Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.
В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.
Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.
- Главная
- Каталог
- Транзисторы
- Полевые транзисторы
- Одиночные MOSFET транзисторы
Одиночные MOSFET транзисторы
-
Сортировать по:
IRFH7932TRPBF
Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 24 А
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: Power56
Напряжение исток-сток макс.: 30В
Ток стока макс.: 24A
Сопротивление открытого канала: 3.3 мОм
Мощность макс.: 3.1Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2.35В
Заряд затвора: 51нКл
Входная емкость: 4270пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRFH8307TRPBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 100A PQFN
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: Power56
Напряжение исток-сток макс.: 30В
Ток стока макс.: 42A(Ta),100A(Tc)
Сопротивление открытого канала: 1.3 мОм @ 50А, 10В
Мощность макс.: 3.6Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2.35В @ 150 µA
Заряд затвора: 120нКл @ 10В
Входная емкость: 7200пФ @ 15В
Тип монтажа: Surface Mount
IRFH8318TRPBF
Транзистор полевой N-канальный 30В 50A
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: Power56
Напряжение исток-сток макс.: 30В
Ток стока макс.: 27A
Сопротивление открытого канала: 3.1 мОм
Мощность макс.: 3.6Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2.35В
Заряд затвора: 41нКл
Входная емкость: 3180пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRFH8330TRPBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 56A 5X6 PQFN
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: Power56
Напряжение исток-сток макс.: 30В
Ток стока макс.: 17A(Ta),56A(Tc)
Сопротивление открытого канала: 6.6 мОм @ 20А, 10В
Мощность макс.: 3.3Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2.35В @ 25 µA
Заряд затвора: 20нКл @ 10В
Входная емкость: 1450пФ @ 25В
Тип монтажа: Surface Mount
IRFH8330TRPBF
Полевой транзистор N-канальный 30В 17A 8-Pin QFN EP лента на катушке
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: Power56
IRFHM830TRPBF
Транзистор полевой N-канальный 30В 21A
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: Power33
IRFHM9391TRPBF
Полевой транзистор P-канальный 30В 11A 8-Pin PQFN EP лента на катушке
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: Power33
IRFHS8342TRPBF
Транзистор полевой N-канальный 30В 8.8A
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: PQFN6-(2x2)
Напряжение исток-сток макс.: 30В
Ток стока макс.: 8.8A
Сопротивление открытого канала: 16 мОм
Мощность макс.: 2.1Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2.35В
Заряд затвора: 8.7нКл
Входная емкость: 600пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRFI1010NPBF
Транзистор полевой N-канальный 55В 49А 58Вт, 0.012 Ом
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: TO-220F
Напряжение исток-сток макс.: 55В
Ток стока макс.: 49A
Сопротивление открытого канала: 12 мОм
Мощность макс.: 58Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 130нКл
Входная емкость: 2900пФ
Тип монтажа: Through Hole
IRFI3306GPBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 71A TO220
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: TO-220
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 71A(Tc)
Сопротивление открытого канала: 4.2 мОм @ 43А, 10В
Мощность макс.: 46Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 150 µA
Заряд затвора: 135нКл @ 10В
Входная емкость: 4685пФ @ 50В
Тип монтажа: Through Hole
IRFI4110GPBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 72A TO220AB
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: TO-220F
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 72A(Tc)
Сопротивление открытого канала: 4.5 мОм @ 43А, 10В
Мощность макс.: 61Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 250 µA
Заряд затвора: 290нКл @ 10В
Входная емкость: 9540пФ @ 50В
Тип монтажа: Through Hole
IRFI4410ZPBF
Транзистор полевой N-канальный 100В 43A
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: TO-220F
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 43A(Tc)
Сопротивление открытого канала: 9.3 мОм @ 26А, 10В
Мощность макс.: 47Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 150 µA
Заряд затвора: 110нКл @ 10В
Входная емкость: 4910пФ @ 50В
Тип монтажа: Through Hole
IRFI4510GPBF
Транзистор полевой N-канальный 100В 35A
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: TO-220F
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 35A
Сопротивление открытого канала: 13.5 мОм
Мощность макс.: 42Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 81нКл
Входная емкость: 2998пФ
Тип монтажа: Through Hole
IRFI510GPBF
Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 4.5 А
Производитель: Vishay
Корпус: TO-220
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 4.5A
Сопротивление открытого канала: 540 мОм
Мощность макс.: 27Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 8.3нКл
Входная емкость: 180пФ
Тип монтажа: Through Hole
IRFI520GPBF
Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 7.2 А
Производитель: Vishay
Корпус: TO-220
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 7.2A
Сопротивление открытого канала: 270 мОм
Мощность макс.: 37Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 16нКл
Входная емкость: 360пФ
Тип монтажа: Through Hole
IRFI530GPBF
Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 9.7 А
Производитель: Vishay
Корпус: TO-220
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 9.7A
Сопротивление открытого канала: 160 мОм
Мощность макс.: 42Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 33нКл
Входная емкость: 670пФ
Тип монтажа: Through Hole
IRFI540GPBF
Транзистор полевой N-канальный 100В 17A
Производитель: Vishay
Корпус: TO-220
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 17A
Сопротивление открытого канала: 77 мОм
Мощность макс.: 48Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 72нКл
Входная емкость: 1700пФ
Тип монтажа: Through Hole
IRFI620GPBF
Транзистор полевой N-канальный 200В 4.1A
Производитель: Vishay
Корпус: TO-220
Напряжение исток-сток макс.: 200В
Ток стока макс.: 4.1A
Сопротивление открытого канала: 800 мОм
Мощность макс.: 30Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 14нКл
Входная емкость: 260пФ
Тип монтажа: Through Hole
IRFI630GPBF
Полевой транзистор, N-канальный, 200 В, 5.9 А
Производитель: Vishay
Корпус: TO-220
Напряжение исток-сток макс.: 200В
Ток стока макс.: 5.9A
Сопротивление открытого канала: 400 мОм
Мощность макс.: 35Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 43нКл
Входная емкость: 800пФ
Тип монтажа: Through Hole
Цена на Одиночные MOSFET транзисторы
Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.72 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.
Доставка по России и Беларуси
Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.
Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.
Доставка в Беларусь — компанией DPD (до терминала или курьером до адреса).
При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"
Данный товар имеет ограничение по заказу в связи с наличием классификационного номера экспортного контроля (ECCN) у выбранного склада.
Для оформления закза таких товаров с данного склада требуется один раз заполнить анкету (Civilian)
Заполнить?
Данный товар имеет ограничения по продаже в связи с Control Classification Number (ECCN). Оформления заказа таких товаров c данного склада для физических лиц недоступно.