IGBT (БТИЗ) транзисторы

1827

Новинки

Новинка
HGTG30N60A4D
HGTG30N60A4D
Наличие:
1 шт
Под заказ:
0 шт
Цена от: 263,40
Новинка
IKW30N65H5XKSA1
IKW30N65H5XKSA1
Наличие:
46 шт
Под заказ:
165 шт
Цена от: 202,29
Новинка
STGWA20H65DFB2
STGWA20H65DFB2
Наличие:
0 шт
Под заказ:
420 шт
Цена от: 258,79
Новинка
DG15X12T2
DG15X12T2
Наличие:
65 шт
Под заказ:
1 573 шт
Цена от: 102,48
Новинка
DG15X06T1
DG15X06T1
Наличие:
222 шт
Под заказ:
865 шт
Цена от: 43,03
Новинка
DG10X06T1
DG10X06T1
Наличие:
160 шт
Под заказ:
1 282 шт
Цена от: 81,86
Фильтр
Производители
Корпус
(1827)
HGTG5N120BND HGTG5N120BND Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 21 А, 167 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-247
Наличие:
120 шт

Внешние склады:
230 шт
Цена от:
от 228,28
Акция
IGP40N65H5XKSA1 IGP40N65H5XKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 650 В, 74 А, 255 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
650 В
Макс. ток коллектора:
74 А
Импульсный ток коллектора макс.:
120 А
Макс. рассеиваемая мощность:
255 Вт
Переключаемая энергия:
390 мкДж
Наличие:
115 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 324,61
-6% Акция
IGW20N60H3FKSA1 IGW20N60H3FKSA1 Биполярный транзистор IGBT 600В 20А TO-247
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
PG-TO247-3-46
Наличие:
220 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
1 шт
Цена от:
от 238,21
IGW40N60H3FKSA1 IGW40N60H3FKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 80 А, 306 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600V
Макс. ток коллектора:
80A
Макс. рассеиваемая мощность:
306W
Наличие:
110 шт

Внешние склады:
240 шт
Цена от:
от 317,78
IGW40T120FKSA1 IGW40T120FKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 75 А, 270 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200V
Макс. ток коллектора:
75A
Макс. рассеиваемая мощность:
270W
Наличие:
48 шт

Внешние склады:
180 шт
Цена от:
от 529,77
Акция
IGW60T120FKSA1 IGW60T120FKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 100 А, 375 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
PG-TO-247-3
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200 В
Макс. ток коллектора:
100 А
Импульсный ток коллектора макс.:
150 А
Макс. рассеиваемая мощность:
375 Вт
Переключаемая энергия:
9.5 мДж
Наличие:
198 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 651,54
IHW20N120R3FKSA1 IHW20N120R3FKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 40 А, 310 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200V
Макс. ток коллектора:
40A
Макс. рассеиваемая мощность:
310W
Переключаемая энергия:
950 мкДж
Наличие:
291 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 197,53
IHW20N135R5XKSA1 IHW20N135R5XKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 1350 В, 40 А, 288 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
PG-TO-247-3
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1350V
Макс. ток коллектора:
40A
Импульсный ток коллектора макс.:
60A
Макс. рассеиваемая мощность:
288W
Переключаемая энергия:
950 µJ (off)
Наличие:
1 371 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 151,76
IHW30N135R5XKSA1 IHW30N135R5XKSA1 Транзистор IGBT, TRENCHSTOP, 1350В, 30А [PG-TO247-3]
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247
Наличие:
95 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 238,62
IHW30N160R5XKSA1 IHW30N160R5XKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 1600 В, 30 А, 310 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
PG-TO247-3-46
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1600 В
Макс. ток коллектора:
30 А
Макс. рассеиваемая мощность:
310 Вт
Наличие:
302 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 296,38
IHW40N120R5XKSA1 IHW40N120R5XKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 80 А 394 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
PG-TO-247-3
Наличие:
76 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 435,44
IHW40N135R5XKSA1 IHW40N135R5XKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 80 А 394 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
PG-TO-247-3
Наличие:
88 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 297,65
-6% Акция
IKA10N60TXKSA1 IKA10N60TXKSA1 Транзистор биполярный IGBT, 600В, 11.7А
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220F
Наличие:
121 шт

