- Главная
- Каталог
- Транзисторы
- Полевые транзисторы
- Одиночные MOSFET транзисторы
Одиночные MOSFET транзисторы ON Semiconductor
1638
Производитель:
ON Semiconductor
-
Сортировать по:
Одиночные MOSFET транзисторы (1638)
NTMFS4834NT1G
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 13A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
5-DFN, 8-SO Flat Lead (5x6)
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
13A
Сопротивление открытого канала:
3 мОм
Мощность макс.:
900мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Заряд затвора:
48нКл
Входная емкость:
4500пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
NTMFS4845NT1G
Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 13.7 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TDSON-8 FL
NTMFS4852NT1G
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 16A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
5-DFN, 8-SO Flat Lead (5x6)
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
16A
Сопротивление открытого канала:
2.1 мОм
Мощность макс.:
900мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Заряд затвора:
71.3нКл
Входная емкость:
4970пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
NTMFS4926NT1G
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 9A SO-8FL
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
5-DFN, 8-SO Flat Lead (5x6)
NTMFS4927NT1G
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 7.9A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
5-DFN, 8-SO Flat Lead (5x6)
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
7.9A
Сопротивление открытого канала:
7.3 мОм
Мощность макс.:
920мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.2В
Заряд затвора:
16нКл
Входная емкость:
913пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
NTMFS4955NT1G
Полевой транзистор N-канальный 30В 16.7A 5-Pin(4+Tab) SO-FL лента на катушке
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TDSON-8 FL
NTMFS5C430NT1G
MOSFET, N-CH, 40V, 185A, DFN; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:185A; Drain Source Voltage Vds:40V; On Resistance Rds(on):0.0014ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:3.5V; Powe
Производитель:
ON Semiconductor
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
5-DFN (5x6)
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
38A
Сопротивление открытого канала:
1.2 мОм
Мощность макс.:
3.2Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2В
Заряд затвора:
120нКл
Входная емкость:
8900пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
NTMFS5C628NLT1G
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 28A 5-Pin(4+Tab) SO-FL лента на катушке
Производитель:
ON Semiconductor
NTMFS5C646NLT1G
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 32A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
5-DFN (5x6)
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
19A
Сопротивление открытого канала:
4.7 мОм
Мощность макс.:
3.1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2В
Заряд затвора:
33.7нКл
Входная емкость:
2164пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Производитель:
ON Semiconductor
NTMFS5H600NLT1G
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 35А
Производитель:
ON Semiconductor
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
35А
Тип транзистора:
N-канальный
Данный товар имеет ограничение по заказу в связи с наличием классификационного номера экспортного контроля (ECCN) у выбранного склада.
Для оформления закза таких товаров с данного склада требуется один раз заполнить анкету (Civilian)
Заполнить?
Данный товар имеет ограничения по продаже в связи с Control Classification Number (ECCN). Оформления заказа таких товаров c данного склада для физических лиц недоступно.
Сфера применения
Сообщите мне о поступлении товара