IGBT (БТИЗ) транзисторы

Новинки

Новинка
IGW20N60H3FKSA1
Наличие:
235 шт
Под заказ:
0 шт
Цена от: 385,43
Новинка
IKA10N60TXKSA1
Наличие:
146 шт
Под заказ:
1 420 шт
Цена от: 121,15
Новинка
IKZA75N65SS5XKSA1
Наличие:
17 шт
Под заказ:
0 шт
Цена от: 2 095,73
Новинка
DG50Q12T2
Наличие:
20 шт
Под заказ:
580 шт
Цена от: 573,30
Новинка
DG40X12T2
Наличие:
42 шт
Под заказ:
3 764 шт
Цена от: 287,50
Новинка
STGF15H60DF
Наличие:
192 шт
Под заказ:
0 шт
Цена от: 97,93
Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
(1223)
DFI450HF12DF1 IGBT Модуль Half Bridge 1200В 450А, корпус 62мм Производитель: Wuxi Leapers Semiconductor Co., Ltd. Напряжение коллектор-эмиттер: 1200В Ток коллектора: 450А
Наличие:
0 шт

Под заказ:
48 шт
Аналоги:
47 шт
Цена от:
от 9 855,22
DFI450HF12I4ME2 Производитель: Wuxi Leapers Semiconductor Co., Ltd.
Наличие:
0 шт

Под заказ:
50 шт
Цена от:
от 14 992,08
DFI500HF17DFRE1 Производитель: Wuxi Leapers Semiconductor Co., Ltd.
Наличие:
0 шт

Под заказ:
30 шт
Цена от:
от 13 868,51
DFI600HF12I4ME1 IGBT Модуль 1200В, 600А, полумостовой Производитель: Wuxi Leapers Semiconductor Co., Ltd. Напряжение коллектор-эмиттер: 1200В Ток коллектора: 600А
Наличие:
0 шт

Под заказ:
290 шт
Аналоги:
222 шт
Цена от:
от 14 461,75
DFI600HF17I4RE2 IGBT Модуль 1700В 600А полумостовой Производитель: Wuxi Leapers Semiconductor Co., Ltd. Напряжение коллектор-эмиттер: 1700В Ток коллектора: 600А
Наличие:
0 шт

Под заказ:
120 шт
Аналоги:
723 шт
Цена от:
от 15 574,07
DG25X12T2 Транзистор биполярный IGBT со встроенным диодом 1200В/25А общего применения Производитель: STARPOWER Semiconductor Ltd. Корпус: TO-247-3
Наличие:
54 шт

Под заказ:
5 805 шт
Цена от:
от 297,88
Новинка DG40X12T2 Биполярный транзистор IGBT 1200В 80А 487Вт TO-247 Производитель: STARPOWER Semiconductor Ltd. Корпус: TO-247
Наличие:
42 шт

Под заказ:
3 764 шт
Цена от:
от 287,50
Новинка DG50Q12T2 Биполярный транзитсор IGBT 1200В 80A 672Вт TO-247 PLUS Производитель: STARPOWER Semiconductor Ltd. Корпус: TO-247
Наличие:
20 шт

Под заказ:
580 шт
Цена от:
от 573,30
DG75Q12T2 Биполярный транзистор IGBT 1200В 150A 937Вт Производитель: STARPOWER Semiconductor Ltd. Корпус: TO-247
Наличие:
35 шт

Под заказ:
3 144 шт
Цена от:
от 647,67
DG75X12T2 Биполярный транзистор IGBT, 1200В 150A TO-247 PLUS Производитель: STARPOWER Semiconductor Ltd. Корпус: TO-247
Наличие:
32 шт

Под заказ:
1 574 шт
Цена от:
от 737,05
Акция FD250R65KE3KNOSA1 Модуль силовой IGBT 6500В 250А Производитель: Infineon Technologies
Наличие:
1 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 60 870,33
FF100R12RT4HOSA1 Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 100 А, 555 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: AG-34MM
Наличие:
72 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 5 057,02
FF150R12KE3G Силовой модуль IGBT N-канальный 1200В 225А Производитель: Infineon Technologies Корпус: 62 mm Напряжение коллектор-эмиттер: 1200В
Наличие:
4 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 12 811,10
FF200R12KE3HOSA1 Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 200 А, 1050Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: 62 mm
Наличие:
5 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 15 199,00
FF300R12KE3HOSA1 Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 300 А, 1450Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: 62 mm
Наличие:
11 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 16 258,46
FF300R12KT4HOSA1 Биполярный транзистор IGBT 1200В 300А Производитель: Infineon Technologies Корпус: AG-62MMHB Напряжение коллектор-эмиттер: 1200В
Наличие:
18 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 11 576,57
FF400R12KE3HOSA1 Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 400 А Производитель: Infineon Technologies Корпус: 62 mm
Наличие:
33 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 17 270,20
Новинка FF450R12ME3BOSA1 Силовой модуль IGBT N-канальный 1200В 600А 2100Вт 11-Pin ECONOD-3 лоток Производитель: Infineon Technologies Напряжение коллектор-эмиттер: 1200В
Наличие:
1 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 11 992,23
FF600R12ME4BOSA1 Биполярный транзистор IGBT, 1200В, 600А Производитель: Infineon Technologies Корпус: ECONOD-5 Напряжение коллектор-эмиттер: 1200В
Наличие:
2 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
510 шт
Цена от:
от 24 755,64
FP25R12W2T4BOMA1 Биполярный транзистор IGBT, 1200В, 25A, 175Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: EasyPIM™ 2B Напряжение коллектор-эмиттер: 1200В Ток коллектора: 25А
Наличие:
16 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 4 307,91
На странице:

Биполярный транзистор с изолированным затвором, по сути, представляет собой каскадное включение двух транзисторов полевого на входе и биполярного на выходе, применяется, в основном, как мощный ключ в импульсных источниках питания, инверторах и системах управления электрическим приводом.

БТИЗ транзисторы

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (сокращенно — БТИЗ, на английском языке — IGBT) — силовой трехэлектродный полупроводниковый прибор, сочетающий в себе два транзистора на основе одной полупроводниковой структуры. Как правило, он используется в качестве мощного электронного ключа в импульсных источниках питания, а также инверторах. Широкое применение они также нашли в системах управления электрическими приводами, импульсных регуляторах тока, частотно-регулируемых приводах.

Характеристики

Любой электронный прибор, в том числе биполярные транзисторы с изолированным затвором выбирается на основе технических характеристик, которыми он обладает для того, чтобы реализовать возложенные на него задачи. В частности, для БТИЗ транзисторов важными характеристиками являются мощность, рабочее напряжение, рабочая температура, ток, частота. Соответственно, конкретную модель следует выбирать на основании информации из справочника. Кроме этого, можно воспользоваться каталогом на сайте группы компаний «Промэлектроника», где в широком ассортименте представлены биполярные транзисторы с изолированным затвором. Здесь вы можете недорого купить IGBT транзисторы.

Преимущества компании

Группа компаний «Промэлектроника» обладает следующими преимуществами:

  • большой выбор БТИЗ транзисторов, а также другой техники и элементов для производства электронного оборудования;
  • доставка по территории Российской Федерации;
  • продажа товаров оптом и в розницу;
  • помощь в подборе оборудования;
  • гарантия производителя на все представленные товары;
  • различные формы оплаты;
  • приемлемые цены.

Сделайте заказ по телефону, указанному на сайте. В случае возникновения затруднений менеджеры помогут вам.

Цена на IGBT (БТИЗ) транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить IGBT (БТИЗ) транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на IGBT (БТИЗ) транзисторы - от 8.38 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России и Беларуси

Посмотреть IGBT (БТИЗ) транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку во все регионы России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

Доставка в Беларусь — компанией DPD (до терминала или курьером до адреса).

При заказе IGBT (БТИЗ) транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"