Одиночные IGBT транзисторы

Фильтр
Фильтр
Корпус
Макс. напр. коллектор-эмиттер
Макс. ток коллектора
Импульсный ток коллектора макс.
Макс. рассеиваемая мощность
Переключаемая энергия
Одиночные IGBT транзисторы (681)
FGH60N60SMD Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 120 А, 600W Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 120 А Импульсный ток коллектора макс.: 180 А Макс. рассеиваемая мощность: 600 Вт Переключаемая энергия: 1.26 мДж
FGH60N60UFDTU Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 60 А, 290 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600V Макс. ток коллектора: 60A Макс. рассеиваемая мощность: 290W
FGH75N60UFTU Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 150 А, 452 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 150 А Импульсный ток коллектора макс.: 225 А Макс. рассеиваемая мощность: 452 Вт Переключаемая энергия: 3.05 мДж
FGH75T65UPD Биполярный транзистор IGBT, 650 В, 150 А, 375 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 650 В Макс. ток коллектора: 150 А Импульсный ток коллектора макс.: 225 А Макс. рассеиваемая мощность: 375 Вт Переключаемая энергия: 2.85 мДж
FGH80N60FDTU Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 80 А, 290 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600V Макс. ток коллектора: 80A Импульсный ток коллектора макс.: 160A Макс. рассеиваемая мощность: 290W Переключаемая энергия: 1mJ (on), 520 µJ (off)
FGHL50T65SQ IGBT Transistors Hybrid iGBT 650V 50A FS4 with SiC-SBD Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-247
FGL40N120ANDTU Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 64 А, 500 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-264 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 1200V Макс. ток коллектора: 64A Макс. рассеиваемая мощность: 500W
FGL40N120ANTU Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 64 А, 500 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-264 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 1200 В Макс. ток коллектора: 64 А Импульсный ток коллектора макс.: 160 А Макс. рассеиваемая мощность: 500 Вт Переключаемая энергия: 2.3 мДж
FGL60N100BNTD Биполярный транзистор IGBT, 1000 В, 60 А, 180 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO264 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 1000 В Макс. ток коллектора: 60 А Импульсный ток коллектора макс.: 120 А Макс. рассеиваемая мощность: 180 Вт
FGL60N100BNTDTU Биполярный транзистор IGBT, 1000 В, 60 А, 180 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-264 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 1000 В Макс. ток коллектора: 60 А Импульсный ток коллектора макс.: 120 А Макс. рассеиваемая мощность: 180 Вт
FGP10N60UNDF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 20 А, 139 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 20 А Импульсный ток коллектора макс.: 30 А Макс. рассеиваемая мощность: 139 Вт Переключаемая энергия: 150 мкДж
FGP15N60UNDF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 30 А, 178 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220-3
Новинка FGP20N60UFD IGBT Chip N-CH 600V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220
FGP20N60UFDTU Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 40 А, 165 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 40 А Импульсный ток коллектора макс.: 60 А Макс. рассеиваемая мощность: 165 Вт Переключаемая энергия: 380 мкДж
FGPF4533 Биполярный транзистор IGBT, 330 В, 50 А/200 А, 28 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220F
FGPF4533TU Биполярный транзистор IGBT, 330 В, 50 А/200 А, 28 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220F
FGPF4536 Биполярный транзистор IGBT, 230 В, 50 А, 30 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220F
FGPF4536 Биполярный транзистор IGBT, 230 В, 50 А, 30 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220F
FGPF4633 Биполярный транзистор IGBT, 330 В, 70 А, 30 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220F formed lead
FGPF4633TU Биполярный транзистор IGBT, 330 В, 70 А, 30 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220F Макс. напр. коллектор-эмиттер: 330V Макс. ток коллектора: 70A Макс. рассеиваемая мощность: 30W
На странице:

IGBT транзисторы (расшифровывается как Insulated Gate Bipolar Transistor, или «биполярный транзистор с изолированным затвором», БТИЗ транзистор) сочетают в себе два транзистора в одной полупроводниковой структуре. Эту структуру можно представить как MOSFET, управляющий биполярным транзистором. Такая конструкция позволяет транзистору выдерживать повышенные мощности.

В интернет-магазине «Промэлектроника» мы предлагаем к покупке IGBT транзисторы по лучшим ценам. В нашем каталоге присутствуют IGBT производства таких известных фирм, как RENESAS, Infineon, ST Microelectronics, Toshiba. В наличии БТИЗ транзисторы с максимальной рассеиваемой мощностью до 750 Вт и максимальным напряжением до 2500 В.

Купить IGBT транзисторы лучше всего на сайте интернет-магазина «Промэлектроника». Кроме того, для оформления заказа Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные IGBT транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные IGBT транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные IGBT транзисторы - от 8.38 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России и Беларуси

Посмотреть Одиночные IGBT транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

Доставка в Беларусь — компанией DPD (до терминала или курьером до адреса).

При заказе Одиночные IGBT транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"