Одиночные IGBT транзисторы

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные IGBT транзисторы (20)

IKW40N120H3FKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 80 А, 483 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: PG-TO-247-3 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 1200 В Макс. ток коллектора: 80 А Импульсный ток коллектора макс.: 160 А Макс. рассеиваемая мощность: 483 Вт Переключаемая энергия: 4.4 мДж

Наличие:

632 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 462,08₽

IRG4BC40UPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 40 А, 160 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 40 А Импульсный ток коллектора макс.: 160 А Макс. рассеиваемая мощность: 160 Вт Переключаемая энергия: 320 мкДж

Наличие:

429 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 249,12₽

IRG4BC40WPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 40 А, 160 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 40 А Импульсный ток коллектора макс.: 160 А Макс. рассеиваемая мощность: 160 Вт Переключаемая энергия: 110 мкДж

Наличие:

195 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 195,55₽

Акция

IRG4PC40UPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 40 А, 160 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247AC Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 40 А Импульсный ток коллектора макс.: 160 А Макс. рассеиваемая мощность: 160 Вт Переключаемая энергия: 320 мкДж

Наличие:

8 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 450,19₽

IRG4PC40WPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 40 А, 160 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247AC Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 40 А Импульсный ток коллектора макс.: 160 А Макс. рассеиваемая мощность: 160 Вт Переключаемая энергия: 110 мкДж

Наличие:

305 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

235 шт

Цена от:

от 700,74₽

STGW40V60DF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 80 А, 283 Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 80 А Импульсный ток коллектора макс.: 160 А Макс. рассеиваемая мощность: 283 Вт Переключаемая энергия: 456 мкДж

Наличие:

6 шт

Под заказ:

210 шт

Цена от:

от 512,32₽

FGH40T120SMD Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 80 А, 555 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 1200 В Макс. ток коллектора: 80 А Импульсный ток коллектора макс.: 160 А Макс. рассеиваемая мощность: 555 Вт Переключаемая энергия: 2.7 мДж

Сообщить о поступлении

FGL40N120ANTU Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 64 А, 500 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-264 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 1200 В Макс. ток коллектора: 64 А Импульсный ток коллектора макс.: 160 А Макс. рассеиваемая мощность: 500 Вт Переключаемая энергия: 2.3 мДж

Сообщить о поступлении

IKW40N120T2FKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 75 А, 480 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: PG-TO-247-3 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 1200 В Макс. ток коллектора: 75 А Импульсный ток коллектора макс.: 160 А Макс. рассеиваемая мощность: 480 Вт Переключаемая энергия: 5.25 мДж

Сообщить о поступлении

IRG4PC40UDPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 40 А, 160 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247AC Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 40 А Импульсный ток коллектора макс.: 160 А Макс. рассеиваемая мощность: 160 Вт Переключаемая энергия: 710 мкДж

Сообщить о поступлении

IRG7PH46UD-EP Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 108 А, 390 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247AD Макс. напр. коллектор-эмиттер: 1200 В Макс. ток коллектора: 40 А Импульсный ток коллектора макс.: 160 А Макс. рассеиваемая мощность: 390 Вт Переключаемая энергия: 2.61 мДж

Сообщить о поступлении

IRG7PH46UDPBF Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 40 А, 390 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 1200 В Макс. ток коллектора: 40 А Импульсный ток коллектора макс.: 160 А Макс. рассеиваемая мощность: 390 Вт Переключаемая энергия: 2.61 мДж

Сообщить о поступлении

IRG7PH46UPBF Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 130 А, 469 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 1200 В Макс. ток коллектора: 130 А Импульсный ток коллектора макс.: 160 А Макс. рассеиваемая мощность: 469 Вт Переключаемая энергия: 2.56 мДж

Сообщить о поступлении

Акция

IRGPS40B120UDP Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 40 А, 595 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: Super-247 (TO-274AA) Макс. напр. коллектор-эмиттер: 1200 В Макс. ток коллектора: 80 А Импульсный ток коллектора макс.: 160 А Макс. рассеиваемая мощность: 595 Вт Переключаемая энергия: 1.4 мДж

Сообщить о поступлении

Акция

IRGPS40B120UPBF Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 80 А, 595 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: Super-247 (TO-274AA) Макс. напр. коллектор-эмиттер: 1200 В Макс. ток коллектора: 80 А Импульсный ток коллектора макс.: 160 А Макс. рассеиваемая мощность: 595 Вт Переключаемая энергия: 1.4 мДж

Сообщить о поступлении

STGP40V60F Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 80 А, 283Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220AB Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 80 А Импульсный ток коллектора макс.: 160 А Макс. рассеиваемая мощность: 283 Вт Переключаемая энергия: 456 мкДж

Сообщить о поступлении

STGW40H120DF2 Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 40 А, 468 Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 1200 В Макс. ток коллектора: 80 А Импульсный ток коллектора макс.: 160 А Макс. рассеиваемая мощность: 468 Вт Переключаемая энергия: 1 мДж

Сообщить о поступлении

STGW40H65DFB Биполярный транзистор IGBT, 650 В, 80 А, 283 Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 650 В Макс. ток коллектора: 80 А Импульсный ток коллектора макс.: 160 А Макс. рассеиваемая мощность: 283 Вт Переключаемая энергия: 498 мкДж

Сообщить о поступлении

STGW40V60F Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 80 А, 283 Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 80 А Импульсный ток коллектора макс.: 160 А Макс. рассеиваемая мощность: 283 Вт Переключаемая энергия: 456 мкДж

Сообщить о поступлении

STGWT40H65DFB Биполярный транзистор IGBT, 650 В, 80 А, 283 Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-3P Макс. напр. коллектор-эмиттер: 650 В Макс. ток коллектора: 80 А Импульсный ток коллектора макс.: 160 А Макс. рассеиваемая мощность: 283 Вт Переключаемая энергия: 498 мкДж

Сообщить о поступлении

IGBT транзисторы (расшифровывается как Insulated Gate Bipolar Transistor, или «биполярный транзистор с изолированным затвором», БТИЗ транзистор) сочетают в себе два транзистора в одной полупроводниковой структуре. Эту структуру можно представить как MOSFET, управляющий биполярным транзистором. Такая конструкция позволяет транзистору выдерживать повышенные мощности.

В интернет-магазине «Промэлектроника» мы предлагаем к покупке IGBT транзисторы по лучшим ценам. В нашем каталоге присутствуют IGBT производства таких известных фирм, как RENESAS, Infineon, ST Microelectronics, Toshiba. В наличии БТИЗ транзисторы с максимальной рассеиваемой мощностью до 750 Вт и максимальным напряжением до 2500 В.

Купить IGBT транзисторы лучше всего на сайте интернет-магазина «Промэлектроника». Кроме того, для оформления заказа Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные IGBT транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные IGBT транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные IGBT транзисторы - от 8.38 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России и Беларуси

Посмотреть Одиночные IGBT транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

Доставка в Беларусь — компанией DPD (до терминала или курьером до адреса).

При заказе Одиночные IGBT транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"