Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип транзистора

P-Channel(1)
2N-канал(2)
P-канал(875)
MOSFET N-Channel, Metal Oxide(3)
N-канал(4267)
N/P-канал(6)
2P-канал(1)
N-Channel(3)

Тип монтажа

Through Hole(1494)
Surface Mount(2856)
Chassis Mount(1)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (26)

IPW60R099CPFKSA1 Транзистор полевой N-канальный 650В 31А 255Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247 Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 31A Сопротивление открытого канала: 99 мОм Мощность макс.: 255Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3.5В Заряд затвора: 80нКл Входная емкость: 2800пФ Тип монтажа: Through Hole

Наличие:

47 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 807,42₽

STP34NM60N Транзистор полевой N-канальный 600В 29А 210Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 29A Сопротивление открытого канала: 105 мОм Мощность макс.: 210Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 80нКл Входная емкость: 2722пФ Тип монтажа: Through Hole

Наличие:

61 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 246,75₽

STW34NM60N Транзистор полевой N-канальный 600В 29А 250Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-247 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 29A Сопротивление открытого канала: 105 мОм Мощность макс.: 210Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 80нКл Входная емкость: 2722пФ Тип монтажа: Through Hole

Наличие:

377 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 695,51₽

2SK3748-1E Полевой транзистор, N-канальный, 1500 В, 4 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-3PF-3 Напряжение исток-сток макс.: 1500В Ток стока макс.: 4A Сопротивление открытого канала: 7 Ом Мощность макс.: 3Вт Тип транзистора: N-канал Заряд затвора: 80нКл Входная емкость: 790пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FDB050AN06A0 Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 80 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 18A Сопротивление открытого канала: 5 мОм Мощность макс.: 245Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 80нКл Входная емкость: 3900пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDD3670 Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 34 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 34A Сопротивление открытого канала: 32 мОм Мощность макс.: 1.6Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 80нКл Входная емкость: 2490пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDP050AN06A0 Транзистор полевой N-канальный 60В 80А 245Вт, 4,3 мОм Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 18A Сопротивление открытого канала: 5 мОм Мощность макс.: 245Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Automotive Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 80нКл Входная емкость: 3900пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FQA11N90C_F109 Транзистор полевой N-канальный 900В 11A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-3P Напряжение исток-сток макс.: 900В Ток стока макс.: 11A Сопротивление открытого канала: 1.1 Ом Мощность макс.: 300Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 80нКл Входная емкость: 3290пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

Новинка

FQAF11N90C Транзистор полевой N-канальный 900В 7A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-3PF Напряжение исток-сток макс.: 900В Ток стока макс.: 7A Сопротивление открытого канала: 1.1 Ом Мощность макс.: 120Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 80нКл Входная емкость: 3290пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

IPB60R099CPATMA1 Транзистор полевой N-канальный 600В 31A Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 31A Сопротивление открытого канала: 99 мОм Мощность макс.: 255Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3.5В Заряд затвора: 80нКл Входная емкость: 2800пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRF7241PBF Транзистор полевой P-канальный 40В 6.2A Производитель: Infineon Technologies Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 6.2A Сопротивление открытого канала: 41 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 80нКл Входная емкость: 3220пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRF7241TRPBF Транзистор полевой P-канальный 40В 6.2А 2,5Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 6.2A Сопротивление открытого канала: 41 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 80нКл Входная емкость: 3220пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRFBG30PBF Транзистор полевой N-канальный 1000В 3.1А 125Вт, 5 Ом Производитель: Vishay Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 1000В Ток стока макс.: 3.1A Сопротивление открытого канала: 5 Ом Мощность макс.: 125Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 80нКл Входная емкость: 980пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

IRFPG30PBF Транзистор полевой N-канальный 1000В 3.1A Производитель: Vishay Корпус: TO-247-3 Напряжение исток-сток макс.: 1000В Ток стока макс.: 3.1A Сопротивление открытого канала: 5 Ом Мощность макс.: 125Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 80нКл Входная емкость: 980пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

RFD16N05LSM9A Транзистор полевой N-канальный 50В 16A Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 50В Ток стока макс.: 16A Сопротивление открытого канала: 47 мОм Мощность макс.: 60Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В Заряд затвора: 80нКл Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

RFD16N05SM9A Транзистор полевой N-канальный 50В 16A Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 50В Ток стока макс.: 16A Сопротивление открытого канала: 47 мОм Мощность макс.: 72Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 80нКл Входная емкость: 900пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

SI4425DDY-T1-GE3 Транзистор полевой P-канальный 30В 19.7А 5.7Вт Производитель: Vishay Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 19.7A Сопротивление открытого канала: 9.8 мОм Мощность макс.: 5.7Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 80нКл Входная емкость: 2610пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SIA447DJ-T1-GE3 Транзистор полевой P-канальный 12В 12A Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® SC-70-6 Single Напряжение исток-сток макс.: 12В Ток стока макс.: 12A Сопротивление открытого канала: 13.5 мОм Мощность макс.: 19Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 850mВ Заряд затвора: 80нКл Входная емкость: 2880пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SIR870ADP-T1-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 60 А Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 60A Сопротивление открытого канала: 6.6 мОм Мощность макс.: 104Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 80нКл Входная емкость: 2866пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

STB120N4LF6 Транзистор полевой N-канальный 40В 80A Производитель: ST Microelectronics Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 80A Сопротивление открытого канала: 4 мОм Мощность макс.: 110Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Automotive, Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 80нКл Входная емкость: 4300пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.72 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России и Беларуси

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

Доставка в Беларусь — компанией DPD (до терминала или курьером до адреса).

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"