IGBT (БТИЗ) транзисторы

Новинки

Новинка
IGW20N60H3FKSA1
Наличие:
235 шт
Под заказ:
0 шт
Цена от: 385,43
Новинка
IKA10N60TXKSA1
Наличие:
146 шт
Под заказ:
1 420 шт
Цена от: 121,33
Новинка
IKZA75N65SS5XKSA1
Наличие:
17 шт
Под заказ:
0 шт
Цена от: 2 095,73
Новинка
DG50Q12T2
Наличие:
20 шт
Под заказ:
580 шт
Цена от: 573,30
Новинка
DG40X12T2
Наличие:
42 шт
Под заказ:
3 764 шт
Цена от: 286,45
Новинка
STGF15H60DF
Наличие:
192 шт
Под заказ:
0 шт
Цена от: 97,93
Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
(527)
IHW20N135R5XKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 1350 В, 40 А, 288 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: PG-TO-247-3 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 1350V Макс. ток коллектора: 40A Импульсный ток коллектора макс.: 60A Макс. рассеиваемая мощность: 288W Переключаемая энергия: 950 µJ (off)
Наличие:
318 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 192,15
IHW30N120R5XKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 60 А, 330 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247
Наличие:
190 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 643,83
IHW30N160R2FKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 1600 В, 30 А, 310 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 1600V Макс. ток коллектора: 30A Макс. рассеиваемая мощность: 310W
Наличие:
17 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 2 165,99
IHW30N160R5XKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 1600 В, 30 А, 310 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: PG-TO247-3-46 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 1600 В Макс. ток коллектора: 30 А Макс. рассеиваемая мощность: 310 Вт
Наличие:
779 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 364,51
IHW40N120R5XKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 80 А 394 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: PG-TO-247-3
Наличие:
129 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 650,17
IHW40N135R5XKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 80 А 394 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: PG-TO-247-3
Наличие:
32 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 394,05
IKQ50N120CH3XKSA1 Транзистор IGBT 1200В 100A 652Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247
Наличие:
42 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 1 149,23
IKW08T120FKSA1 Транзистор биполярный с изолированным затвором низкая потеря встроенный диод 1200В 8А Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 1200V Макс. ток коллектора: 8A
Наличие:
124 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 226,15
IKW15N120H3FKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 30 А, 217 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: PG-TO-247-3 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 1200 В Макс. ток коллектора: 30 А Импульсный ток коллектора макс.: 60 А Макс. рассеиваемая мощность: 217 Вт Переключаемая энергия: 1.55 мДж
Наличие:
292 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 310,26
IKW25N120H3FKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 50 А, 326 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: PG-TO-247-3 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 1200 В Макс. ток коллектора: 50 А Импульсный ток коллектора макс.: 100 А Макс. рассеиваемая мощность: 326 Вт Переключаемая энергия: 2.65 мДж
Наличие:
222 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 296,12
IKW25N120T2FKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 50 А, 349 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: PG-TO-247-3 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 1200 В Макс. ток коллектора: 50 А Импульсный ток коллектора макс.: 100 А Макс. рассеиваемая мощность: 349 Вт Переключаемая энергия: 2.9 мДж
Наличие:
288 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 352,36
IKW25T120FKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 50 А, 190 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: PG-TO-247-3 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 1200 В Макс. ток коллектора: 50 А Импульсный ток коллектора макс.: 75 А Макс. рассеиваемая мощность: 190 Вт Переключаемая энергия: 4.2 мДж
Наличие:
44 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 753,21
IKW30N60DTPXKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 30А, 200 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: PG-TO247-3-46
Наличие:
90 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 627,62
IKW30N60H3FKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 60А, 187 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: PG-TO-247-3 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600V Макс. ток коллектора: 60A Макс. рассеиваемая мощность: 187W
Наличие:
572 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 154,56
IKW30N60TFKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 60 А, 187 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: PG-TO-247-3 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600V Макс. ток коллектора: 60A Макс. рассеиваемая мощность: 187W
Наличие:
75 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 245,04
IKW40N60H3FKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 80 А, 306 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: PG-TO-247-3
Наличие:
290 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 303,56
IKW40N65H5FKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 650 В, 74 А, 255 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: PG-TO-247-3 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 650 В Макс. ток коллектора: 74 А Импульсный ток коллектора макс.: 120 А Макс. рассеиваемая мощность: 255 Вт Переключаемая энергия: 390 мкДж
Наличие:
276 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 243,11
IKW40T120FKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 40 А, 270 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: PG-TO247-3-46 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 1200V Макс. ток коллектора: 40A
Наличие:
28 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 1 319,92
IKW50N60H3FKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 100 А, 333 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: PG-TO-247-3 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 100 А Импульсный ток коллектора макс.: 200 А Макс. рассеиваемая мощность: 333 Вт Переключаемая энергия: 2.36 мДж
Наличие:
1 362 шт

Под заказ:
1 920 шт
Цена от:
от 278,16
IKW50N60TFKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 80 А, 333 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: PG-TO-247-3 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600V Макс. ток коллектора: 80A Макс. рассеиваемая мощность: 333W
Наличие:
583 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 367,51
На странице:

Биполярный транзистор с изолированным затвором, по сути, представляет собой каскадное включение двух транзисторов полевого на входе и биполярного на выходе, применяется, в основном, как мощный ключ в импульсных источниках питания, инверторах и системах управления электрическим приводом.

БТИЗ транзисторы

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (сокращенно — БТИЗ, на английском языке — IGBT) — силовой трехэлектродный полупроводниковый прибор, сочетающий в себе два транзистора на основе одной полупроводниковой структуры. Как правило, он используется в качестве мощного электронного ключа в импульсных источниках питания, а также инверторах. Широкое применение они также нашли в системах управления электрическими приводами, импульсных регуляторах тока, частотно-регулируемых приводах.

Характеристики

Любой электронный прибор, в том числе биполярные транзисторы с изолированным затвором выбирается на основе технических характеристик, которыми он обладает для того, чтобы реализовать возложенные на него задачи. В частности, для БТИЗ транзисторов важными характеристиками являются мощность, рабочее напряжение, рабочая температура, ток, частота. Соответственно, конкретную модель следует выбирать на основании информации из справочника. Кроме этого, можно воспользоваться каталогом на сайте группы компаний «Промэлектроника», где в широком ассортименте представлены биполярные транзисторы с изолированным затвором. Здесь вы можете недорого купить IGBT транзисторы.

Преимущества компании

Группа компаний «Промэлектроника» обладает следующими преимуществами:

  • большой выбор БТИЗ транзисторов, а также другой техники и элементов для производства электронного оборудования;
  • доставка по территории Российской Федерации;
  • продажа товаров оптом и в розницу;
  • помощь в подборе оборудования;
  • гарантия производителя на все представленные товары;
  • различные формы оплаты;
  • приемлемые цены.

Сделайте заказ по телефону, указанному на сайте. В случае возникновения затруднений менеджеры помогут вам.

Цена на IGBT (БТИЗ) транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить IGBT (БТИЗ) транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на IGBT (БТИЗ) транзисторы - от 8.38 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России и Беларуси

Посмотреть IGBT (БТИЗ) транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку во все регионы России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

Доставка в Беларусь — компанией DPD (до терминала или курьером до адреса).

При заказе IGBT (БТИЗ) транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"