Одиночные IGBT транзисторы

Фильтр
Фильтр
Корпус
Макс. напр. коллектор-эмиттер
Макс. ток коллектора
Импульсный ток коллектора макс.
Макс. рассеиваемая мощность
Переключаемая энергия
Одиночные IGBT транзисторы (58)
HGTP20N60A4 Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 70 А, 290 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220AB Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600V Макс. ток коллектора: 70A Импульсный ток коллектора макс.: 280A Макс. рассеиваемая мощность: 290W Переключаемая энергия: 105 µJ (on), 150 µJ (off)
IGB50N60TATMA1 Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 90 А, 333 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2PAK/TO263 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600V Макс. ток коллектора: 90A Макс. рассеиваемая мощность: 333W
IGP06N60TXKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 12 А, 88 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600V Макс. ток коллектора: 12A Макс. рассеиваемая мощность: 88W
IGW30N60H3FKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 60 А, 187 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600V Макс. ток коллектора: 60A Макс. рассеиваемая мощность: 187W
IGW75N60TFKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 150 А, 428 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600V Макс. ток коллектора: 150A Макс. рассеиваемая мощность: 428W
IKB06N60TATMA1 Trans IGBT Chip N-CH 600V 12A 88000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Производитель: Infineon Technologies Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600V Макс. ток коллектора: 12A Макс. рассеиваемая мощность: 88W
IKD03N60RFATMA1 Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 5 А, 53,6Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600V Макс. ток коллектора: 5A Макс. рассеиваемая мощность: 53.6W
IKD04N60RATMA1 Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 8 А, 75000 мВт Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600V Макс. ток коллектора: 8A Макс. рассеиваемая мощность: 75W
IKD06N60RFATMA1 Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 12 А, 100000 мВт Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600V Макс. ток коллектора: 12A Макс. рассеиваемая мощность: 100W
IKD10N60RFATMA1 Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 20 А, 150000 мВт Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600V Макс. ток коллектора: 20A Макс. рассеиваемая мощность: 150W
IKP20N60H3XKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 40 А Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600V Макс. ток коллектора: 40A Макс. рассеиваемая мощность: 170W
IKW75N60H3FKSA1 IGBT 600V 80A 428W TO247-3 Производитель: Infineon Technologies Корпус: PG-TO-247-3 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600V Макс. ток коллектора: 80A Импульсный ток коллектора макс.: 225A Макс. рассеиваемая мощность: 428W Переключаемая энергия: 3mJ (on), 1.7mJ (off)
IRG4IBC10UDPBF IGBT 600V 6.8A 25W TO220FP Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220F Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600V Макс. ток коллектора: 6.8A Импульсный ток коллектора макс.: 27A Макс. рассеиваемая мощность: 25W Переключаемая энергия: 140 µJ (on), 120 µJ (off)
IRG4PC30FPBF IGBT 600V 31A 100W TO247AC Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600V Макс. ток коллектора: 31A Импульсный ток коллектора макс.: 120A Макс. рассеиваемая мощность: 100W Переключаемая энергия: 230 µJ (on), 1.18mJ (off)
IRG4PC60FPBF IGBT 600V 90A 520W TO247AC Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600V Макс. ток коллектора: 90A Импульсный ток коллектора макс.: 360A Макс. рассеиваемая мощность: 520W Переключаемая энергия: 300Вќ µJ (on), 4.6mJ (off)
IRG4PC60UPBF IGBT 600V 75A 520W TO247AC Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600V Макс. ток коллектора: 75A Импульсный ток коллектора макс.: 300A Макс. рассеиваемая мощность: 520W Переключаемая энергия: 280 µJ (on), 1.1mJ (off)
IRGIB10B60KD1P IGBT 600V 16A 44W TO220FP Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220F Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600V Макс. ток коллектора: 16A Импульсный ток коллектора макс.: 32A Макс. рассеиваемая мощность: 44W Переключаемая энергия: 156 µJ (on), 165 µJ (off)
IRGP30B60KD-EP IGBT 600V 60A 304W TO247AD Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600V Макс. ток коллектора: 60A Импульсный ток коллектора макс.: 120A Макс. рассеиваемая мощность: 304W Переключаемая энергия: 350 µJ (on), 825 µJ (off)
IRGP4650D-EPBF IGBT 600V 76A 268W TO247AD Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247AD Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600V Макс. ток коллектора: 76A Импульсный ток коллектора макс.: 105A Макс. рассеиваемая мощность: 268W Переключаемая энергия: 390 µJ (on), 632 µJ (off)
IRGP4660D-EPBF IGBT 600V 100A 330W TO247AD Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600V Макс. ток коллектора: 100A Импульсный ток коллектора макс.: 144A Макс. рассеиваемая мощность: 330W Переключаемая энергия: 625 µJ (on), 1.28mJ (off)
На странице:

IGBT транзисторы (расшифровывается как Insulated Gate Bipolar Transistor, или «биполярный транзистор с изолированным затвором», БТИЗ транзистор) сочетают в себе два транзистора в одной полупроводниковой структуре. Эту структуру можно представить как MOSFET, управляющий биполярным транзистором. Такая конструкция позволяет транзистору выдерживать повышенные мощности.

В интернет-магазине «Промэлектроника» мы предлагаем к покупке IGBT транзисторы по лучшим ценам. В нашем каталоге присутствуют IGBT производства таких известных фирм, как RENESAS, Infineon, ST Microelectronics, Toshiba. В наличии БТИЗ транзисторы с максимальной рассеиваемой мощностью до 750 Вт и максимальным напряжением до 2500 В.

Купить IGBT транзисторы лучше всего на сайте интернет-магазина «Промэлектроника». Кроме того, для оформления заказа Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные IGBT транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные IGBT транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные IGBT транзисторы - от 8.38 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России и Беларуси

Посмотреть Одиночные IGBT транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

Доставка в Беларусь — компанией DPD (до терминала или курьером до адреса).

При заказе Одиночные IGBT транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"