Одиночные IGBT транзисторы

1027
Фильтр
Корпус
Макс. напр. коллектор-эмиттер
Макс. ток коллектора
Импульсный ток коллектора макс.
Макс. рассеиваемая мощность
Переключаемая энергия
Одиночные IGBT транзисторы (1027)
DG75Q12T2 DG75Q12T2 Биполярный транзистор IGBT 1200В 150A 937Вт
Производитель:
STARPOWER Semiconductor Ltd.
Корпус:
TO-247
Наличие:
61 шт

Внешние склады:
3 025 шт
Цена от:
от 279,31
AUIRG4PH50S AUIRG4PH50S Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 57 А, 200 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247AC
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200 В
Макс. ток коллектора:
57 А
Импульсный ток коллектора макс.:
114 А
Макс. рассеиваемая мощность:
200 Вт
Переключаемая энергия:
1.8 мДж
Наличие:
60 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 416,24
Акция
SGW30N60FK SGW30N60FK Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 41 А, 250 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
PG-TO-247-3
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
41 А
Импульсный ток коллектора макс.:
112 А
Макс. рассеиваемая мощность:
250 Вт
Переключаемая энергия:
1.15 мДж
Наличие:
58 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 487,93
STGB10NB37LZT4 STGB10NB37LZT4 Биполярный транзистор IGBT, 440 В, 20 А, 125 Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
440 В
Макс. ток коллектора:
20 А
Импульсный ток коллектора макс.:
40 А
Макс. рассеиваемая мощность:
125 Вт
Переключаемая энергия:
2.4 мДж
Наличие:
58 шт

Внешние склады:
10 шт
Цена от:
от 220,28
Акция
ISL9V3040S3ST ISL9V3040S3ST Биполярный транзистор IGBT, 430 В, 21 А, 150 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
430V
Макс. ток коллектора:
21A
Макс. рассеиваемая мощность:
150W
Наличие:
57 шт

Внешние склады:
40 шт
Цена от:
от 116,33
IRG4BC40WPBF IRG4BC40WPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 40 А, 160 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
40 А
Импульсный ток коллектора макс.:
160 А
Макс. рассеиваемая мощность:
160 Вт
Переключаемая энергия:
110 мкДж
Наличие:
55 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 189,50
Акция
STGW30H65FB STGW30H65FB Биполярный транзистор IGBT, 650 В, 30 А, 260 Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
650 В
Макс. ток коллектора:
30 А
Импульсный ток коллектора макс.:
120 А
Макс. рассеиваемая мощность:
260 Вт
Переключаемая энергия:
151 мкДж
Наличие:
54 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 199,80
Акция
STGWT30V60DF STGWT30V60DF Биполярный транзистор IGBT, 30 А, 258 Вт, 600 В
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-3P
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
60 А
Импульсный ток коллектора макс.:
120 А
Макс. рассеиваемая мощность:
258 Вт
Переключаемая энергия:
383 мкДж
Наличие:
54 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 164,17
IHW40N135R5XKSA1 IHW40N135R5XKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 80 А 394 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
PG-TO-247-3
Наличие:
53 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 294,98
STGW80H65DFB STGW80H65DFB Биполярный транзистор IGBT, 650 В, 120 А, 469Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
650 В
Макс. ток коллектора:
120 А
Импульсный ток коллектора макс.:
240 А
Макс. рассеиваемая мощность:
469 Вт
Переключаемая энергия:
2.1 мДж
Наличие:
52 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 387,13
IRGP20B120UD-EP IRGP20B120UD-EP Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 40 А, 300 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247AD
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200 В
Макс. ток коллектора:
40 А
Импульсный ток коллектора макс.:
120 А
Макс. рассеиваемая мощность:
300 Вт
Переключаемая энергия:
850 мкДж
Наличие:
51 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 890,96
Акция
IRGP4650DPBF IRGP4650DPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 76 А, 268 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
76 А
Импульсный ток коллектора макс.:
105 А
Макс. рассеиваемая мощность:
268 Вт
Переключаемая энергия:
390 мкДж
Наличие:
51 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 484,05
Акция
IKP40N65H5XKSA1 IKP40N65H5XKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 650 В, 74 А, 255 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
PG-TO220-3
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
650 В
Макс. ток коллектора:
74 А
Импульсный ток коллектора макс.:
120 А
Макс. рассеиваемая мощность:
255 Вт
Переключаемая энергия:
390 мкДж
Наличие:
49 шт

Внешние склады:
128 шт
Цена от:
от 303,28
Акция
STGP40V60F STGP40V60F Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 80 А, 283Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220AB
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
80 А
Импульсный ток коллектора макс.:
160 А
Макс. рассеиваемая мощность:
283 Вт
Переключаемая энергия:
456 мкДж
Наличие:
48 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 378,97
IKW25T120FKSA1 IKW25T120FKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 50 А, 190 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
PG-TO-247-3
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200 В
Макс. ток коллектора:
50 А
Импульсный ток коллектора макс.:
75 А
Макс. рассеиваемая мощность:
190 Вт
Переключаемая энергия:
4.2 мДж
Наличие:
47 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 573,12
Акция
IRG4IBC30WPBF IRG4IBC30WPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 17 А, 45 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220F
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600V
Макс. ток коллектора:
17A
Импульсный ток коллектора макс.:
92A
Макс. рассеиваемая мощность:
45W
Переключаемая энергия:
130 µJ (on), 130 µJ (off)
Наличие:
47 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 303,39
FGH40N60SMDF FGH40N60SMDF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 80 А, 349 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-247-3
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
80 А
Импульсный ток коллектора макс.:
120 А
Макс. рассеиваемая мощность:
349 Вт
Переключаемая энергия:
1.3 мДж
Наличие:
46 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 353,86
FGPF50N33BT FGPF50N33BT Биполярный транзистор IGBT, 330 В, 50 А, 43 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220F
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
330V
Макс. ток коллектора:
50A
Макс. рассеиваемая мощность:
43W
Наличие:
46 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 145,45
Новинка
IKW30N65H5XKSA1 IKW30N65H5XKSA1 Транзистор IGBT, 650В, 35А, 94Вт, TO247-3, TRENCHSTOP™ 5, Серия H5
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247
Наличие:
46 шт

Внешние склады:
165 шт
Цена от:
от 202,29
Акция
STGP8NC60KD STGP8NC60KD Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 8 А
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
15 А
Импульсный ток коллектора макс.:
30 А
Макс. рассеиваемая мощность:
65 Вт
Переключаемая энергия:
55 мкДж
Наличие:
46 шт

Внешние склады:
110 шт
Цена от:
от 38,23
На странице:

IGBT транзисторы (расшифровывается как Insulated Gate Bipolar Transistor, или «биполярный транзистор с изолированным затвором», БТИЗ транзистор) сочетают в себе два транзистора в одной полупроводниковой структуре. Эту структуру можно представить как MOSFET, управляющий биполярным транзистором. Такая конструкция позволяет транзистору выдерживать повышенные мощности.

В интернет-магазине «Промэлектроника» мы предлагаем к покупке IGBT транзисторы по лучшим ценам. В нашем каталоге присутствуют IGBT производства таких известных фирм, как RENESAS, Infineon, ST Microelectronics, Toshiba. В наличии БТИЗ транзисторы с максимальной рассеиваемой мощностью до 750 Вт и максимальным напряжением до 2500 В.

Купить IGBT транзисторы лучше всего на сайте интернет-магазина «Промэлектроника». Кроме того, для оформления заказа Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные IGBT транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные IGBT транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные IGBT транзисторы - от 17.77 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные IGBT транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные IGBT транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"