Одиночные MOSFET транзисторы

₁₄₉₉

Особенности: Logic Level Gate

Фильтр

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Through Hole (1863)
Surface Mount (3357)
Chassis Mount (8)

Умный фильтр

Показать

Одиночные MOSFET транзисторы (1499)

Акция

NDS332P Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 1А 0.5Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

3-SSOT

Напряжение сток-исток макс.:

20В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

300 мОм

Мощность макс.:

460мВт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

1В

Заряд затвора:

5нКл

Входная емкость:

195пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

1 311 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 16,25₽

IRLR2908TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 80В 30A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

80В

Ток стока макс.:

30A

Сопротивление открытого канала:

28 мОм

Мощность макс.:

120Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.5В

Заряд затвора:

33нКл

Входная емкость:

1890пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

1 300 шт

Внешние склады:

1 000 шт

Цена от:

от 64,51₽

BSH203,215 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 470мА, 0.17Вт

Производитель:

NXP / Philips

Корпус:

SOT-23

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

470мА

Сопротивление открытого канала:

900 мОм

Мощность макс.:

417мВт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

680mВ

Заряд затвора:

2.2нКл

Входная емкость:

110пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

1 286 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 17,77₽

FDN358P Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 1.5А 0.5Вт, 0.06 Ом

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT-23 (SuperSOT-3)

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

1.5A

Сопротивление открытого канала:

125 мОм

Мощность макс.:

460мВт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

5.6нКл

Входная емкость:

182пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

1 238 шт

Внешние склады:

250 шт

Цена от:

от 18,57₽

IRL3705NPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 77А 130Вт, 0.01 Ом

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-220AB

Напряжение сток-исток макс.:

55В

Ток стока макс.:

89A

Сопротивление открытого канала:

10 мОм

Мощность макс.:

170Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2В

Заряд затвора:

98нКл

Входная емкость:

3600пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Наличие:

1 232 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 120,41₽

Акция

NTR1P02T1G Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 1A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT-23

Напряжение сток-исток макс.:

20В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

180 мОм

Мощность макс.:

400мВт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.3В

Заряд затвора:

2.5нКл

Входная емкость:

165пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

1 224 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 7,37₽

SI7615ADN-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 35A

Производитель:

Vishay

Корпус:

PowerPAKВ® 1212-8

Напряжение сток-исток макс.:

20В

Ток стока макс.:

35A

Сопротивление открытого канала:

4.4 мОм

Мощность макс.:

52Вт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

1.5В

Заряд затвора:

183нКл

Входная емкость:

5590пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

1 222 шт

Внешние склады:

3 000 шт

Цена от:

от 23,77₽

IRLU120NPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 7.7А 42Вт, 0.27 Ом

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-251AA

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

10A

Сопротивление открытого канала:

185 мОм

Мощность макс.:

48Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2В

Заряд затвора:

20нКл

Входная емкость:

440пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Наличие:

1 216 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 123,94₽

FDS4435BZ Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 8.8А 2.5Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOIC-8

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

8.8A

Сопротивление открытого канала:

20 мОм

Мощность макс.:

1Вт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

40нКл

Входная емкость:

1845пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

1 211 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 17,85₽

IRLML0060TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 2.7А 1.25Вт, 0.092 Ом

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

Micro3™ (SOT-23/TO-236AB)

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

2.7A

Сопротивление открытого канала:

92 мОм

Мощность макс.:

1.25Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.5В

Заряд затвора:

2.5нКл

Входная емкость:

290пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

1 181 шт

Внешние склады:

7 500 шт

Аналоги:

73 552 шт

Цена от:

от 7,20₽

Акция

NTRV4101PT1G Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 1.8A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT23-3

Напряжение сток-исток макс.:

20В

Ток стока макс.:

1.8A

Сопротивление открытого канала:

85 мОм

Мощность макс.:

420мВт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

1.2В

Заряд затвора:

8.5нКл

Входная емкость:

675пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

1 138 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 8,42₽

IRFH5007TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 17A 5X6 PQFN

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

PQFN 5x6 mm

Напряжение сток-исток макс.:

75В

Ток стока макс.:

17A(Ta),100A(Tc)

Сопротивление открытого канала:

5.9 мОм @ 50А, 10В

Мощность макс.:

3.6Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

4В @ 150 µA

Заряд затвора:

98нКл @ 10В

Входная емкость:

4290пФ @ 25В

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

1 120 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 146,51₽

IRF7862TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 21A 8-Pin SOIC лента на катушке

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

SO-8

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

21A

Сопротивление открытого канала:

3.7 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.35В

Заряд затвора:

45нКл

Входная емкость:

4090пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

1 113 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 42,65₽

IRL540NSTRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 36A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

36A

Сопротивление открытого канала:

44 мОм

Мощность макс.:

3.8Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2В

Заряд затвора:

74нКл

Входная емкость:

1800пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

1 111 шт

Внешние склады:

1 000 шт

Цена от:

от 105,06₽

Акция

IRF9328TRPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 12A 8-Pin SOIC N лента на катушке

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

SO-8

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

12A

Сопротивление открытого канала:

11.9 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.4В

Заряд затвора:

52нКл

Входная емкость:

1680пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

1 097 шт

Внешние склады:

100 шт

Цена от:

от 85,11₽

Акция

IRF7809AVTRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 13.3A 8-Pin SOIC лента на катушке

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

SO-8

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

13.3A

Сопротивление открытого канала:

9 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

1В

Заряд затвора:

62нКл

Входная емкость:

3780пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

1 082 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 68,76₽

IRF9335TRPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 5.4A 8-Pin SOIC N лента на катушке

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

SO-8

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

5.4A(Ta)

Сопротивление открытого канала:

59 мОм @ 5.4А, 10В

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.4В @ 10 µA

Заряд затвора:

14нКл @ 10В

Входная емкость:

386пФ @ 25В

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

1 075 шт

Внешние склады:

200 шт

Цена от:

от 39,91₽

AOD413A Транзистор полевой MOSFET P-канальный 40В 12А 25Вт

Производитель:

Alpha & Omega Semiconductor

Корпус:

TO-252

Напряжение сток-исток макс.:

40В

Ток стока макс.:

12A

Сопротивление открытого канала:

44 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

21нКл

Входная емкость:

1125пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

1 054 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 12,82₽

AOD4186 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 35А 25Вт

Производитель:

Alpha & Omega Semiconductor

Корпус:

TO-252

Напряжение сток-исток макс.:

40В

Ток стока макс.:

10A

Сопротивление открытого канала:

15 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.7В

Заряд затвора:

20нКл

Входная емкость:

1200пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

1 039 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 20,92₽

FDT458P Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 3.4А 0.13 Ом, 3Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT-223

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

3.4A

Сопротивление открытого канала:

130 мОм

Мощность макс.:

1.1Вт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

3.5нКл

Входная емкость:

205пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

993 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 37,39₽

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.68325 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"