Внешние склады:
1 249 шт
Цена от:
от 76,62
Акция
IKP40N65H5XKSA1 IKP40N65H5XKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 650 В, 74 А, 255 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
PG-TO220-3
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
650 В
Макс. ток коллектора:
74 А
Импульсный ток коллектора макс.:
120 А
Макс. рассеиваемая мощность:
255 Вт
Переключаемая энергия:
390 мкДж
Наличие:
49 шт

Внешние склады:
128 шт
Цена от:
от 334,96
IKQ50N120CH3XKSA1 IKQ50N120CH3XKSA1 Транзистор IGBT 1200В 100A 652Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247
Наличие:
63 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 469,46
IKQ75N120CH3XKSA1 IKQ75N120CH3XKSA1 Биполярный транзистор с изолированным затвором 1.2кВ, 150А, 938Вт, TO-247
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
PG-TO247-3-46
Наличие:
373 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 410,31
IKW08T120FKSA1 IKW08T120FKSA1 Транзистор биполярный с изолированным затвором низкая потеря встроенный диод 1200В 8А
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200V
Макс. ток коллектора:
8A
Наличие:
131 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 228,86
IKW15N120H3FKSA1 IKW15N120H3FKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 30 А, 217 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
PG-TO-247-3
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200 В
Макс. ток коллектора:
30 А
Импульсный ток коллектора макс.:
60 А
Макс. рассеиваемая мощность:
217 Вт
Переключаемая энергия:
1.55 мДж
Наличие:
454 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 269,51
IKW25N120H3FKSA1 IKW25N120H3FKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 50 А, 326 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
PG-TO-247-3
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200 В
Макс. ток коллектора:
50 А
Импульсный ток коллектора макс.:
100 А
Макс. рассеиваемая мощность:
326 Вт
Переключаемая энергия:
2.65 мДж
Наличие:
2 139 шт

Внешние склады:
660 шт
Цена от:
от 196,12
IKW25N120T2FKSA1 IKW25N120T2FKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 50 А, 349 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
PG-TO-247-3
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200 В
Макс. ток коллектора:
50 А
Импульсный ток коллектора макс.:
100 А
Макс. рассеиваемая мощность:
349 Вт
Переключаемая энергия:
2.9 мДж
Наличие:
873 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 237,58
На странице:

Биполярный транзистор с изолированным затвором, по сути, представляет собой каскадное включение двух транзисторов полевого на входе и биполярного на выходе, применяется, в основном, как мощный ключ в импульсных источниках питания, инверторах и системах управления электрическим приводом.

БТИЗ транзисторы

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (сокращенно — БТИЗ, на английском языке — IGBT) — силовой трехэлектродный полупроводниковый прибор, сочетающий в себе два транзистора на основе одной полупроводниковой структуры. Как правило, он используется в качестве мощного электронного ключа в импульсных источниках питания, а также инверторах. Широкое применение они также нашли в системах управления электрическими приводами, импульсных регуляторах тока, частотно-регулируемых приводах.

Характеристики

Любой электронный прибор, в том числе биполярные транзисторы с изолированным затвором выбирается на основе технических характеристик, которыми он обладает для того, чтобы реализовать возложенные на него задачи. В частности, для БТИЗ транзисторов важными характеристиками являются мощность, рабочее напряжение, рабочая температура, ток, частота. Соответственно, конкретную модель следует выбирать на основании информации из справочника. Кроме этого, можно воспользоваться каталогом на сайте группы компаний «Промэлектроника», где в широком ассортименте представлены биполярные транзисторы с изолированным затвором. Здесь вы можете недорого купить IGBT транзисторы.

Преимущества компании

Группа компаний «Промэлектроника» обладает следующими преимуществами:

  • большой выбор БТИЗ транзисторов, а также другой техники и элементов для производства электронного оборудования;
  • доставка по территории Российской Федерации;
  • продажа товаров оптом и в розницу;
  • помощь в подборе оборудования;
  • гарантия производителя на все представленные товары;
  • различные формы оплаты;
  • приемлемые цены.

Сделайте заказ по телефону, указанному на сайте. В случае возникновения затруднений менеджеры помогут вам.

Цена на IGBT (БТИЗ) транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить IGBT (БТИЗ) транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на IGBT (БТИЗ) транзисторы - от 17.77 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть IGBT (БТИЗ) транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку во все регионы России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе IGBT (БТИЗ) транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"