Одиночные MOSFET транзисторы

245
Напряжение сток-исток макс.: 200В
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (245)
IRF630NSPBF IRF630NSPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 9.3А 3.1Вт, 0.3 Ом
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
9.3A
Сопротивление открытого канала:
300 мОм
Мощность макс.:
82Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
35нКл
Входная емкость:
575пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
1 593 шт
Цена от:
от 83,22
IRF630SPBF IRF630SPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 9A
Производитель:
Vishay
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
9A
Сопротивление открытого канала:
400 мОм
Мощность макс.:
3Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
43нКл
Входная емкость:
800пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
IRF630STRLPBF IRF630STRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 9A
Производитель:
Vishay
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
9A
Сопротивление открытого канала:
400 мОм
Мощность макс.:
3Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
43нКл
Входная емкость:
800пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
IRF630STRRPBF IRF630STRRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 9A
Производитель:
Vishay
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
9A
Сопротивление открытого канала:
400 мОм
Мощность макс.:
3Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
43нКл
Входная емкость:
800пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
IRF640NLPBF IRF640NLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 18A TO-262
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-262
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
18A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
150 мОм @ 11А, 10В
Мощность макс.:
150Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
4В @ 250 µA
Заряд затвора:
67нКл @ 10В
Входная емкость:
1160пФ @ 25В
Тип монтажа:
Through Hole
Акция
IRF640NSPBF IRF640NSPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 18А 3.1Вт, 0.15 Ом
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
18A
Сопротивление открытого канала:
150 мОм
Мощность макс.:
150Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
67нКл
Входная емкость:
1160пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
19 286 шт
Цена от:
от 36,21
IRF6641TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 4.6А
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DIRECTFET[тм] MZ
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
4.6A(Ta),26A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
59.9 мОм @ 5.5А, 10В
Мощность макс.:
2.8Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
4.9В @ 150 µA
Заряд затвора:
48нКл @ 10В
Входная емкость:
2290пФ @ 25В
Тип монтажа:
Surface Mount
Акция
IRF7450PBF IRF7450PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 2.5A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
2.5A
Сопротивление открытого канала:
170 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
5.5В
Заряд затвора:
39нКл
Входная емкость:
940пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
IRF7450TRPBF IRF7450TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 2.5A 8-Pin SOIC лента на катушке
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
2.5A
Сопротивление открытого канала:
170 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
5.5В
Заряд затвора:
39нКл
Входная емкость:
940пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Акция
IRF7492PBF IRF7492PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 3.7А 2.5Вт, 0.079 Ом
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
3.7A
Сопротивление открытого канала:
79 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Заряд затвора:
59нКл
Входная емкость:
1820пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
690 шт
Цена от:
от 62,89
Акция
IRF7820PBF IRF7820PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 3.7A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
3.7A
Сопротивление открытого канала:
78 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
44нКл
Входная емкость:
1750пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
7 358 шт
Цена от:
от 57,29
IRF9610SPBF IRF9610SPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 200В 1.8A
Производитель:
Vishay
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
1.8A
Сопротивление открытого канала:
3 Ом
Мощность макс.:
3Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
11нКл
Входная емкость:
170пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
IRF9620STRLPBF IRF9620STRLPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 200В 3.5A
Производитель:
Vishay
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
3.5A
Сопротивление открытого канала:
1.5 Ом
Мощность макс.:
3Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
22нКл
Входная емкость:
350пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
IRF9630SPBF IRF9630SPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 200В 6.5A
Производитель:
Vishay
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
6.5A
Сопротивление открытого канала:
800 мОм
Мощность макс.:
3Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
29нКл
Входная емкость:
700пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
IRF9630STRLPBF IRF9630STRLPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 200В 6.5A
Производитель:
Vishay
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
6.5A
Сопротивление открытого канала:
800 мОм
Мощность макс.:
3Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
29нКл
Входная емкость:
700пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
-6% Акция
IRF9640STRRPBF IRF9640STRRPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 200В 11A
Производитель:
Vishay
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
11A
Сопротивление открытого канала:
500 мОм
Мощность макс.:
3Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
44нКл
Входная емкость:
1200пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
1 253 шт
Цена от:
от 98,17
Акция
IRFBA90N20D IRFBA90N20D Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 98А 650Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SUPER-220[тм] (TO-273AA)
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
98A
Мощность макс.:
650Вт
Тип транзистора:
N-канал
IRFI620GPBF IRFI620GPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 4.1A
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-220F
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
4.1A
Сопротивление открытого канала:
800 мОм
Мощность макс.:
30Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
14нКл
Входная емкость:
260пФ
Тип монтажа:
Through Hole
IRFI630GPBF IRFI630GPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 5.9A
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-220-3
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
5.9A
Сопротивление открытого канала:
400 мОм
Мощность макс.:
35Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
43нКл
Входная емкость:
800пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Акция
IRFR13N20DPBF IRFR13N20DPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 13А 110Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
13A
Сопротивление открытого канала:
235 мОм
Мощность макс.:
110Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
5.5В
Заряд затвора:
38нКл
Входная емкость:
830пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
3 920 шт
Цена от:
от 65,86
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.59762 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"