Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип транзистора

N/P-канал(6)
2P-канал(1)
N-Channel(3)
P-Channel(1)
2N-канал(2)
P-канал(875)
MOSFET N-Channel, Metal Oxide(3)
N-канал(4267)

Тип монтажа

Chassis Mount(1)
Through Hole(1494)
Surface Mount(2856)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (59)

IRFB5615PBF Транзистор полевой N-канальный 150В 35А 144Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220 Isolated Tab Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 35A Сопротивление открытого канала: 39 мОм Мощность макс.: 144Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 40нКл Входная емкость: 1750пФ Тип монтажа: Through Hole

Наличие:

9 394 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 73,71₽

IRF7205TRPBF Транзистор полевой P-канальный 30В 4.6А 2.5Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 4.6A Сопротивление открытого канала: 70 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 40нКл Входная емкость: 870пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

1 290 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 31,94₽

STD15NF10T4 Транзистор полевой N-канальный 100В 23А 70Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: DPAK Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 23A Сопротивление открытого канала: 65 мОм Мощность макс.: 70Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 40нКл Входная емкость: 870пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

2 547 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 70,83₽

FDMS3572 Полевой транзистор, N-канальный, 80 В, 8.8 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: Power56 Напряжение исток-сток макс.: 80В Ток стока макс.: 8.8A Сопротивление открытого канала: 16.5 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 40нКл Входная емкость: 2490пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDP085N10A-F102 Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 96 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 96A Сопротивление открытого канала: 8.5 мОм Мощность макс.: 188Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 40нКл Входная емкость: 2695пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FDPF10N60ZUT Транзистор полевой N-канальный 600В Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 9A Сопротивление открытого канала: 800 мОм Мощность макс.: 42Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 40нКл Входная емкость: 1980пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FDS4435BZ Транзистор полевой P-канальный 30В 8.8А 2.5Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOIC-8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 8.8A Сопротивление открытого канала: 20 мОм Мощность макс.: 1Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 40нКл Входная емкость: 1845пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDS86240 Транзистор полевой N-канальный 150В 7.5A Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 7.5A Сопротивление открытого канала: 19.8 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 40нКл Входная емкость: 2570пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FQA6N90C_F109 Полевой транзистор, N-канальный, 900 В, 6 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-3P Напряжение исток-сток макс.: 900В Ток стока макс.: 6A Сопротивление открытого канала: 2.3 Ом Мощность макс.: 198Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 40нКл Входная емкость: 1770пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FQB12P20TM Транзистор полевой P-канальный 200В 11.5A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-263-3 Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 11.5A Сопротивление открытого канала: 470 мОм Мощность макс.: 3.13Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 40нКл Входная емкость: 1200пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FQB19N20TM Полевой транзистор, N-канальный, 200 В, 19.4 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 19.4A Сопротивление открытого канала: 150 мОм Мощность макс.: 3.13Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 40нКл Входная емкость: 1600пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FQB33N10LTM Транзистор полевой N-канальный 100В 33A Производитель: ON Semiconductor Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 33A Сопротивление открытого канала: 52 мОм Мощность макс.: 3.75Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 2В Заряд затвора: 40нКл Входная емкость: 1630пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FQB5N90TM Полевой транзистор, N-канальный, 900 В, 5.4 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 900В Ток стока макс.: 5.4A Сопротивление открытого канала: 2.3 Ом Мощность макс.: 3.13Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 40нКл Входная емкость: 1550пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

FQP12P20 Транзистор полевой P-канальный 200В 11.5A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 11.5A Сопротивление открытого канала: 470 мОм Мощность макс.: 120Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 40нКл Входная емкость: 1200пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FQP14N30 Транзистор полевой N-канальный 300В 14.4A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 300В Ток стока макс.: 14.4A Сопротивление открытого канала: 290 мОм Мощность макс.: 147Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 40нКл Входная емкость: 1360пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FQP19N20 Транзистор полевой N-канальный 200В 19.4A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 19.4A Сопротивление открытого канала: 150 мОм Мощность макс.: 140Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 40нКл Входная емкость: 1600пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FQP6N90C Транзистор полевой N-канальный 900В 6A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 900В Ток стока макс.: 6A Сопротивление открытого канала: 2.3 Ом Мощность макс.: 167Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 40нКл Входная емкость: 1770пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FQPF19N20 Полевой транзистор, N-канальный, 200 В, 11.8 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 11.8A Сопротивление открытого канала: 150 мОм Мощность макс.: 50Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 40нКл Входная емкость: 1600пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FQPF33N10L Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 18 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 18A Сопротивление открытого канала: 52 мОм Мощность макс.: 41Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В Заряд затвора: 40нКл Входная емкость: 1630пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FQPF5N90 Полевой транзистор, N-канальный, 900 В, 3 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 900В Ток стока макс.: 3A Сопротивление открытого канала: 2.3 Ом Мощность макс.: 51Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 40нКл Входная емкость: 1550пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.72 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России и Беларуси

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

Доставка в Беларусь — компанией DPD (до терминала или курьером до адреса).

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"