Одиночные MOSFET транзисторы

552
Напряжение сток-исток макс.: 600В
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (552)
-6% Акция
FCP36N60N FCP36N60N Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 36A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
36A
Сопротивление открытого канала:
90 мОм
Мощность макс.:
312Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
112нКл
Входная емкость:
4785пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
19 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 373,06
FCPF16N60NT FCPF16N60NT Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220F
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
16A
Сопротивление открытого канала:
199 мОм
Мощность макс.:
35.7Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
52.3нКл
Входная емкость:
2170пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
9 шт
Цена от:
от 742,32
FDPF12N60NZ FDPF12N60NZ Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220-3
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
12A
Сопротивление открытого канала:
650 мОм
Мощность макс.:
39Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
34нКл
Входная емкость:
1676пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
7 шт
Цена от:
от 397,32
FDPF4N60NZ FDPF4N60NZ Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 3.8A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220F
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
3.8A
Сопротивление открытого канала:
2.5 Ом
Мощность макс.:
28Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
10.8нКл
Входная емкость:
510пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
30 шт
Цена от:
от 249,47
FQP2N60C FQP2N60C Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 2A TO-220
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
Тип транзистора:
N-канальный
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
1 050 шт
Цена от:
от 87,45
FQPF8N60CFT FQPF8N60CFT Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 6.26A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220F
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
6.26A
Сопротивление открытого канала:
1.5 Ом
Мощность макс.:
48Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
36нКл
Входная емкость:
1255пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
10 шт
Цена от:
от 241,69
IPA60R385CPXKSA1 IPA60R385CPXKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP туба
Производитель:
Infineon Technologies
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
Тип транзистора:
N-канальный
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
4 шт
Цена от:
от 411,95
IPW60R080P7XKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 37A 3-Pin(3+Tab) TO-247 туба
Производитель:
Infineon Technologies
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
37А
Тип транзистора:
N-канальный
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
210 шт
Цена от:
от 517,92
IPW60R099C6FKSA1 IPW60R099C6FKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 37,9A 278Вт 0,099Ом TO247
Производитель:
Infineon Technologies
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
37.9А
Сопротивление открытого канала:
0.099Ом
Мощность макс.:
278Вт
Тип транзистора:
N-канальный
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
100 шт
Цена от:
от 324,19
-6% Акция
IRFB9N60APBF IRFB9N60APBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 9.2А 170Вт
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
9.2A
Сопротивление открытого канала:
750 мОм
Мощность макс.:
170Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
49нКл
Входная емкость:
1400пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
12 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 97,39
-6% Акция
IRFBC40ASPBF IRFBC40ASPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 6.2A
Производитель:
Vishay
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
6.2A
Сопротивление открытого канала:
1.2 Ом
Мощность макс.:
125Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
42нКл
Входная емкость:
1036пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
29 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 39,17
IRFIB6N60APBF IRFIB6N60APBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 5.5А 60Вт
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-220F
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
5.5A
Сопротивление открытого канала:
750 мОм
Мощность макс.:
60Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
49нКл
Входная емкость:
1400пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
16 шт
Цена от:
от 460,59
SIHG30N60E-GE3 SIHG30N60E-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 29A
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-247AC
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
29A
Сопротивление открытого канала:
125 мОм
Мощность макс.:
250Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
130нКл
Входная емкость:
2600пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
50 шт
Цена от:
от 424,28
-6% Акция
SPP03N60S5 SPP03N60S5 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 3.2A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
3.2A
Сопротивление открытого канала:
1.4 Ом
Мощность макс.:
38Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
5.5В
Заряд затвора:
16нКл
Входная емкость:
420пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
24 шт

Внешние склады:
13 000 шт
Цена от:
от 42,85
-6% Акция
STD7N65M2 STD7N65M2 Полевой MOSFET транзистор N-канальный 600В 5А DPAK
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
Тип транзистора:
N-канальный
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
40 шт

Внешние склады:
475 шт
Цена от:
от 40,03
Акция
STF10NM60N STF10NM60N Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 8А 70Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220F
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
10A
Сопротивление открытого канала:
550 мОм
Мощность макс.:
25Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
19нКл
Входная емкость:
540пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
12 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 52,53
STP13NM60N STP13NM60N Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 11A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220-3
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
11A
Сопротивление открытого канала:
360 мОм
Мощность макс.:
90Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
30нКл
Входная емкость:
790пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
8 шт
Цена от:
от 232,84
STQ1NK60ZR-AP STQ1NK60ZR-AP Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 0.3A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO92-3
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
300мА
Сопротивление открытого канала:
15 Ом
Мощность макс.:
3Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
6.9нКл
Входная емкость:
94пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
60 шт
Цена от:
от 76,36
STW24NM60N STW24NM60N Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 17А 125Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-247
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
17A
Сопротивление открытого канала:
190 мОм
Мощность макс.:
125Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
46нКл
Входная емкость:
1400пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
25 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 270,13
STW70N60M2 STW70N60M2 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 68A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-247
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
68A
Сопротивление открытого канала:
40 мОм
Мощность макс.:
450Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
118нКл
Входная емкость:
5200пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
33 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 249,22
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.59762 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"