Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (662)
SQ2361ES-T1_GE3 Полевой транзистор P-канальный 60В 2.8A автомобильного применения 3-Pin TO-236 лента на катушке Производитель: Vishay Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 2.8A Тип транзистора: P-канал Особенности: Automotive
SQJ963EP-T1_GE3 Полевой транзистор P-канальный 60В 8A автомобильного применения 8-Pin PowerPAK SO лента на катушке Производитель: Vishay Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 8A Тип транзистора: P-канал Особенности: Automotive
STB16NF06LT4 Транзистор полевой N-канальный 60В 16A Производитель: ST Microelectronics Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 16A Сопротивление открытого канала: 90 мОм Мощность макс.: 45Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 10нКл Входная емкость: 345пФ Тип монтажа: Surface Mount
STB45NF06T4 Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 38 А Производитель: ST Microelectronics Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 38A Сопротивление открытого канала: 28 мОм Мощность макс.: 80Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 58нКл Входная емкость: 980пФ Тип монтажа: Surface Mount
STB60NF06LT4 Транзистор полевой N-канальный 60В 60A Производитель: ST Microelectronics Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 60A Сопротивление открытого канала: 14 мОм Мощность макс.: 110Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 66нКл Входная емкость: 2000пФ Тип монтажа: Surface Mount
STD10P6F6 Транзистор полевой P-канальный 60В 10A Производитель: ST Microelectronics Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 10A Сопротивление открытого канала: 160 мОм Мощность макс.: 35Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 6.4нКл Входная емкость: 340пФ Тип монтажа: Surface Mount
STD12NF06L-1 MOSFET N-CH 60V 12A IPAK Производитель: ST Microelectronics Корпус: I-Pak Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 12A(Tc) Сопротивление открытого канала: 100 мОм @ 6А, 10В Мощность макс.: 30Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В @ 250 µA Заряд затвора: 10нКл @ 5В Входная емкость: 350пФ @ 25В Тип монтажа: Through Hole
STD12NF06LT4 Транзистор полевой N-канальный 60В 12A Производитель: ST Microelectronics Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 12A Сопротивление открытого канала: 100 мОм Мощность макс.: 30Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 10нКл Входная емкость: 350пФ Тип монтажа: Surface Mount
STD12NF06T4 Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 12 А Производитель: ST Microelectronics Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 12A Сопротивление открытого канала: 100 мОм Мощность макс.: 30Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 12нКл Входная емкость: 315пФ Тип монтажа: Surface Mount
STD16NF06LT4 Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 24 А Производитель: ST Microelectronics Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 24A Сопротивление открытого канала: 70 мОм Мощность макс.: 40Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 7.5нКл Входная емкость: 370пФ Тип монтажа: Surface Mount
STD30NF06T4 Транзистор полевой N-канальный 60В 28A Производитель: ST Microelectronics Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 28A Сопротивление открытого канала: 28 мОм Мощность макс.: 70Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 58нКл Входная емкость: 1750пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
31 шт
Цена от:
от 28,12
STD35NF06LT4 Транзистор полевой N-канальный 60В 35A Производитель: ST Microelectronics Корпус: DPAK Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 35A Сопротивление открытого канала: 17 мОм Мощность макс.: 80Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Automotive, Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 33нКл Входная емкость: 1700пФ Тип монтажа: Surface Mount
STD35NF06T4 Транзистор полевой N-канальный 60В 35A Производитель: ST Microelectronics Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 35A Сопротивление открытого канала: 20 мОм Мощность макс.: 80Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 60нКл Входная емкость: 1300пФ Тип монтажа: Surface Mount
STD35P6LLF6 Транзистор полевой P-канальный 60В 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке Производитель: ST Microelectronics Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 35A Тип транзистора: P-канал
STD80N6F6 Транзистор полевой N-канальный 60В Производитель: ST Microelectronics Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 80A Сопротивление открытого канала: 6.5 мОм Мощность макс.: 120Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Automotive Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 122нКл Входная емкость: 7480пФ Тип монтажа: Surface Mount
STF40NF06 Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 23 А Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 23A Сопротивление открытого канала: 28 мОм Мощность макс.: 30Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 32нКл Входная емкость: 920пФ Тип монтажа: Through Hole
STL100N6LF6 Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 100 А Производитель: ST Microelectronics Корпус: TDSON-8 FL Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 100A Сопротивление открытого канала: 4.5 мОм Мощность макс.: 80Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 130нКл Входная емкость: 8900пФ Тип монтажа: Surface Mount
STL140N6F7 Полевой транзистор N-канальный 60В 140A 8-Pin Power Flat EP лента на катушке Производитель: ST Microelectronics Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 140A Тип транзистора: N-канал
STL20N6F7 Полевой транзистор N-канальный 60В 100A 8-Pin Power Flat EP лента на катушке Производитель: ST Microelectronics Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 100A Тип транзистора: N-канал
STN3NF06 Полевой транзистор N-канальный 60В 4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 лента на катушке Производитель: ST Microelectronics Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 4A Сопротивление открытого канала: 100 мОм Мощность макс.: 3.3Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 13нКл Входная емкость: 315пФ Тип монтажа: Surface Mount
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.72 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России и Беларуси

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

Доставка в Беларусь — компанией DPD (до терминала или курьером до адреса).

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"