- Главная
- Каталог
- Транзисторы
- Полевые транзисторы
- Одиночные MOSFET транзисторы
Одиночные MOSFET транзисторы Vishay
-
Сортировать по:
Одиночные MOSFET транзисторы (875)
SIHB24N65E-GE3
Полевой транзистор, N-канальный, 650 В, 24 А
Производитель: Vishay
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 650В
Ток стока макс.: 24A
Сопротивление открытого канала: 145 мОм
Мощность макс.: 250Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 122нКл
Входная емкость: 2740пФ
Тип монтажа: Surface Mount
SIHB30N60E-GE3
Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 29 А
Производитель: Vishay
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 600В
Ток стока макс.: 29A
Сопротивление открытого канала: 125 мОм
Мощность макс.: 250Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 130нКл
Входная емкость: 2600пФ
Тип монтажа: Surface Mount
SIHB33N60E-GE3
Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 33 А
Производитель: Vishay
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 600В
Ток стока макс.: 33A
Сопротивление открытого канала: 99 мОм
Мощность макс.: 278Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 150нКл
Входная емкость: 3508пФ
Тип монтажа: Surface Mount
SIHD3N50D-GE3
Полевой транзистор, N-канальный, 500 В, 3 А
Производитель: Vishay
Корпус: DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.: 500В
Ток стока макс.: 3A
Сопротивление открытого канала: 3.2 Ом
Мощность макс.: 69Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Заряд затвора: 12нКл
Входная емкость: 175пФ
Тип монтажа: Surface Mount
SIHD5N50D-GE3
Полевой транзистор, N-канальный, 500 В, 5.3 А
Производитель: Vishay
Корпус: DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.: 500В
Ток стока макс.: 5.3A
Сопротивление открытого канала: 1.5 Ом
Мощность макс.: 104Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Заряд затвора: 20нКл
Входная емкость: 325пФ
Тип монтажа: Surface Mount
SIHD6N65E-GE3
Полевой транзистор, N-канальный, 650 В, 7 А
Производитель: Vishay
Корпус: DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.: 650В
Ток стока макс.: 7A
Сопротивление открытого канала: 600 мОм
Мощность макс.: 78Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 48нКл
Входная емкость: 820пФ
Тип монтажа: Surface Mount
SIHF12N60E-GE3
Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 12 А
Производитель: Vishay
Корпус: TO-220F
Напряжение исток-сток макс.: 600В
Ток стока макс.: 12A
Сопротивление открытого канала: 380 мОм
Мощность макс.: 33Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 58нКл
Входная емкость: 937пФ
Тип монтажа: Through Hole
SIHF12N65E-GE3
Транзистор полевой N-канальный 650В 12A
Производитель: Vishay
Корпус: TO-220F
Напряжение исток-сток макс.: 650В
Ток стока макс.: 12A
Сопротивление открытого канала: 380 мОм
Мощность макс.: 33Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 70нКл
Входная емкость: 1224пФ
Тип монтажа: Through Hole
SIHF15N60E-GE3
Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 15 А
Производитель: Vishay
Корпус: TO-220F
Напряжение исток-сток макс.: 600В
Ток стока макс.: 15A
Сопротивление открытого канала: 280 мОм
Мощность макс.: 34Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 78нКл
Входная емкость: 1350пФ
Тип монтажа: Through Hole
SIHF22N60E-GE3
Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 21 А
Производитель: Vishay
Корпус: TO-220F
Напряжение исток-сток макс.: 600В
Ток стока макс.: 21A
Сопротивление открытого канала: 180 мОм
Мощность макс.: 35Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 86нКл
Входная емкость: 1920пФ
Тип монтажа: Through Hole
SIHF30N60E-GE3
Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 29 А
Производитель: Vishay
Корпус: TO-220F
Напряжение исток-сток макс.: 600В
