Одиночные IGBT транзисторы ON Semiconductor

156
Производитель: ON Semiconductor
Фильтр
Корпус
Макс. напр. коллектор-эмиттер
Макс. ток коллектора
Импульсный ток коллектора макс.
Макс. рассеиваемая мощность
Переключаемая энергия
Одиночные IGBT транзисторы (156)
FGHL50T65SQ FGHL50T65SQ Биполярный транзистор IGBT, 650 В, 50 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-247-3
FGHL60T120RWD FGHL60T120RWD IGBT, SINGLE, 1.2KV, 120A, TO-247;
Производитель:
ON Semiconductor
FGL40N120ANDTU FGL40N120ANDTU Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 64 А, 500 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-264
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200V
Макс. ток коллектора:
64A
Макс. рассеиваемая мощность:
500W
FGL40N120ANTU FGL40N120ANTU Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 64 А, 500 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO264
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200 В
Макс. ток коллектора:
64 А
Импульсный ток коллектора макс.:
160 А
Макс. рассеиваемая мощность:
500 Вт
Переключаемая энергия:
2.3 мДж
FGL60N100BNTDTU FGL60N100BNTDTU Биполярный транзистор IGBT, 1000 В, 60 А, 180 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO264
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1000 В
Макс. ток коллектора:
60 А
Импульсный ток коллектора макс.:
120 А
Макс. рассеиваемая мощность:
180 Вт
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
1 шт
Цена от:
от 3 681,40
FGP10N60UNDF FGP10N60UNDF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 20 А, 139 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220-3
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
20 А
Импульсный ток коллектора макс.:
30 А
Макс. рассеиваемая мощность:
139 Вт
Переключаемая энергия:
150 мкДж
FGP15N60UNDF FGP15N60UNDF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 30 А, 178 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220-3
Новинка
FGP20N60UFD FGP20N60UFD Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 40 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
FGP20N60UFDTU FGP20N60UFDTU Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 40 А, 165 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
FGP3440G2-F085 FGP3440G2-F085
Производитель:
ON Semiconductor
FGPF4533 FGPF4533 Биполярный транзистор IGBT, 330 В, 50 А/200 А, 28 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220F
FGPF4533TU FGPF4533TU Биполярный транзистор IGBT, 330 В, 50 А/200 А, 28 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220F
FGPF4536 FGPF4536 Биполярный транзистор IGBT, 230 В, 50 А, 30 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220F
FGPF4536 FGPF4536 Биполярный транзистор IGBT, 230 В, 50 А, 30 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220F
FGPF4633TU FGPF4633TU Биполярный транзистор IGBT, 330 В, 70 А, 30 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220F
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
330V
Макс. ток коллектора:
70A
Макс. рассеиваемая мощность:
30W
Акция
FGT313 FGT313 Биполярный транзистор IGBT, 330 В, 30 А/200 А, 35 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220F
FGY100T120RWD FGY100T120RWD IGBT, 1.43V, 200A, TO-247;
Производитель:
ON Semiconductor
FGY100T120SWD 866W 1.2kV FS (Field Stop) TO-247-3LD Single IGBTs RoHS
Производитель:
ON Semiconductor
FGY160T65SPD-F085 FGY160T65SPD-F085 IGBT, SINGLE, N-CH, 650V, 240A, TO-247-3; DC Collector Current:240A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):1.6V; Power Dissipation Pd:882W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:650V; Transistor Case Style:TO-247; No
Производитель:
ON Semiconductor
FGY75N60SMD FGY75N60SMD Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 150 А, 750 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
Power-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
150 А
Импульсный ток коллектора макс.:
225 А
Макс. рассеиваемая мощность:
750 Вт
Переключаемая энергия:
2.3 мДж
На странице: