IGBT (БТИЗ) транзисторы

1827

Новинки

Новинка
HGTG30N60A4D
HGTG30N60A4D
Наличие:
1 шт
Под заказ:
0 шт
Цена от: 263,40
Новинка
IKW30N65H5XKSA1
IKW30N65H5XKSA1
Наличие:
46 шт
Под заказ:
165 шт
Цена от: 202,29
Новинка
STGWA20H65DFB2
STGWA20H65DFB2
Наличие:
0 шт
Под заказ:
420 шт
Цена от: 258,79
Новинка
DG15X12T2
DG15X12T2
Наличие:
65 шт
Под заказ:
1 573 шт
Цена от: 102,48
Новинка
DG15X06T1
DG15X06T1
Наличие:
222 шт
Под заказ:
865 шт
Цена от: 43,03
Новинка
DG10X06T1
DG10X06T1
Наличие:
160 шт
Под заказ:
1 282 шт
Цена от: 81,86
Фильтр
Производители
Корпус
(1827)
IKW25T120FKSA1 IKW25T120FKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 50 А, 190 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
PG-TO-247-3
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200 В
Макс. ток коллектора:
50 А
Импульсный ток коллектора макс.:
75 А
Макс. рассеиваемая мощность:
190 Вт
Переключаемая энергия:
4.2 мДж
Наличие:
47 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 614,94
IKW30N60DTPXKSA1 IKW30N60DTPXKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 30А, 200 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
PG-TO247-3-46
Наличие:
84 шт

Внешние склады:
266 шт
Цена от:
от 286,87
IKW30N60H3FKSA1 IKW30N60H3FKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 60А, 187 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
PG-TO-247-3
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600V
Макс. ток коллектора:
60A
Макс. рассеиваемая мощность:
187W
Наличие:
610 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 109,81
IKW30N60TFKSA1 IKW30N60TFKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 60 А, 187 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
PG-TO-247-3
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600V
Макс. ток коллектора:
60A
Макс. рассеиваемая мощность:
187W
Наличие:
336 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 183,28
Новинка
IKW30N65H5XKSA1 IKW30N65H5XKSA1 Транзистор IGBT, 650В, 35А, 94Вт, TO247-3, TRENCHSTOP™ 5, Серия H5
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247
Наличие:
46 шт

Внешние склады:
165 шт
Цена от:
от 202,29
IKW40N120CS6XKSA1 IKW40N120CS6XKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 80 А 500 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247
Наличие:
477 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 293,82
IKW40N120H3FKSA1 IKW40N120H3FKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 80 А, 483 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
PG-TO-247-3
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200 В
Макс. ток коллектора:
80 А
Импульсный ток коллектора макс.:
160 А
Макс. рассеиваемая мощность:
483 Вт
Переключаемая энергия:
4.4 мДж
Наличие:
1 875 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 211,08
IKW40N120T2FKSA1 IKW40N120T2FKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 75 А, 480 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
PG-TO-247-3
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200 В
Макс. ток коллектора:
75 А
Импульсный ток коллектора макс.:
160 А
Макс. рассеиваемая мощность:
480 Вт
Переключаемая энергия:
5.25 мДж
Наличие:
321 шт

Внешние склады:
120 шт
Цена от:
от 297,35
IKW40N60H3FKSA1 IKW40N60H3FKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 80 А, 306 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
PG-TO-247-3
Наличие:
907 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 203,38
IKW40N65ES5XKSA1 IKW40N65ES5XKSA1 Транзистор IGBT, 650В, 50А, 115Вт, TO247-3
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
PG-TO247-3
Наличие:
328 шт

Внешние склады:
310 шт
Цена от:
от 123,86
IKW40N65H5FKSA1 IKW40N65H5FKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 650 В, 74 А, 255 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
PG-TO-247-3
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
650 В
Макс. ток коллектора:
74 А
Импульсный ток коллектора макс.:
120 А
Макс. рассеиваемая мощность:
255 Вт
Переключаемая энергия:
390 мкДж
Наличие:
255 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 111,69
Акция
IKW50N60H3FKSA1 IKW50N60H3FKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 100 А, 333 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
PG-TO-247-3
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
100 А
Импульсный ток коллектора макс.:
200 А
Макс. рассеиваемая мощность:
333 Вт
Переключаемая энергия:
2.36 мДж
Наличие:
329 шт

Внешние склады:
230 шт
Цена от:
от 202,64
IKW50N60TFKSA1 IKW50N60TFKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 80 А, 333 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
PG-TO-247-3
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600V
Макс. ток коллектора:
80A
Макс. рассеиваемая мощность:
333W
Наличие:
289 шт

Внешние склады:
180 шт
Цена от:
от 332,85
IKW75N60TFKSA1 IKW75N60TFKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 80 А, 428 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
PG-TO-247-3
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
80 А
Импульсный ток коллектора макс.:
225 А
Макс. рассеиваемая мощность:
428 Вт
Переключаемая энергия:
4.5 мДж
Наличие:
1 262 шт

Внешние склады:
50 шт
Цена от:
от 289,22
IKW75N65EH5XKSA1 IKW75N65EH5XKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 650В 90А 395Вт [TO-247]
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
PG-TO-247-3
Наличие:
692 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 223,21
Акция
IRG4BC20FDPBF IRG4BC20FDPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 24 А, 60 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
16 А
Импульсный ток коллектора макс.:
64 А
Макс. рассеиваемая мощность:
60 Вт
Переключаемая энергия:
250 мкДж
Наличие:
47 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 153,29
IRG4BC30FD-STRR IRG4BC30FD-STRR Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 31 А, 100 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Наличие:
67 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 290,27
IRG4BC30FDPBF IRG4BC30FDPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 31 А, 100 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
31 А
Импульсный ток коллектора макс.:
124 А
Макс. рассеиваемая мощность:
100 Вт
Переключаемая энергия:
630 мкДж
Наличие:
64 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 492,24
Акция
IRG4BC30KDPBF IRG4BC30KDPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 28 А, 100 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
28 А
Импульсный ток коллектора макс.:
56 А
Макс. рассеиваемая мощность:
100 Вт
Переключаемая энергия:
600 мкДж
Наличие:
44 шт

Внешние склады:
1 010 шт
Цена от:
от 192,18
IRG4BC30UPBF IRG4BC30UPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 12 А, 100 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
23 А
Импульсный ток коллектора макс.:
92 А
Макс. рассеиваемая мощность:
100 Вт
Переключаемая энергия:
160 мкДж
Наличие:
54 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 222,31
На странице:

Биполярный транзистор с изолированным затвором, по сути, представляет собой каскадное включение двух транзисторов полевого на входе и биполярного на выходе, применяется, в основном, как мощный ключ в импульсных источниках питания, инверторах и системах управления электрическим приводом.

БТИЗ транзисторы

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (сокращенно — БТИЗ, на английском языке — IGBT) — силовой трехэлектродный полупроводниковый прибор, сочетающий в себе два транзистора на основе одной полупроводниковой структуры. Как правило, он используется в качестве мощного электронного ключа в импульсных источниках питания, а также инверторах. Широкое применение они также нашли в системах управления электрическими приводами, импульсных регуляторах тока, частотно-регулируемых приводах.

Характеристики

Любой электронный прибор, в том числе биполярные транзисторы с изолированным затвором выбирается на основе технических характеристик, которыми он обладает для того, чтобы реализовать возложенные на него задачи. В частности, для БТИЗ транзисторов важными характеристиками являются мощность, рабочее напряжение, рабочая температура, ток, частота. Соответственно, конкретную модель следует выбирать на основании информации из справочника. Кроме этого, можно воспользоваться каталогом на сайте группы компаний «Промэлектроника», где в широком ассортименте представлены биполярные транзисторы с изолированным затвором. Здесь вы можете недорого купить IGBT транзисторы.

Преимущества компании

Группа компаний «Промэлектроника» обладает следующими преимуществами:

  • большой выбор БТИЗ транзисторов, а также другой техники и элементов для производства электронного оборудования;
  • доставка по территории Российской Федерации;
  • продажа товаров оптом и в розницу;
  • помощь в подборе оборудования;
  • гарантия производителя на все представленные товары;
  • различные формы оплаты;
  • приемлемые цены.

Сделайте заказ по телефону, указанному на сайте. В случае возникновения затруднений менеджеры помогут вам.

Цена на IGBT (БТИЗ) транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить IGBT (БТИЗ) транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на IGBT (БТИЗ) транзисторы - от 17.77 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть IGBT (БТИЗ) транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку во все регионы России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе IGBT (БТИЗ) транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"