Ток стока макс.: 29A
Сопротивление открытого канала: 125 мОм
Мощность макс.: 37Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 130нКл
Входная емкость: 2600пФ
Тип монтажа: Through Hole
SIHF5N50D-E3
Полевой транзистор, N-канальный, 500 В, 5.3 А
Производитель: Vishay
Корпус: TO-220F
Напряжение исток-сток макс.: 500В
Ток стока макс.: 5.3A
Сопротивление открытого канала: 1.5 Ом
Мощность макс.: 30Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Заряд затвора: 20нКл
Входная емкость: 325пФ
Тип монтажа: Through Hole
Новинка
![]()
SIHF6N40D-E3
Транзистор полевой N-канальный 400В 6A
Производитель: Vishay
Корпус: TO-220 Full Pack
Напряжение исток-сток макс.: 400В
Ток стока макс.: 6A
Сопротивление открытого канала: 1 Ом
Мощность макс.: 30Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Заряд затвора: 18нКл
Входная емкость: 311пФ
Тип монтажа: Through Hole
SIHF6N40D-E3
Транзистор полевой N-канальный 400В 6A
Производитель: Vishay
Корпус: TO-220 Full Pack
Напряжение исток-сток макс.: 400В
Ток стока макс.: 6A
Сопротивление открытого канала: 1 Ом
Мощность макс.: 30Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Заряд затвора: 18нКл
Входная емкость: 311пФ
Тип монтажа: Through Hole
SIHF8N50D-E3
Полевой транзистор, N-канальный, 500 В, 8.7 А
Производитель: Vishay
Корпус: TO-220F
Напряжение исток-сток макс.: 500В
Ток стока макс.: 8.7A
Сопротивление открытого канала: 850 мОм
Мощность макс.: 33Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Заряд затвора: 30нКл
Входная емкость: 527пФ
Тип монтажа: Through Hole
Новинка
![]()
SIHFB20N50K-E3
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 20А TO220AB
Производитель: Vishay
Корпус: TO-220 Isolated Tab
SIHFB20N50K-E3
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 20А TO220AB
Производитель: Vishay
Корпус: TO-220 Isolated Tab
SIHFR9220TR-GE3
Полевой транзистор P-канальный 200В 3.6A 3-Pin(2+Tab) TO-252AA лента на катушке
Производитель: Vishay
Напряжение исток-сток макс.: 200В
Ток стока макс.: 3.6A
Тип транзистора: P-канал
SIHFRC20TR-GE3
Транзистор полевой N-канальный 600В 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке
Производитель: Vishay
Корпус: DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.: 600В
Ток стока макс.: 2A
Тип транзистора: N-канал
SIHG14N50D-GE3
Полевой транзистор, N-канальный, 500 В, 14 А
Производитель: Vishay
Корпус: TO-247
Напряжение исток-сток макс.: 500В
Ток стока макс.: 14A
Сопротивление открытого канала: 400 мОм
Мощность макс.: 208Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Заряд затвора: 58нКл
Входная емкость: 1144пФ
Тип монтажа: Through Hole
SIHG16N50C-E3
Полевой транзистор, N-канальный, 500 В, 16 А
Производитель: Vishay
Корпус: TO-247
Напряжение исток-сток макс.: 500В
Ток стока макс.: 16A
Сопротивление открытого канала: 380 мОм
Мощность макс.: 250Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Заряд затвора: 68нКл
Входная емкость: 1900пФ
Тип монтажа: Through Hole
SIHG20N50C-E3
Транзистор полевой N-канальный 500В 20A
Производитель: Vishay
Корпус: TO-247AC
Напряжение исток-сток макс.: 500В
Ток стока макс.: 20A
Сопротивление открытого канала: 270 мОм
Мощность макс.: 250Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Заряд затвора: 76нКл
Входная емкость: 2942пФ
Тип монтажа: Through Hole
Данный товар имеет ограничение по заказу в связи с наличием классификационного номера экспортного контроля (ECCN) у выбранного склада.
Для оформления закза таких товаров с данного склада требуется один раз заполнить анкету (Civilian)
Заполнить?
Данный товар имеет ограничения по продаже в связи с Control Classification Number (ECCN). Оформления заказа таких товаров c данного склада для физических лиц недоступно.
Сфера применения
Сообщите мне о поступлении товара