Одиночные IGBT транзисторы ON Semiconductor
156
Производитель:
ON Semiconductor
FGA15N120ANTDTU_F109
Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 30 А, 186 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-3P(N)
FGA20N120FTDTU
Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 40 А, 298 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-3P(N)
FGA20S125P-SN00336
Биполярный транзистор IGBT, 1250 В, 40 А, 250 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-3P(N)
FGA20S140P
Биполярный транзистор IGBT, 1400 В, 40 А, 272 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-3P
FGA25N120ANTDTU
Биполярный транзистор 1200 В, 25 А, 312 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-3P(N)
FGA25N120ANTDTU-F109
Транзистор биполярный с изолированным затвором (IGBT) Copak Discrete
Производитель:
ON Semiconductor
FGA25S125P
Биполярный транзистор IGBT, 1250 В, 50 А, 250 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-3P(N)
FGA50N100BNTD2
Биполярный транзистор IGBT, 1000 В, 50 А, 156 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-3P(N)
FGA60N60UFDTU
Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 120 А, 298 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-3P(N)
FGA6560WDF
Trans IGBT Chip N-CH 650V 120A 306000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-3P
FGA90N33ATDTU
Биполярный транзистор IGBT, 330 В, 90 А, 223 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-3P
FGAF20N60SMD
Транзистор биполярный с изолированным затвором (IGBT) 600 В 40 A 62.5 W
Производитель:
ON Semiconductor
FGAF40N60SMD
Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 80 А, 79 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-3PF
FGB20N60SF
Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 40 А, 208 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
D2Pak (TO-263)
FGB3040CS
Биполярный транзистор IGBT, 430 В, 21 А, 150 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-263AB
Сообщите мне о поступлении товара
