IGBT (БТИЗ) транзисторы

1832

Новинки

Новинка
IKW30N65H5XKSA1
IKW30N65H5XKSA1
Наличие:
46 шт
Под заказ:
165 шт
Цена от: 202,29
Новинка
DG15X12T2
DG15X12T2
Наличие:
65 шт
Под заказ:
1 918 шт
Цена от: 93,87
Новинка
DG15X06T1
DG15X06T1
Наличие:
202 шт
Под заказ:
837 шт
Цена от: 29,66
Новинка
DG10X06T1
DG10X06T1
Наличие:
158 шт
Под заказ:
1 278 шт
Цена от: 74,99
Новинка
DG50Q12T21
DG50Q12T21
Наличие:
30 шт
Под заказ:
0 шт
Цена от: 250,86
Новинка
GD150HFX65C1S
GD150HFX65C1S
Наличие:
6 шт
Под заказ:
121 шт
Цена от: 1 820,17
Фильтр
Производители
Корпус
(1832)
SKM150GB12T4 SKM150GB12T4 Биполярный транзистор IGBT
Производитель:
Semikron Elektronik GmbH
Корпус:
SEMITRANS® 2 Case A-12
Напряжение коллектор-эмиттер:
1200В
Ток коллектора:
232А
Наличие:
284 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
1 шт
Цена от:
от 5 053,78
IRGP4640DPBF IRGP4640DPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 65 А, 250 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
65 А
Импульсный ток коллектора макс.:
72 А
Макс. рассеиваемая мощность:
250 Вт
Переключаемая энергия:
115 мкДж
Наличие:
265 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 440,99
STGF6NC60HD STGF6NC60HD Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 3 А, 20W
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220F
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
6 А
Импульсный ток коллектора макс.:
21 А
Макс. рассеиваемая мощность:
20 Вт
Переключаемая энергия:
20 мкДж
Наличие:
265 шт

Внешние склады:
200 шт
Цена от:
от 89,44
IKW50N60TFKSA1 IKW50N60TFKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 80 А, 333 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
PG-TO-247-3
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600V
Макс. ток коллектора:
80A
Макс. рассеиваемая мощность:
333W
Наличие:
262 шт

Внешние склады:
100 шт
Цена от:
от 322,10
STGW30V60DF STGW30V60DF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 60 А, 258 Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
60 А
Импульсный ток коллектора макс.:
120 А
Макс. рассеиваемая мощность:
258 Вт
Переключаемая энергия:
383 мкДж
Наличие:
240 шт

Внешние склады:
100 шт
Цена от:
от 190,73
DG20X06T2 DG20X06T2 Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 20 А
Производитель:
STARPOWER Semiconductor Ltd.
Корпус:
TO-247
Наличие:
239 шт

Внешние склады:
1 200 шт
Цена от:
от 149,85
Акция
STGF14NC60KD STGF14NC60KD Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 11 А, 28 Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220F
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
11 А
Импульсный ток коллектора макс.:
50 А
Макс. рассеиваемая мощность:
28 Вт
Переключаемая энергия:
82 мкДж
Наличие:
232 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 100,21
DG40F12T2 DG40F12T2 Биполярный транзистор IGBT 1200В 80А 487Вт TO-247
Производитель:
STARPOWER Semiconductor Ltd.
Корпус:
TO-247
Наличие:
220 шт

Внешние склады:
2 721 шт
Цена от:
от 252,83
Акция
IGW20N60H3FKSA1 IGW20N60H3FKSA1 Биполярный транзистор IGBT 600В 20А TO-247
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
PG-TO247-3-46
Наличие:
218 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 256,74
IHW20N120R3FKSA1 IHW20N120R3FKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 40 А, 310 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200V
Макс. ток коллектора:
40A
Макс. рассеиваемая мощность:
310W
Переключаемая энергия:
950 мкДж
Наличие:
210 шт

Внешние склады:
200 шт
Цена от:
от 180,92
Акция
STGP7NC60HD STGP7NC60HD Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 14 А, 80 Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
25 А
Импульсный ток коллектора макс.:
50 А
Макс. рассеиваемая мощность:
80 Вт
Переключаемая энергия:
95 мкДж
Наличие:
205 шт

Внешние склады:
110 шт
Цена от:
от 140,84
IKW40N65ES5XKSA1 IKW40N65ES5XKSA1 Транзистор IGBT, 650В, 50А, 115Вт, TO247-3
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
PG-TO247-3
Наличие:
204 шт

