Одиночные MOSFET транзисторы ON Semiconductor

1638
Производитель: ON Semiconductor
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (1638)
FCP290N80 FCP290N80 МОП-транзистор 800В SuperFET2 N-Chnl Mosfet
Производитель:
ON Semiconductor
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
600 шт
Цена от:
от 174,28
-6% Акция
FCP36N60N FCP36N60N Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 36A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
36A
Сопротивление открытого канала:
90 мОм
Мощность макс.:
312Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
112нКл
Входная емкость:
4785пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
19 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 381,35
FCPF067N65S3 FCPF067N65S3 N-CHANNEL SUPERFET MOSFET 650V 44A TO220
Производитель:
ON Semiconductor
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
250 шт
Цена от:
от 407,40
FCPF11N60 FCPF11N60 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 11A TO220F
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220F
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
11A
Сопротивление открытого канала:
380 мОм
Мощность макс.:
36Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
52нКл
Входная емкость:
1490пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
1 000 шт
Цена от:
от 212,74
FCPF150N65F FCPF150N65F MOSFET, N CHANNEL, 650V, 24A, TO-220F-3L; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:24A; Drain Source Voltage Vds:650V; On Resistance Rds(on):0.133ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs
Производитель:
ON Semiconductor
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
1 000 шт
Цена от:
от 560,17
FCPF16N60NT FCPF16N60NT Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220F
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
16A
Сопротивление открытого канала:
199 мОм
Мощность макс.:
35.7Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
52.3нКл
Входная емкость:
2170пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
9 шт
Цена от:
от 739,73
FCPF190N65FL1-F154 N-Channel 650V 20.6A 50W Through Hole TO-220F
Производитель:
ON Semiconductor
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
1 000 шт
Цена от:
от 536,52
FCPF290N80 FCPF290N80 MOSFET, N-CH, 800V, 17A, TO-220F;
Производитель:
ON Semiconductor
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
550 шт
Цена от:
от 183,19
FCPF360N65S3R0L FCPF360N65S3R0L MOSFET SUPERFET3 650V 10A 360 mOhm
Производитель:
ON Semiconductor
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
700 шт
Цена от:
от 149,05
FCPF380N60E FCPF380N60E МОП-транзистор 600В N-CHAN МОП-транзистор
Производитель:
ON Semiconductor
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
550 шт
Цена от:
от 184,82
FDA032N08 FDA032N08 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 120A TO-3P
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-3P(N)
Напряжение сток-исток макс.:
75В
Ток стока макс.:
120A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
3.2 мОм @ 75А, 10В
Мощность макс.:
375Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В @ 250 µA
Заряд затвора:
220нКл @ 10В
Входная емкость:
15160пФ @ 25В
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
540 шт
Цена от:
от 186,45
FDA18N50 FDA18N50 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 19A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-3P
Напряжение сток-исток макс.:
500В
Ток стока макс.:
19A
Сопротивление открытого канала:
265 мОм
Мощность макс.:
239Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
60нКл
Входная емкость:
2860пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
720 шт
Цена от:
от 142,15
FDA20N50F FDA20N50F Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 22А 0.23 Ом, 280Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-3P(N)
Напряжение сток-исток макс.:
500В
Ток стока макс.:
22A
Сопротивление открытого канала:
260 мОм
Мощность макс.:
388Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
65нКл
Входная емкость:
3390пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
60 шт
Цена от:
от 641,27
-6% Акция
FDA24N50F FDA24N50F Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 24A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-3P(N)
Напряжение сток-исток макс.:
500В
Ток стока макс.:
24A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
200 мОм @ 12А, 10В
Мощность макс.:
270Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
5В @ 250 µA
Заряд затвора:
85нКл @ 10В
Входная емкость:
4310пФ @ 25В
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
5 шт

Внешние склады:
529 шт
Цена от:
от 235,39
FDA28N50 FDA28N50 MOSFET, N-CH, 500V, 28A, 150°C, 310W;
Производитель:
ON Semiconductor
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
1 154 шт
Цена от:
от 199,38
FDA28N50F FDA28N50F МОП-транзистор 500В 28A N-Channel
Производитель:
ON Semiconductor
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
210 шт
Цена от:
от 531,25
FDA69N25 FDA69N25 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 69A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-3PN
Напряжение сток-исток макс.:
250В
Ток стока макс.:
69A
Сопротивление открытого канала:
41 мОм
Мощность макс.:
480Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
100нКл
Входная емкость:
4640пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
320 шт
Цена от:
от 650,63
FDB0105N407L Trans MOSFET N-CH 40V 460A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
D2PAK
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
800 шт
Цена от:
от 520,42
FDB0250N807L FDB0250N807L MOSFET, N-CH, 80V, 240A, TO-263-7; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:240A; Drain Source Voltage Vds:80V; On Resistance Rds(on):0.0016ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:2.9V;
Производитель:
ON Semiconductor
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
800 шт
Цена от:
от 447,31
FDB045AN08A0 FDB045AN08A0 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 90A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DBІPAK
Напряжение сток-исток макс.:
75В
Ток стока макс.:
19A
Сопротивление открытого канала:
4.5 мОм
Мощность макс.:
310Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
138нКл
Входная емкость:
6600пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
800 шт
Цена от:
от 364,86
На странице: