
Тип монтажа: Surface Mount
IRFH5110TRPBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 11A 8-PQFN
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: Power56
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 11A(Ta),63A(Tc)
Сопротивление открытого канала: 12.4 мОм @ 37А, 10В
Мощность макс.: 3.6Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 100 µA
Заряд затвора: 72нКл @ 10В
Входная емкость: 3152пФ @ 25В
Тип монтажа: Surface Mount
IRFH5215TRPBF
Полевой транзистор, N-канальный, 150 В, 5 А
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: Power56
Напряжение исток-сток макс.: 150В
Ток стока макс.: 5A
Сопротивление открытого канала: 58 мОм
Мощность макс.: 3.6Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Заряд затвора: 32нКл
Входная емкость: 1350пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRFH5302TRPBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 32A 5X6 PQFN
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: Power56
Напряжение исток-сток макс.: 30В
Ток стока макс.: 32A(Ta),100A(Tc)
Сопротивление открытого канала: 2.1 мОм @ 50А, 10В
Мощность макс.: 3.6Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2.35В @ 100 µA
Заряд затвора: 76нКл @ 10В
Входная емкость: 4400пФ @ 15В
Тип монтажа: Surface Mount
IRFH5304
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 22A 8VQFN
Производитель: Infineon Technologies
IRFH5304TRPBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 22A 8VQFN
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: PQFN (5x6) Single Die
Напряжение исток-сток макс.: 30В
Ток стока макс.: 22A(Ta),79A(Tc)
Сопротивление открытого канала: 4.5 мОм @ 47А, 10В
Мощность макс.: 3.6Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2.35В @ 50 µA
Заряд затвора: 41нКл @ 10В
Входная емкость: 2360пФ @ 10В
Тип монтажа: Surface Mount
IRFH7084TRPBF
Полевой транзистор, N-канальный, 40 В, 100 А
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: Power56
IRFH7085TRPBF
Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 23 А
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: Power56
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 100A
Сопротивление открытого канала: 3.2 мОм
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 3.7В
Заряд затвора: 165нКл
Входная емкость: 6460пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRFH7446TRPBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 85A PQFN 5X6
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: Power56
Напряжение исток-сток макс.: 40В
Ток стока макс.: 85A(Tc)
Сопротивление открытого канала: 3.3 мОм @ 50А, 10В
Мощность макс.: 78Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Standard
Пороговое напряжение включения макс.: 3.9В @ 100 µA
Заряд затвора: 98нКл @ 10В
Входная емкость: 3174пФ @ 25В
Тип монтажа: Surface Mount
Цена на Одиночные MOSFET транзисторы
Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.72 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.
Доставка по России и Беларуси
Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.
Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.
Доставка в Беларусь — компанией DPD (до терминала или курьером до адреса).
При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"
Данный товар имеет ограничение по заказу в связи с наличием классификационного номера экспортного контроля (ECCN) у выбранного склада.
Для оформления закза таких товаров с данного склада требуется один раз заполнить анкету (Civilian)
Заполнить?
Данный товар имеет ограничения по продаже в связи с Control Classification Number (ECCN). Оформления заказа таких товаров c данного склада для физических лиц недоступно.
Сфера применения
Сообщите мне о поступлении товара