Одиночные MOSFET транзисторы

359
Пороговое напряжение включения макс.:
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (359)
STN4NF20L STN4NF20L Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 1A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
SOT-223
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
1A
Сопротивление открытого канала:
1.5 Ом
Мощность макс.:
3.3Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
0.9нКл
Входная емкость:
150пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
594 шт

Внешние склады:
550 шт
Цена от:
от 21,76
FDD8647L FDD8647L Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 14A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
14A
Сопротивление открытого канала:
9 мОм
Мощность макс.:
3.1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
28нКл
Входная емкость:
1640пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
568 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 72,72
FDS6679AZ FDS6679AZ Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 13А 2.5Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
13A
Сопротивление открытого канала:
9.3 мОм
Мощность макс.:
1Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
96нКл
Входная емкость:
3845пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
540 шт

Внешние склады:
4 373 шт
Цена от:
от 15,01
FDD6685 FDD6685 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 11A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
11A
Сопротивление открытого канала:
20 мОм
Мощность макс.:
1.6Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
24нКл
Входная емкость:
1715пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
386 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 60,98
Акция
HUF76423P3 HUF76423P3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 35A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
35A
Сопротивление открытого канала:
30 мОм
Мощность макс.:
85Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
34нКл
Входная емкость:
1060пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
376 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 34,25
Акция
FDS6690AS FDS6690AS Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 10А 2.5Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
10A
Сопротивление открытого канала:
12 мОм
Мощность макс.:
1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
23нКл
Входная емкость:
910пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
340 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 26,09
SI7489DP-T1-GE3 SI7489DP-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 28A
Производитель:
Vishay
Корпус:
PowerPAKВ® SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
28A
Сопротивление открытого канала:
41 мОм
Мощность макс.:
83Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
160нКл
Входная емкость:
4600пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
336 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 100,05
IRLR3705ZTRPBF IRLR3705ZTRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 42A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
42A
Сопротивление открытого канала:
8 мОм
Мощность макс.:
130Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
66нКл
Входная емкость:
2900пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
320 шт

Внешние склады:
300 шт
Цена от:
от 78,45
FDT86102LZ FDT86102LZ Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 6.6A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-223
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
6.6A
Сопротивление открытого канала:
28 мОм
Мощность макс.:
1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
25нКл
Входная емкость:
1490пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
305 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 83,51
Акция
FDS6294 FDS6294 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 13А 1.2Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
13A
Сопротивление открытого канала:
11.3 мОм
Мощность макс.:
1.2Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
14нКл
Входная емкость:
1205пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
282 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 19,66
AUIRLR3705Z AUIRLR3705Z Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 42A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
42A
Сопротивление открытого канала:
8 мОм
Мощность макс.:
130Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
66нКл
Входная емкость:
2900пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
262 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 175,66
FDS4410 FDS4410 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 10А 2.5Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
10A
Сопротивление открытого канала:
13.5 мОм
Мощность макс.:
1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
31нКл
Входная емкость:
1340пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
231 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 31,51
Акция
SI4425BDY-T1-E3 SI4425BDY-T1-E3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 8.8A
Производитель:
Vishay
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
8.8A
Сопротивление открытого канала:
12 мОм
Мощность макс.:
1.5Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
100нКл
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
217 шт

Внешние склады:
100 шт
Цена от:
от 108,22
FDD86102LZ FDD86102LZ Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 8A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
8A
Сопротивление открытого канала:
22.5 мОм
Мощность макс.:
3.1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
26нКл
Входная емкость:
1540пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
200 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 43,31
IRLZ44ZPBF IRLZ44ZPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 51A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
51A
Сопротивление открытого канала:
13.5 мОм
Мощность макс.:
80Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
36нКл
Входная емкость:
1620пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
192 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 93,52
Акция
FDMS6681Z FDMS6681Z Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 21.1A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
PQFN 5x6 mm
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
21.1A
Сопротивление открытого канала:
3.2 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
241нКл
Входная емкость:
10380пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
155 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 81,32
Акция
IRL1404PBF IRL1404PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 160А 200Вт, 0.004 Ом
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
160A
Сопротивление открытого канала:
4 мОм
Мощность макс.:
200Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
140нКл
Входная емкость:
6590пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
132 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 161,18
Акция
FDS6298 FDS6298 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 13А 1.2Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
13A
Сопротивление открытого канала:
9 мОм
Мощность макс.:
1.2Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
14нКл
Входная емкость:
1108пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
103 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 8,60
IRF7205TRPBF IRF7205TRPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 4.6А 2.5Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
4.6A
Сопротивление открытого канала:
70 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
40нКл
Входная емкость:
870пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
41 шт

Внешние склады:
700 шт
Цена от:
от 30,67
SI2303CDS-T1-GE3 SI2303CDS-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 2.7A
Производитель:
Vishay
Корпус:
SOT-23-3 (TO-236)
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
2.7A
Сопротивление открытого канала:
190 мОм
Мощность макс.:
2.3Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
8нКл
Входная емкость:
155пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
26 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 17,34
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.62466 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"