Одиночные MOSFET транзисторы

₇₀₉

Напряжение сток-исток макс.: 60В

Фильтр

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Through Hole (1863)
Surface Mount (3356)
Chassis Mount (8)

Умный фильтр

Показать

Одиночные MOSFET транзисторы (709)

PMBF170,235 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В

Производитель:

NEXPERIA

Корпус:

SOT-23 (TO-236AB)

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

300мА

Сопротивление открытого канала:

5 Ом

Мощность макс.:

830мВт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2В

Входная емкость:

40пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

5 483 шт

Цена от:

от 3,45₽

PMV450ENEAR Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 0.8A автомобильного применения 3-Pin TO-236AB лента на катушке

Производитель:

NEXPERIA

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

800мА

Сопротивление открытого канала:

380 мОм

Мощность макс.:

323мВт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Automotive

Пороговое напряжение включения макс.:

±20В

Заряд затвора:

3.6нКл

Входная емкость:

101пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

PSMN015-60PS,127 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 50A

Производитель:

NEXPERIA

Корпус:

TO-220AB

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

50A

Сопротивление открытого канала:

14.8 мОм

Мощность макс.:

86Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

20.9нКл

Входная емкость:

1220пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

PSMN030-60YS,115 Транзистор полевой MOSFET N-канальный

Производитель:

NEXPERIA

Корпус:

LFPAK

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

29A

Сопротивление открытого канала:

24.7 мОм

Мощность макс.:

56Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

13нКл

Входная емкость:

686пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

PSMN1R7-60BS,118 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK лента на катушке

Производитель:

NEXPERIA

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

120A

Сопротивление открытого канала:

2 мОм

Мощность макс.:

306Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

137нКл

Входная емкость:

9997пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

PSMN2R0-60ES,127 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 120A 3-Pin(3+Tab) I2PAK лента

Производитель:

NEXPERIA

Корпус:

I2PAK

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

120A

Сопротивление открытого канала:

2.2 мОм

Мощность макс.:

338Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

137нКл

Входная емкость:

9997пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

PSMN5R5-60YS,115 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK лента на катушке

Производитель:

NEXPERIA

Корпус:

LFPAK

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

100A

Сопротивление открытого канала:

5.2 мОм

Мощность макс.:

130Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

56нКл

Входная емкость:

3501пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

RFD12N06RLESM9A Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 18A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-252-3

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

18A

Сопротивление открытого канала:

63 мОм

Мощность макс.:

49Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

15нКл

Входная емкость:

485пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

RFD16N06LESM9A Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 16A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

16A

Сопротивление открытого канала:

47 мОм

Мощность макс.:

90Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

62нКл

Входная емкость:

1350пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

RFD3055LE Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 11A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-251

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

11A

Сопротивление открытого канала:

107 мОм

Мощность макс.:

38Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

11.3нКл

Входная емкость:

350пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

RFD3055LESM9A Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 11A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

11A

Сопротивление открытого канала:

107 мОм

Мощность макс.:

38Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

11.3нКл

Входная емкость:

350пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

RK7002AT116 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 300мА

Производитель:

ROHM

Корпус:

SST3

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

300мА

Сопротивление открытого канала:

1 Ом

Мощность макс.:

200мВт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.5В

Заряд затвора:

6нКл

Входная емкость:

33пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI1021R-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 190мА

Производитель:

Vishay

Корпус:

SC-75A

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

190мА

Сопротивление открытого канала:

4 Ом

Мощность макс.:

250мВт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

1.7нКл

Входная емкость:

23пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI1022R-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 330мА

Производитель:

Vishay

Корпус:

SC-75A

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

330мА

Сопротивление открытого канала:

1.25 Ом

Мощность макс.:

250мВт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.5В

Заряд затвора:

0.6нКл

Входная емкость:

30пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI2308BDS-T1-E3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 2.3A

Производитель:

Vishay

Корпус:

SOT-23-3 (TO-236)

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

2.3A

Сопротивление открытого канала:

156 мОм

Мощность макс.:

1.66Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

6.8нКл

Входная емкость:

190пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

5 228 шт

Цена от:

от 14,49₽

SI2309CDS-T1-E3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 1.2A 3-Pin SOT-23 лента на катушке

Производитель:

Vishay

Корпус:

SOT-23-3 (TO-236)

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

1.6A

Сопротивление открытого канала:

345 мОм

Мощность макс.:

1.7Вт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

4.1нКл

Входная емкость:

210пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

15 699 шт

Цена от:

от 2,15₽

SI2309DS-T1-E3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 1.25A

Производитель:

Vishay

Корпус:

SOT23-3

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

1.25А

Тип транзистора:

P-канальный

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

15 699 шт

Цена от:

от 2,15₽

SI3458BDV-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 3.2A 6-Pin TSOP лента на катушке

Производитель:

Vishay

Корпус:

6-TSOP

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

4.1A

Сопротивление открытого канала:

100 мОм

Мощность макс.:

3.3Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

11нКл

Входная емкость:

350пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI3459BDV-T1-E3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 2.9A

Производитель:

Vishay

Корпус:

6-TSOP

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

2.9A

Сопротивление открытого канала:

216 мОм

Мощность макс.:

3.3Вт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

12нКл

Входная емкость:

350пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI3459BDV-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 2.9A

Производитель:

Vishay

Корпус:

6-TSOP

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

2.9A

Сопротивление открытого канала:

216 мОм

Мощность макс.:

3.3Вт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

12нКл

Входная емкость:

350пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.59762 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"