Одиночные IGBT транзисторы ON Semiconductor

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные IGBT транзисторы (113)

HGTG40N60A4 Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 75 А, 625Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-247

Сообщить о поступлении

HGTG5N120BND Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 21 А, 167 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-247

Сообщить о поступлении

Акция

HGTP10N120BN Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 35 А, 298 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220AB Макс. напр. коллектор-эмиттер: 1200 В Макс. ток коллектора: 35 А Импульсный ток коллектора макс.: 80 А Макс. рассеиваемая мощность: 298 Вт Переключаемая энергия: 320 мкДж

Сообщить о поступлении

Акция

HGTP12N60A4D Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 54 А, 167 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220

Сообщить о поступлении

HGTP12N60C3D Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 24 А, 104 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220AB Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 24 А Импульсный ток коллектора макс.: 96 А Макс. рассеиваемая мощность: 104 Вт Переключаемая энергия: 380 мкДж

Сообщить о поступлении

Акция

HGTP14N36GVL Биполярный транзистор IGBT, 390 В, 14 А, 100 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220

Сообщить о поступлении

HGTP20N60A4 Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 70 А, 290 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220AB Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600V Макс. ток коллектора: 70A Импульсный ток коллектора макс.: 280A Макс. рассеиваемая мощность: 290W Переключаемая энергия: 105 µJ (on), 150 µJ (off)

Сообщить о поступлении

HGTP3N60A4 IGBT 600V 17A 70W TO220AB Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220

Сообщить о поступлении

ISL9V2040D3ST Биполярный транзистор IGBT, 430 В, 10 А, 130 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Макс. напр. коллектор-эмиттер: 430V Макс. ток коллектора: 10A Макс. рассеиваемая мощность: 130W

Сообщить о поступлении

ISL9V3040D3ST Биполярный транзистор IGBT, 430 В, 21 А, 150 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Макс. напр. коллектор-эмиттер: 430V Макс. ток коллектора: 21A Макс. рассеиваемая мощность: 150W

Сообщить о поступлении

ISL9V3040P3 Биполярный транзистор IGBT, 430 В, 21 А, 150 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220AB Макс. напр. коллектор-эмиттер: 430V Макс. ток коллектора: 21A Макс. рассеиваемая мощность: 150W

Сообщить о поступлении

ISL9V3040S3ST Биполярный транзистор IGBT, 430 В, 21 А, 150 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: D2Pak (TO-263) Макс. напр. коллектор-эмиттер: 430V Макс. ток коллектора: 21A Макс. рассеиваемая мощность: 150W

Сообщить о поступлении

ISL9V5036S3ST Биполярный транзистор IGBT, 390 В, 46 А, 250 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: D2PAK/TO263 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 390V Макс. ток коллектора: 46A Макс. рассеиваемая мощность: 250W

Сообщить о поступлении

ISL9V5045S3ST Биполярный транзистор IGBT, 480 В, 51 А, 300 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: D2PAK/TO263 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 480V Макс. ток коллектора: 51A Макс. рассеиваемая мощность: 300W

Сообщить о поступлении

NGTB03N60R2DT4G Trans IGBT Chip N-CH 600V 9A 49000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA

Сообщить о поступлении

NGTB15N60S1EG Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 30 А, 117 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 30 А Импульсный ток коллектора макс.: 120 А Макс. рассеиваемая мощность: 117 Вт Переключаемая энергия: 550 мкДж

Сообщить о поступлении

Акция

NGTB30N120IHSWG Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 30 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 1200V Макс. ток коллектора: 30A Переключаемая энергия: 1 мДж

Сообщить о поступлении

NGTB35N65FL2WG Биполярный транзистор IGBT, 650 В, 70 А, 300 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 650 В Макс. ток коллектора: 70 А Импульсный ток коллектора макс.: 120 А Макс. рассеиваемая мощность: 300 Вт Переключаемая энергия: 840 мкДж

Сообщить о поступлении

NGTB40N120FL2WG Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 80 А, 535 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 1200 В Макс. ток коллектора: 80 А Импульсный ток коллектора макс.: 200 А Макс. рассеиваемая мощность: 535 Вт Переключаемая энергия: 3.4 мДж

Сообщить о поступлении

NGTB40N120FL3WG Trans IGBT Chip N-CH 1200V 160A 454000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Производитель: ON Semiconductor Макс. напр. коллектор-эмиттер: 1200V Макс. ток коллектора: 160A Макс. рассеиваемая мощность: 454W

Сообщить о поступлении