Одиночные MOSFET транзисторы

₆₄

Мощность макс.: 1.3Вт

Фильтр

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Surface Mount (3357)
Chassis Mount (8)
Through Hole (1863)

Умный фильтр

Показать

Одиночные MOSFET транзисторы (64)

IRFD9020PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 1.6A

Производитель:

Vishay

Корпус:

4-DIP, Hexdip, HVMDIP

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

1.6A

Сопротивление открытого канала:

280 мОм

Мощность макс.:

1.3Вт

Тип транзистора:

P-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

19нКл

Входная емкость:

570пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

2 500 шт

Цена от:

от 90,31₽

IRFD9024PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 1.6А 1.3Вт, 0.28 Ом

Производитель:

Vishay

Корпус:

4-DIP, Hexdip, HVMDIP

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

1.6A

Сопротивление открытого канала:

280 мОм

Мощность макс.:

1.3Вт

Тип транзистора:

P-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

19нКл

Входная емкость:

570пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Наличие:

1 шт

Внешние склады:

10 шт

Цена от:

от 137,40₽

IRFD9110PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 700мА

Производитель:

Vishay

Корпус:

4-DIP, Hexdip, HVMDIP

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

700мА

Сопротивление открытого канала:

1.2 Ом

Мощность макс.:

1.3Вт

Тип транзистора:

P-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

8.7нКл

Входная емкость:

200пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

2 120 шт

Цена от:

от 50,80₽

IRLD110PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 1A

Производитель:

Vishay

Корпус:

4-DIP, Hexdip, HVMDIP

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

540 мОм

Мощность макс.:

1.3Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2В

Заряд затвора:

6.1нКл

Входная емкость:

250пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

20 шт

Цена от:

от 95,00₽

IRLML6401 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 12В 4.3А 1.3Вт

Производитель:

Huashuo Semiconductor

Корпус:

SOT23-3

Напряжение сток-исток макс.:

12В

Ток стока макс.:

4.3А

Мощность макс.:

1.3Вт

Тип транзистора:

P-канальный

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

22 357 шт

Цена от:

от 3,89₽

NTF3055-100T1G Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 3A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT-223

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

110 мОм

Мощность макс.:

1.3Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

22нКл

Входная емкость:

455пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

4 000 шт

Цена от:

от 24,55₽

NTHS4101PT1G Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 4.8А 1.3Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

ChipFET[тм]

Напряжение сток-исток макс.:

20В

Ток стока макс.:

4.8A

Сопротивление открытого канала:

34 мОм

Мощность макс.:

1.3Вт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

1.5В

Заряд затвора:

35нКл

Входная емкость:

2100пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

3 000 шт

Цена от:

от 58,89₽

SI9433BDY-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 4.5A

Производитель:

Vishay

Корпус:

SO-8

Напряжение сток-исток макс.:

20В

Ток стока макс.:

4.5A

Сопротивление открытого канала:

40 мОм

Мощность макс.:

1.3Вт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

1.5В

Заряд затвора:

14нКл

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

2 500 шт

Цена от:

от 111,14₽

SI9435BDY-T1-E3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 4.1A

Производитель:

Vishay

Корпус:

SO-8

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

4.1A

Сопротивление открытого канала:

42 мОм

Мощность макс.:

1.3Вт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

24нКл

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

5 800 шт

Цена от:

от 27,20₽

DMG4435SSS-13 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 7.3A

Производитель:

Diodes Incorporated

Корпус:

SOP8

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

7.3A

Сопротивление открытого канала:

16 мОм

Мощность макс.:

1.3Вт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.5В

Заряд затвора:

35.4нКл

Входная емкость:

1614пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDD2670 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 3.6A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-252

Напряжение сток-исток макс.:

200В

Ток стока макс.:

3.6A

Сопротивление открытого канала:

130 мОм

Мощность макс.:

1.3Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4.5В

Заряд затвора:

43нКл

Входная емкость:

1228пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDD5680 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 38A 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-252

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

8.5A

Сопротивление открытого канала:

21 мОм

Мощность макс.:

1.3Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

46нКл

Входная емкость:

1835пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDD5690 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 30A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-252

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

30A

Сопротивление открытого канала:

27 мОм

Мощность макс.:

1.3Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

32нКл

Входная емкость:

1110пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDD6612A Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 9.5A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-252-3

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

9.5A

Сопротивление открытого канала:

20 мОм

Мощность макс.:

1.3Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

9.4нКл

Входная емкость:

660пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDD6630A Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 21A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-252

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

21A

Сопротивление открытого канала:

35 мОм

Мощность макс.:

1.3Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

7нКл

Входная емкость:

462пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDD6670A Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 15A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-252-3

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

15A

Сопротивление открытого канала:

8 мОм

Мощность макс.:

1.3Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

22нКл

Входная емкость:

1755пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDD6680AS Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 55A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

55A

Сопротивление открытого канала:

10.5 мОм

Мощность макс.:

1.3Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

29нКл

Входная емкость:

1200пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRLD024PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 2.5А 1.3Вт, 0.1 Ом

Производитель:

Vishay

Корпус:

HVMDIP-4

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

2.5A

Сопротивление открытого канала:

100 мОм

Мощность макс.:

1.3Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2В

Заряд затвора:

18нКл

Входная емкость:

870пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

NTD4858NT4G Транзистор полевой MOSFET N-канальный 25В 11.2A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

25В

Ток стока макс.:

11.2A

Сопротивление открытого канала:

6.2 мОм

Мощность макс.:

1.3Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.5В

Заряд затвора:

19.2нКл

Входная емкость:

1563пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

NTHS5404T1G Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 5.2A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

ChipFET[тм]

Напряжение сток-исток макс.:

20В

Ток стока макс.:

5.2A

Сопротивление открытого канала:

30 мОм

Мощность макс.:

1.3Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

600mВ

Заряд затвора:

18нКл

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.43056 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"