Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип транзистора

2N-канал(2)
P-канал(875)
MOSFET N-Channel, Metal Oxide(3)
N-канал(4267)
N/P-канал(6)
2P-канал(1)
N-Channel(3)
P-Channel(1)

Тип монтажа

Through Hole(1494)
Surface Mount(2856)
Chassis Mount(1)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (32)

IRF3808PBF Транзистор полевой N-канальный 75В 140А 340Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 75В Ток стока макс.: 140A Сопротивление открытого канала: 7 мОм Мощность макс.: 330Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 220нКл Входная емкость: 5310пФ Тип монтажа: Through Hole

Наличие:

13 803 шт

Под заказ:

810 шт

Цена от:

от 116,42₽

IRF3808STRLPBF Транзистор полевой N-канал 75В/106А/200Вт/0.007 Ом Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 75В Ток стока макс.: 106A Сопротивление открытого канала: 7 мОм Мощность макс.: 200Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 220нКл Входная емкость: 5310пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

3 483 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 198,18₽

IRF7410TRPBF Транзистор полевой P-канальный 12В 16A Производитель: Infineon Technologies Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 12В Ток стока макс.: 16A Сопротивление открытого канала: 7 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 900mВ Заряд затвора: 91нКл Входная емкость: 8676пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

4 747 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 83,46₽

IRF7210TRPBF Транзистор полевой P-канальный 12В 16A Производитель: Infineon Technologies Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 12В Ток стока макс.: 16A Сопротивление открытого канала: 7 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 600mВ Заряд затвора: 212нКл Входная емкость: 17179пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

278 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 73,69₽

IRFB4310PBF Транзистор полевой N-канальный 100В 130А 300Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 130A Сопротивление открытого канала: 7 мОм Мощность макс.: 300Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 250нКл Входная емкость: 7670пФ Тип монтажа: Through Hole

Наличие:

1 014 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 164,15₽

IRL2203NPBF Транзистор полевой N-канальный 30В 100А 130Вт, 0.007 Ом Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 116A Сопротивление открытого канала: 7 мОм Мощность макс.: 180Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1В Заряд затвора: 60нКл Входная емкость: 3290пФ Тип монтажа: Through Hole

Наличие:

3 696 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 65,86₽

AUIRF3808S Полевой транзистор, N-канальный, 75 В, 106 А Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 75В Ток стока макс.: 106A Сопротивление открытого канала: 7 мОм Мощность макс.: 200Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 220нКл Входная емкость: 5310пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

AUIRFS4310 Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 75 А Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 75A Сопротивление открытого канала: 7 мОм Мощность макс.: 300Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 250нКл Входная емкость: 7670пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

CSD18504KCS Транзистор полевой N-канальный 40В Производитель: Texas Instruments Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 53A Сопротивление открытого канала: 7 мОм Мощность макс.: 93Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.3В Заряд затвора: 25нКл Входная емкость: 1800пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FDB070AN06A0 Транзистор полевой N-канальный 60В 80A Производитель: ON Semiconductor Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 15A Сопротивление открытого канала: 7 мОм Мощность макс.: 175Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 66нКл Входная емкость: 3000пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

FDB8453LZ Транзистор полевой N-канальный 40В 50А 7 мОм Производитель: ON Semiconductor Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 16.1A Сопротивление открытого канала: 7 мОм Мощность макс.: 3.1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 66нКл Входная емкость: 3545пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDS8817NZ Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 15 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 15A Сопротивление открытого канала: 7 мОм Мощность макс.: 1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 45нКл Входная емкость: 2400пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDS8842NZ Полевой транзистор, N-канальный, 40 В, 14.9 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 14.9A Сопротивление открытого канала: 7 мОм Мощность макс.: 1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 73нКл Входная емкость: 3845пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FQA160N08 Полевой транзистор, N-канальный, 80 В, 160 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-3P Напряжение исток-сток макс.: 80В Ток стока макс.: 160A Сопротивление открытого канала: 7 мОм Мощность макс.: 375Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 290нКл Входная емкость: 7900пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

HUF75345G3 Полевой транзистор, N-канальный, 55 В, 75 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-247 Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 75A Сопротивление открытого канала: 7 мОм Мощность макс.: 325Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 275нКл Входная емкость: 4000пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

HUF75345P3 Транзистор полевой N-канальный 55В 75A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 75A Сопротивление открытого канала: 7 мОм Мощность макс.: 325Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 275нКл Входная емкость: 4000пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

HUF75345S3ST Полевой транзистор, N-канальный, 55 В, 75 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 75A Сопротивление открытого канала: 7 мОм Мощность макс.: 325Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 275нКл Входная емкость: 4000пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

IRF3808SPBF Транзистор полевой N-канальный 75В 106А 200Вт, 0.007 Ом Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 75В Ток стока макс.: 106A Сопротивление открытого канала: 7 мОм Мощность макс.: 200Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 220нКл Входная емкость: 5310пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

3 483 шт

Цена от:

от 95,96₽

IRF6648TRPBF Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 86 А Производитель: Infineon Technologies Корпус: DIRECTFET[тм] MN Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 86A Сопротивление открытого канала: 7 мОм Мощность макс.: 2.8Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.9В Заряд затвора: 50нКл Входная емкость: 2120пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRF7410GTRPBF Полевой транзистор P-канальный 12В 16A 8-SOIC Производитель: Infineon Technologies Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 12В Ток стока макс.: 16A Сопротивление открытого канала: 7 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 900mВ Заряд затвора: 91нКл Входная емкость: 8676пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.72 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России и Беларуси

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

Доставка в Беларусь — компанией DPD (до терминала или курьером до адреса).

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"