Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип транзистора

2P-канал(1)
N-Channel(3)
P-Channel(1)
2N-канал(2)
P-канал(875)
MOSFET N-Channel, Metal Oxide(3)
N-канал(4267)
N/P-канал(6)

Тип монтажа

Through Hole(1494)
Surface Mount(2856)
Chassis Mount(1)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (26)

STP10NK60Z Транзистор полевой N-канальный 650В 10А 115Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 10A Сопротивление открытого канала: 750 мОм Мощность макс.: 115Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 70нКл Входная емкость: 1370пФ Тип монтажа: Through Hole

Наличие:

3 557 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 109,72₽

STP10NK60ZFP Транзистор полевой N-канальный 600В 10А 35Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220FP Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 10A Сопротивление открытого канала: 750 мОм Мощность макс.: 35Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 70нКл Входная емкость: 1370пФ Тип монтажа: Through Hole

Наличие:

921 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 61,15₽

STP18NM80 Транзистор полевой N-канальный 800В 17А 190Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: 17A Сопротивление открытого канала: 295 мОм Мощность макс.: 190Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 70нКл Входная емкость: 2070пФ Тип монтажа: Through Hole

Наличие:

498 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 465,00₽

STW10NK60Z Транзистор полевой N-канальный 600В 10А 156Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-247 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 10A Сопротивление открытого канала: 750 мОм Мощность макс.: 156Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 70нКл Входная емкость: 1370пФ Тип монтажа: Through Hole

Наличие:

516 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 187,87₽

FCPF16N60 Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 16 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 16A Сопротивление открытого канала: 260 мОм Мощность макс.: 37.9Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 70нКл Входная емкость: 2250пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FDP51N25 Транзистор полевой N-канальный 250В 51A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 250В Ток стока макс.: 51A Сопротивление открытого канала: 60 мОм Мощность макс.: 320Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 70нКл Входная емкость: 3410пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FDS5670 Транзистор полевой N-канальный 60В 10A Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 10A Сопротивление открытого канала: 14 мОм Мощность макс.: 1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 70нКл Входная емкость: 2900пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FQA8N100C Транзистор полевой N-канальный 1000В 8A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-3P Напряжение исток-сток макс.: 1000В Ток стока макс.: 8A Сопротивление открытого канала: 1.45 Ом Мощность макс.: 225Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 70нКл Входная емкость: 3220пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FQH8N100C Полевой транзистор, N-канальный, 1000 В, 8 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-247 Напряжение исток-сток макс.: 1000В Ток стока макс.: 8A Сопротивление открытого канала: 1.45 Ом Мощность макс.: 225Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 70нКл Входная емкость: 3220пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

IRF640PBF Транзистор полевой N-канальный 200В 18А 125Вт Производитель: Vishay Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 18A Сопротивление открытого канала: 180 мОм Мощность макс.: 125Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 70нКл Входная емкость: 1300пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

IRF640SPBF Транзистор полевой N-канальный 200В 18А 3.1Вт Производитель: Vishay Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 18A Сопротивление открытого канала: 180 мОм Мощность макс.: 130Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 70нКл Входная емкость: 1300пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRF640STRLPBF Транзистор полевой N-канальный 200В 18А 3.1Вт Производитель: Vishay Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 18A Сопротивление открытого канала: 180 мОм Мощность макс.: 130Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 70нКл Входная емкость: 1300пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRF640STRRPBF Транзистор полевой N-канальный 200В 18A Производитель: Vishay Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 18A Сопротивление открытого канала: 180 мОм Мощность макс.: 130Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 70нКл Входная емкость: 1300пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRFI640GPBF Транзистор полевой N-канальный 200В 9.8А 40Вт, 0.18 Ом Производитель: Vishay Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 9.8A Сопротивление открытого канала: 180 мОм Мощность макс.: 40Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 70нКл Входная емкость: 1300пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

IRFP240PBF Транзистор полевой N-канальный 200В 20А 150Вт, 0.18 Ом Производитель: Vishay Корпус: TO-247AC Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 20A Сопротивление открытого канала: 180 мОм Мощность макс.: 150Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 70нКл Входная емкость: 1300пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

IRFPC50APBF Транзистор полевой N-канальный 600В 11A Производитель: Vishay Корпус: TO-247 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 11A Сопротивление открытого канала: 580 мОм Мощность макс.: 180Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 70нКл Входная емкость: 2100пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

NDP6060 Транзистор полевой N-канальный 60В 48A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 48A Сопротивление открытого канала: 25 мОм Мощность макс.: 100Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 70нКл Входная емкость: 1800пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

NTMS10P02R2G Транзистор полевой P-канальный 20В 8.8A Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 8.8A Сопротивление открытого канала: 14 мОм Мощность макс.: 1.6Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.2В Заряд затвора: 70нКл Входная емкость: 3640пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SIHB12N65E-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 650 В, 12 А Производитель: Vishay Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 12A Сопротивление открытого канала: 380 мОм Мощность макс.: 156Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 70нКл Входная емкость: 1224пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SIHF12N65E-GE3 Транзистор полевой N-канальный 650В 12A Производитель: Vishay Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 12A Сопротивление открытого канала: 380 мОм Мощность макс.: 33Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 70нКл Входная емкость: 1224пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.72 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России и Беларуси

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

Доставка в Беларусь — компанией DPD (до терминала или курьером до адреса).

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"