Внешние склады:
530 шт
Цена от:
от 123,86
Новинка
DG15X06T1 DG15X06T1 Транзистор биполярный IGBT со встроенным диодом 600В/15А
Производитель:
STARPOWER Semiconductor Ltd.
Корпус:
TO-220
Наличие:
202 шт

Внешние склады:
837 шт
Цена от:
от 29,66
IRG4BC30UPBF IRG4BC30UPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 12 А, 100 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
23 А
Импульсный ток коллектора макс.:
92 А
Макс. рассеиваемая мощность:
100 Вт
Переключаемая энергия:
160 мкДж
Наличие:
200 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 202,94
Акция
IRGB4630DPBF IRGB4630DPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 47 А, 206 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AC
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
47 А
Импульсный ток коллектора макс.:
54 А
Макс. рассеиваемая мощность:
206 Вт
Переключаемая энергия:
95 мкДж
Наличие:
198 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 241,28
FF150R12RT4HOSA1 FF150R12RT4HOSA1 Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 150 А, 790 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
34 mm
Наличие:
197 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 6 116,02
IKW40N65H5FKSA1 IKW40N65H5FKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 650 В, 74 А, 255 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
PG-TO-247-3
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
650 В
Макс. ток коллектора:
74 А
Импульсный ток коллектора макс.:
120 А
Макс. рассеиваемая мощность:
255 Вт
Переключаемая энергия:
390 мкДж
Наличие:
196 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 125,28
IRGB4061DPBF IRGB4061DPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 36 А, 206 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
36 А
Импульсный ток коллектора макс.:
72 А
Макс. рассеиваемая мощность:
206 Вт
Переключаемая энергия:
95 мкДж
Наличие:
184 шт

Внешние склады:
242 шт
Цена от:
от 123,15
Акция
IGW60T120FKSA1 IGW60T120FKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 100 А, 375 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
PG-TO-247-3
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200 В
Макс. ток коллектора:
100 А
Импульсный ток коллектора макс.:
150 А
Макс. рассеиваемая мощность:
375 Вт
Переключаемая энергия:
9.5 мДж
Наличие:
183 шт

Внешние склады:
300 шт
Цена от:
от 596,99
RJH60F7DPQ-A0-T0 RJH60F7DPQ-A0-T0 Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 90 А, 320 Вт
Производитель:
RENESAS Electronics Corp.
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600V
Макс. ток коллектора:
90A
Макс. рассеиваемая мощность:
320W
Наличие:
183 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 369,31
На странице:

Биполярный транзистор с изолированным затвором, по сути, представляет собой каскадное включение двух транзисторов полевого на входе и биполярного на выходе, применяется, в основном, как мощный ключ в импульсных источниках питания, инверторах и системах управления электрическим приводом.

БТИЗ транзисторы

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (сокращенно — БТИЗ, на английском языке — IGBT) — силовой трехэлектродный полупроводниковый прибор, сочетающий в себе два транзистора на основе одной полупроводниковой структуры. Как правило, он используется в качестве мощного электронного ключа в импульсных источниках питания, а также инверторах. Широкое применение они также нашли в системах управления электрическими приводами, импульсных регуляторах тока, частотно-регулируемых приводах.

Характеристики

Любой электронный прибор, в том числе биполярные транзисторы с изолированным затвором выбирается на основе технических характеристик, которыми он обладает для того, чтобы реализовать возложенные на него задачи. В частности, для БТИЗ транзисторов важными характеристиками являются мощность, рабочее напряжение, рабочая температура, ток, частота. Соответственно, конкретную модель следует выбирать на основании информации из справочника. Кроме этого, можно воспользоваться каталогом на сайте группы компаний «Промэлектроника», где в широком ассортименте представлены биполярные транзисторы с изолированным затвором. Здесь вы можете недорого купить IGBT транзисторы.

Преимущества компании

Группа компаний «Промэлектроника» обладает следующими преимуществами:

  • большой выбор БТИЗ транзисторов, а также другой техники и элементов для производства электронного оборудования;
  • доставка по территории Российской Федерации;
  • продажа товаров оптом и в розницу;
  • помощь в подборе оборудования;
  • гарантия производителя на все представленные товары;
  • различные формы оплаты;
  • приемлемые цены.

Сделайте заказ по телефону, указанному на сайте. В случае возникновения затруднений менеджеры помогут вам.

Цена на IGBT (БТИЗ) транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить IGBT (БТИЗ) транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на IGBT (БТИЗ) транзисторы - от 17.77 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть IGBT (БТИЗ) транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку во все регионы России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе IGBT (БТИЗ) транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"