Одиночные IGBT транзисторы Infineon Technologies

357
Производитель: Infineon Technologies
Фильтр
Корпус
Макс. напр. коллектор-эмиттер
Макс. ток коллектора
Импульсный ток коллектора макс.
Макс. рассеиваемая мощность
Переключаемая энергия
Одиночные IGBT транзисторы (357)
IKA08N65H5XKSA1 IKA08N65H5XKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 650 В, 10.8 А, 31.2 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
PG-TO-247-3
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
650 В
Макс. ток коллектора:
10.8 А
Импульсный ток коллектора макс.:
24 А
Макс. рассеиваемая мощность:
31.2 Вт
Переключаемая энергия:
70 мкДж
IKA10N65ET6XKSA2 IKA10N65ET6XKSA2 Транзистор биполярный с изолированным затвором IGBT 650В 15A TO220-3
Производитель:
Infineon Technologies
IKA15N65ET6XKSA2 IKA15N65ET6XKSA2 Trans IGBT Chip N-CH 650V 17A 45000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Производитель:
Infineon Technologies
IKB03N120H2ATMA1
Производитель:
Infineon Technologies
IKB06N60TATMA1 IKB06N60TATMA1 Транзистор биполярный с изолированным затвором IGBT 600В 12A 88Вт автомобильного применения 3-Pin(2+Tab) D2PAK лента на катушке
Производитель:
Infineon Technologies
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600V
Макс. ток коллектора:
12A
Макс. рассеиваемая мощность:
88W
IKB10N60TATMA1 IKB10N60TATMA1 Транзистор биполярный с изолированным затвором IGBT 600В 20A 110Вт автомобильного применения 3-Pin(2+Tab) D2PAK лента на катушке
Производитель:
Infineon Technologies
IKB15N65EH5ATMA1 IKB15N65EH5ATMA1 IGBT, 650V, 30A, 175DEG C, 105W;
Производитель:
Infineon Technologies
IKB20N60TATMA1 IKB20N60TATMA1 Транзистор биполярный с изолированным затвором IGBT 600В 40A 166Вт TO263-3
Производитель:
Infineon Technologies
IKB40N65ES5ATMA1 IKB40N65ES5ATMA1 IGBT, SINGLE, 650V, 79A, TO-263; DC Collector Current:79A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):1.35V; Power Dissipation Pd:230W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:650V; Transistor Case Style:TO-263; No. of Pins
Производитель:
Infineon Technologies
IKD03N60RFATMA1 IKD03N60RFATMA1 Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 5 А, 53,6Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600V
Макс. ток коллектора:
5A
Макс. рассеиваемая мощность:
53.6W
IKD04N60RATMA1 IKD04N60RATMA1 Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 8 А, 75000 мВт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600V
Макс. ток коллектора:
8A
Макс. рассеиваемая мощность:
75W
IKD06N60RATMA1 IKD06N60RATMA1 Транзистор биполярный с изолированным затвором IGBT 600В 12A 100Вт автомобильного применения 3-Pin(2+Tab) DPAK
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
PG-TO252-3
IKD06N60RFATMA1 IKD06N60RFATMA1 Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 12 А, 100000 мВт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600V
Макс. ток коллектора:
12A
Макс. рассеиваемая мощность:
100W
IKD10N60RFATMA1 IKD10N60RFATMA1 Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 20 А, 150000 мВт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600V
Макс. ток коллектора:
20A
Макс. рассеиваемая мощность:
150W
IKP06N60TXKSA1 IKP06N60TXKSA1 Транзистор биполярный с изолированным затвором IGBT 600В 12A 88Вт автомобильного применения 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
PG-TO220-3
IKP08N65F5XKSA1 IKP08N65F5XKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 650 В, 18 А, 70 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
PG-TO-247-3
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
650 В
Макс. ток коллектора:
18 А
Импульсный ток коллектора макс.:
24 А
Макс. рассеиваемая мощность:
70 Вт
Переключаемая энергия:
70 мкДж
IKP08N65H5XKSA1 IKP08N65H5XKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 650 В, 18 А, 70 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
PG-TO-247-3
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
650 В
Макс. ток коллектора:
18 А
Импульсный ток коллектора макс.:
24 А
Макс. рассеиваемая мощность:
70 Вт
Переключаемая энергия:
70 мкДж
IKP10N60TXKSA1 IKP10N60TXKSA1 IGBT, N, 600V, 10A, TO-220; DC Collector Current:20A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):2.05V; Power Dissipation Pd:110W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:600V; Transistor Case Style:TO-220; No. of Pins:3Pin
Производитель:
Infineon Technologies
IKP15N60TXKSA1 IKP15N60TXKSA1 Транзистор биполярный с изолированным затвором IGBT 600В 30A 130Вт TO220-3
Производитель:
Infineon Technologies
IKP15N65F5XKSA1 IKP15N65F5XKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 650 В, 30 А, 105 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
PG-TO220-3
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
650 В
Макс. ток коллектора:
30 А
Импульсный ток коллектора макс.:
45 А
Макс. рассеиваемая мощность:
105 Вт
Переключаемая энергия:
130 мкДж
На странице:

IGBT транзисторы (расшифровывается как Insulated Gate Bipolar Transistor, или «биполярный транзистор с изолированным затвором», БТИЗ транзистор) сочетают в себе два транзистора в одной полупроводниковой структуре. Эту структуру можно представить как MOSFET, управляющий биполярным транзистором. Такая конструкция позволяет транзистору выдерживать повышенные мощности.

В интернет-магазине «Промэлектроника» мы предлагаем к покупке IGBT транзисторы по лучшим ценам. В нашем каталоге присутствуют IGBT производства таких известных фирм, как RENESAS, Infineon, ST Microelectronics, Toshiba. В наличии БТИЗ транзисторы с максимальной рассеиваемой мощностью до 750 Вт и максимальным напряжением до 2500 В.

Купить IGBT транзисторы лучше всего на сайте интернет-магазина «Промэлектроника». Кроме того, для оформления заказа Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные IGBT транзисторы Infineon Technologies

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные IGBT транзисторы Infineon Technologies в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные IGBT транзисторы Infineon Technologies - от 17.77 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные IGBT транзисторы Infineon Technologies в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные IGBT транзисторы Infineon Technologies в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"