IGBT (БТИЗ) транзисторы

1832

Новинки

Новинка
STGW19NC60HD
STGW19NC60HD
Наличие:
130 шт
Под заказ:
40 шт
Цена от: 304,77
Новинка
IKW30N65H5XKSA1
IKW30N65H5XKSA1
Наличие:
46 шт
Под заказ:
115 шт
Цена от: 213,38
Новинка
DG15X12T2
DG15X12T2
Наличие:
65 шт
Под заказ:
1 911 шт
Цена от: 104,78
Новинка
DG15X06T1
DG15X06T1
Наличие:
202 шт
Под заказ:
765 шт
Цена от: 28,09
Новинка
DG10X06T1
DG10X06T1
Наличие:
8 шт
Под заказ:
1 276 шт
Цена от: 78,43
Новинка
GD150HFX65C1S
GD150HFX65C1S
Наличие:
5 шт
Под заказ:
121 шт
Цена от: 2 161,80
Фильтр
Производители
Корпус
(1832)
STGD3NB60SDT4 STGD3NB60SDT4 Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 3 А, 48 Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
DPAK
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
6 А
Импульсный ток коллектора макс.:
25 А
Макс. рассеиваемая мощность:
48 Вт
Переключаемая энергия:
1.15 мДж
Наличие:
291 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 79,18
IKW40N120T2FKSA1 IKW40N120T2FKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 75 А, 480 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
PG-TO-247-3
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200 В
Макс. ток коллектора:
75 А
Импульсный ток коллектора макс.:
160 А
Макс. рассеиваемая мощность:
480 Вт
Переключаемая энергия:
5.25 мДж
Наличие:
278 шт

Внешние склады:
405 шт
Цена от:
от 300,48
STGF6NC60HD STGF6NC60HD Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 3 А, 20W
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220F
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
6 А
Импульсный ток коллектора макс.:
21 А
Макс. рассеиваемая мощность:
20 Вт
Переключаемая энергия:
20 мкДж
Наличие:
265 шт

Внешние склады:
200 шт
Цена от:
от 94,15
IKW50N60TFKSA1 IKW50N60TFKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 80 А, 333 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
PG-TO-247-3
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600V
Макс. ток коллектора:
80A
Макс. рассеиваемая мощность:
333W
Наличие:
262 шт

Внешние склады:
100 шт
Цена от:
от 350,06
IRGP4640DPBF IRGP4640DPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 65 А, 250 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
65 А
Импульсный ток коллектора макс.:
72 А
Макс. рассеиваемая мощность:
250 Вт
Переключаемая энергия:
115 мкДж
Наличие:
261 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 461,48
SKM150GB12T4 SKM150GB12T4 Биполярный транзистор IGBT
Производитель:
Semikron Elektronik GmbH
Корпус:
SEMITRANS® 2 Case A-12
Напряжение коллектор-эмиттер:
1200В
Ток коллектора:
232А
Наличие:
260 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
1 шт
Цена от:
от 5 285,57
STGW30V60DF STGW30V60DF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 60 А, 258 Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
60 А
Импульсный ток коллектора макс.:
120 А
Макс. рассеиваемая мощность:
258 Вт
Переключаемая энергия:
383 мкДж
Наличие:
240 шт

Внешние склады:
100 шт
Цена от:
от 200,76
DG20X06T2 DG20X06T2 Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 20 А
Производитель:
STARPOWER Semiconductor Ltd.
Корпус:
TO-247
Наличие:
239 шт

Внешние склады:
1 200 шт
Цена от:
от 157,74
Акция
STGF14NC60KD STGF14NC60KD Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 11 А, 28 Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220F
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
11 А
Импульсный ток коллектора макс.:
50 А
Макс. рассеиваемая мощность:
28 Вт
Переключаемая энергия:
82 мкДж
Наличие:
226 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 105,48
DG40F12T2 DG40F12T2 Биполярный транзистор IGBT 1200В 80А 487Вт TO-247
Производитель:
STARPOWER Semiconductor Ltd.
Корпус:
TO-247
Наличие:
218 шт

Внешние склады:
2 540 шт
Цена от:
от 282,21
-5% Акция
IGW20N60H3FKSA1 IGW20N60H3FKSA1 Биполярный транзистор IGBT 600В 20А TO-247
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
PG-TO247-3-46
Наличие:
215 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 255,12
IHW30N135R5XKSA1 IHW30N135R5XKSA1 Транзистор IGBT, TRENCHSTOP, 1350В, 30А [PG-TO247-3]
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247
Наличие:
211 шт

