Одиночные MOSFET транзисторы

721
Напряжение сток-исток макс.: 30В
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (721)
FDN360P FDN360P Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 2А 0.08 Ом, 0.5Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23 (SuperSOT-3)
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
2A
Сопротивление открытого канала:
80 мОм
Мощность макс.:
460мВт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
9нКл
Входная емкость:
298пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
1 323 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 38,97
FDS4435BZ FDS4435BZ Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 8.8А 2.5Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOIC-8
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
8.8A
Сопротивление открытого канала:
20 мОм
Мощность макс.:
1Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
40нКл
Входная емкость:
1845пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
1 292 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 18,09
Акция
SI2343CDS-T1-GE3 SI2343CDS-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 5.9A
Производитель:
Vishay
Корпус:
SOT23-3
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
5.9A
Сопротивление открытого канала:
45 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Заряд затвора:
21нКл
Входная емкость:
590пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
1 270 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 8,62
FDN358P FDN358P Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 1.5А 0.5Вт, 0.06 Ом
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23 (SuperSOT-3)
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
1.5A
Сопротивление открытого канала:
125 мОм
Мощность макс.:
460мВт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
5.6нКл
Входная емкость:
182пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
1 253 шт

Внешние склады:
350 шт
Цена от:
от 18,82
SSM3J332R,LF(T SSM3J332R,LF(T Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 6A
Производитель:
Toshiba Semiconductor
Корпус:
SOT-23F
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
Тип транзистора:
P-канальный
Наличие:
1 193 шт

Внешние склады:
1 156 шт
Цена от:
от 2,84
IRF7862TRPBF IRF7862TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 21A 8-Pin SOIC лента на катушке
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
21A
Сопротивление открытого канала:
3.7 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.35В
Заряд затвора:
45нКл
Входная емкость:
4090пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
1 113 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 43,14
Акция
IRF9328TRPBF IRF9328TRPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 12A 8-Pin SOIC N лента на катушке
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
12A
Сопротивление открытого канала:
11.9 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.4В
Заряд затвора:
52нКл
Входная емкость:
1680пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
1 107 шт

Внешние склады:
100 шт
Цена от:
от 86,25
Акция
IRF7809AVTRPBF IRF7809AVTRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 13.3A 8-Pin SOIC лента на катушке
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
13.3A
Сопротивление открытого канала:
9 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
62нКл
Входная емкость:
3780пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
1 082 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 69,56
IRF9335TRPBF IRF9335TRPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 5.4A 8-Pin SOIC N лента на катушке
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
5.4A(Ta)
Сопротивление открытого канала:
59 мОм @ 5.4А, 10В
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.4В @ 10 µA
Заряд затвора:
14нКл @ 10В
Входная емкость:
386пФ @ 25В
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
1 075 шт

Внешние склады:
200 шт
Цена от:
от 40,38
FDC658AP FDC658AP Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30V, 4A 1,6Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SSOT6
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
4A
Сопротивление открытого канала:
50 мОм
Мощность макс.:
800мВт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
8.1нКл
Входная емкость:
470пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
1 028 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 29,73
FDT458P FDT458P Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 3.4А 0.13 Ом, 3Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-223
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
3.4A
Сопротивление открытого канала:
130 мОм
Мощность макс.:
1.1Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
3.5нКл
Входная емкость:
205пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
993 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 37,89
SI7617DN-T1-GE3 SI7617DN-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 35A
Производитель:
Vishay
Корпус:
PowerPAKВ® 1212-8
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
35A
Сопротивление открытого канала:
12.3 мОм
Мощность макс.:
52Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Заряд затвора:
59нКл
Входная емкость:
1800пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
990 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 41,51
Акция
NDS355AN NDS355AN Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 1.7А 0.5Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
1.7A
Сопротивление открытого канала:
85 мОм
Мощность макс.:
460мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
5нКл
Входная емкость:
195пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
955 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 14,98
IRFTS9342TRPBF IRFTS9342TRPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 5.8A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
6-TSOP
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
5.8A
Сопротивление открытого канала:
40 мОм
Мощность макс.:
2Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.4В
Заряд затвора:
12нКл
Входная емкость:
595пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
947 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 14,10
IRLR8726TRPBF IRLR8726TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 86A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
86A
Сопротивление открытого канала:
5.8 мОм
Мощность макс.:
75Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.35В
Заряд затвора:
23нКл
Входная емкость:
2150пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
911 шт

Внешние склады:
1 000 шт
Аналоги:
4 823 шт
Цена от:
от 14,24
Акция
FDS8884 FDS8884 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 8.5А 2.5Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
8.5A
Сопротивление открытого канала:
23 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Заряд затвора:
13нКл
Входная емкость:
635пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
847 шт

Внешние склады:
525 шт
Цена от:
от 17,03
AP9435GK AP9435GK Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 6А 2.7Вт
Производитель:
Advanced Power Electronics Corp.
Корпус:
SOT-223
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
6A
Мощность макс.:
2.7 Вт
Тип транзистора:
P-канал
Наличие:
840 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 18,98
Акция
SISA12ADN-T1-GE3 SISA12ADN-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 25A
Производитель:
Vishay
Корпус:
PowerPAKВ® 1212-8
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
25A
Сопротивление открытого канала:
4.3 мОм
Мощность макс.:
28Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
2.2В
Заряд затвора:
45нКл
Входная емкость:
2070пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
798 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 20,29
P2003BVG P2003BVG Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 8А 2.5Вт
Производитель:
NIKO SEMICONDUCTOR CO., LTD.
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
8A
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Наличие:
795 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 14,77
IRLR3103TRPBF IRLR3103TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 55A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
55A
Сопротивление открытого канала:
19 мОм
Мощность макс.:
107Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
50нКл
Входная емкость:
1600пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
782 шт

Внешние склады:
80 шт
Цена от:
от 66,65
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.62466 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"