Внешние склады:
715 шт
Цена от:
от 192,49
-5% Акция
STGP7NC60HD STGP7NC60HD Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 14 А, 80 Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
25 А
Импульсный ток коллектора макс.:
50 А
Макс. рассеиваемая мощность:
80 Вт
Переключаемая энергия:
95 мкДж
Наличие:
205 шт

Внешние склады:
310 шт
Цена от:
от 139,94
Новинка
DG15X06T1 DG15X06T1 Транзистор биполярный IGBT со встроенным диодом 600В/15А
Производитель:
STARPOWER Semiconductor Ltd.
Корпус:
TO-220
Наличие:
202 шт

Внешние склады:
765 шт
Цена от:
от 28,09
STGB10NB37LZT4 STGB10NB37LZT4 Биполярный транзистор IGBT, 440 В, 20 А, 125 Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
440 В
Макс. ток коллектора:
20 А
Импульсный ток коллектора макс.:
40 А
Макс. рассеиваемая мощность:
125 Вт
Переключаемая энергия:
2.4 мДж
Наличие:
200 шт

Внешние склады:
10 шт
Цена от:
от 231,88
IKW40N65ES5XKSA1 IKW40N65ES5XKSA1 Транзистор IGBT, 650В, 50А, 115Вт, TO247-3
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
PG-TO247-3
Наличие:
199 шт

Внешние склады:
510 шт
Цена от:
от 131,91
IRG4BC30UPBF IRG4BC30UPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 12 А, 100 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
23 А
Импульсный ток коллектора макс.:
92 А
Макс. рассеиваемая мощность:
100 Вт
Переключаемая энергия:
160 мкДж
Наличие:
198 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 213,62
-5% Акция
IRGB4630DPBF IRGB4630DPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 47 А, 206 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AC
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
47 А
Импульсный ток коллектора макс.:
54 А
Макс. рассеиваемая мощность:
206 Вт
Переключаемая энергия:
95 мкДж
Наличие:
198 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 239,75
FGH40N60SMD FGH40N60SMD Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 40 А, 290 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
80 А
Импульсный ток коллектора макс.:
120 А
Макс. рассеиваемая мощность:
349 Вт
Переключаемая энергия:
870 мкДж
Наличие:
193 шт

Внешние склады:
65 шт
Аналоги:
70 шт
Цена от:
от 295,70
FF150R12RT4HOSA1 FF150R12RT4HOSA1 Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 150 А, 790 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
34 mm
Наличие:
191 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 6 439,57
На странице:

Биполярный транзистор с изолированным затвором, по сути, представляет собой каскадное включение двух транзисторов полевого на входе и биполярного на выходе, применяется, в основном, как мощный ключ в импульсных источниках питания, инверторах и системах управления электрическим приводом.

БТИЗ транзисторы

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (сокращенно — БТИЗ, на английском языке — IGBT) — силовой трехэлектродный полупроводниковый прибор, сочетающий в себе два транзистора на основе одной полупроводниковой структуры. Как правило, он используется в качестве мощного электронного ключа в импульсных источниках питания, а также инверторах. Широкое применение они также нашли в системах управления электрическими приводами, импульсных регуляторах тока, частотно-регулируемых приводах.

Характеристики

Любой электронный прибор, в том числе биполярные транзисторы с изолированным затвором выбирается на основе технических характеристик, которыми он обладает для того, чтобы реализовать возложенные на него задачи. В частности, для БТИЗ транзисторов важными характеристиками являются мощность, рабочее напряжение, рабочая температура, ток, частота. Соответственно, конкретную модель следует выбирать на основании информации из справочника. Кроме этого, можно воспользоваться каталогом на сайте группы компаний «Промэлектроника», где в широком ассортименте представлены биполярные транзисторы с изолированным затвором. Здесь вы можете недорого купить IGBT транзисторы.

Преимущества компании

Группа компаний «Промэлектроника» обладает следующими преимуществами:

  • большой выбор БТИЗ транзисторов, а также другой техники и элементов для производства электронного оборудования;
  • доставка по территории Российской Федерации;
  • продажа товаров оптом и в розницу;
  • помощь в подборе оборудования;
  • гарантия производителя на все представленные товары;
  • различные формы оплаты;
  • приемлемые цены.

Сделайте заказ по телефону, указанному на сайте. В случае возникновения затруднений менеджеры помогут вам.

Цена на IGBT (БТИЗ) транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить IGBT (БТИЗ) транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на IGBT (БТИЗ) транзисторы - от 17.77 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть IGBT (БТИЗ) транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку во все регионы России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе IGBT (БТИЗ) транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"