IGBT (БТИЗ) транзисторы

1825

Новинки

Новинка
HGTG30N60A4D
HGTG30N60A4D
Наличие:
39 шт
Под заказ:
220 шт
Цена от: 243,30
Новинка
IKW30N65H5XKSA1
IKW30N65H5XKSA1
Наличие:
46 шт
Под заказ:
245 шт
Цена от: 199,02
Новинка
DG15X12T2
DG15X12T2
Наличие:
97 шт
Под заказ:
2 173 шт
Цена от: 100,86
Новинка
DG15X06T1
DG15X06T1
Наличие:
251 шт
Под заказ:
865 шт
Цена от: 41,16
Новинка
DG10X06T1
DG10X06T1
Наличие:
172 шт
Под заказ:
1 383 шт
Цена от: 81,00
Новинка
GD150HFX65C1S
GD150HFX65C1S
Наличие:
0 шт
Под заказ:
170 шт
Цена от: 2 087,76
Фильтр
Производители
Корпус
(1825)
FF300R12ME4BOSA1 FF300R12ME4BOSA1 Биполярный транзистор IGBT, 1200В, 300А
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
ECONOD-3
Напряжение коллектор-эмиттер:
1200В
Наличие:
100 шт

Внешние склады:
10 шт
Цена от:
от 15 592,38
FF300R17ME4 Силовой модуль 2-IGBT 1700В 300А, econo dual 3
Производитель:
Infineon Technologies
Напряжение коллектор-эмиттер:
1700В
Наличие:
100 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 15 408,06
FF400R12KE3HOSA1 FF400R12KE3HOSA1 Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 400 А
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
AG-62MMHB
Наличие:
78 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 8 797,98
FF450R17ME4 FF450R17ME4 Силовой модуль 2-IGBT 1700В, 450А, econo dual 3
Производитель:
Infineon Technologies
Напряжение коллектор-эмиттер:
1700В
Наличие:
100 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
5 058 шт
Цена от:
от 21 011,34
FF600R17ME4 FF600R17ME4 Силовой модуль 2-IGBT 1700В 600А, econo dual 3
Производитель:
Infineon Technologies
Напряжение коллектор-эмиттер:
1700В
Ток коллектора:
600А
Наличие:
100 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
2 463 шт
Цена от:
от 17 312,76
-8% Акция
FGH20N60SFDTU FGH20N60SFDTU Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 40 А, 165 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
40 А
Импульсный ток коллектора макс.:
60 А
Макс. рассеиваемая мощность:
165 Вт
Переключаемая энергия:
370 мкДж
Наличие:
168 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 376,14
-8% Акция
FGH40N60SFDTU FGH40N60SFDTU Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 80 А, 290 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
80 А
Импульсный ток коллектора макс.:
120 А
Макс. рассеиваемая мощность:
290 Вт
Переключаемая энергия:
1.13 мДж
Наличие:
933 шт

Внешние склады:
2 685 шт
Цена от:
от 177,66
-8% Акция
FGH40N60SMD FGH40N60SMD Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 40 А, 290 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
80 А
Импульсный ток коллектора макс.:
120 А
Макс. рассеиваемая мощность:
349 Вт
Переключаемая энергия:
870 мкДж
Наличие:
770 шт

Внешние склады:
1 455 шт
Аналоги:
100 шт
Цена от:
от 150,30
-8% Акция
FGH40N60UFDTU FGH40N60UFDTU Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 40 А, 290 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
80 А
Импульсный ток коллектора макс.:
120 А
Макс. рассеиваемая мощность:
290 Вт
Переключаемая энергия:
1.19 мДж
Наличие:
887 шт

Внешние склады:
2 074 шт
Цена от:
от 167,10
-8% Акция
FGH60N60SFDTU FGH60N60SFDTU Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 120 А, 378 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
120 А
Импульсный ток коллектора макс.:
180 А
Макс. рассеиваемая мощность:
378 Вт
Переключаемая энергия:
1.79 мДж
Наличие:
42 шт

Внешние склады:
69 шт
Цена от:
от 435,48
FGH60N60SMD FGH60N60SMD Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 120 А, 600W
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
120 А
Импульсный ток коллектора макс.:
180 А
Макс. рассеиваемая мощность:
600 Вт
Переключаемая энергия:
1.26 мДж
Наличие:
1 727 шт

Внешние склады:
1 433 шт
Цена от:
от 188,76
FGPF4633 FGPF4633 Биполярный транзистор IGBT, 330 В, 70 А, 30 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220F formed lead
Наличие:
46 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 56,70
FGPF50N33BT FGPF50N33BT Биполярный транзистор IGBT, 330 В, 50 А, 43 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220F
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
330V
Макс. ток коллектора:
50A
Макс. рассеиваемая мощность:
43W
Наличие:
87 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 153,12
FP35R12W2T4BOMA1 FP35R12W2T4BOMA1 Биполярный транзистор IGBT, 1200В, 35A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
AG-EASY2B
Напряжение коллектор-эмиттер:
1200В
Ток коллектора:
35А
Наличие:
58 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 2 755,26
FP40R12KT3 FP40R12KT3 Силовой модуль IGBT N-канальный 1200В 55А 210Вт 24-Pin ECONO2-5 лоток
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
AG-ECONO2C
Напряжение коллектор-эмиттер:
1200В
Ток коллектора:
55А
Наличие:
46 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 4 499,28
GD450HFY120C6S IGBT модуль 1200B 450А 2 in one-package
Производитель:
STARPOWER Semiconductor Ltd.
Напряжение коллектор-эмиттер:
1200В
Ток коллектора:
450А
Наличие:
100 шт

Внешние склады:
38 шт
Аналоги:
6 776 шт
Цена от:
от 6 760,50
GT50JR22 GT50JR22 Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 50 А, 230 Вт
Производитель:
Toshiba Semiconductor
Корпус:
TO-3P(N)
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600V
Макс. ток коллектора:
50A
Макс. рассеиваемая мощность:
230W
Наличие:
5 640 шт

Внешние склады:
4 072 шт
Цена от:
от 122,16
HGTG11N120CND HGTG11N120CND Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 43 А, 298 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200 В
Макс. ток коллектора:
43 А
Импульсный ток коллектора макс.:
80 А
Макс. рассеиваемая мощность:
298 Вт
Переключаемая энергия:
950 мкДж
Наличие:
268 шт

Внешние склады:
190 шт
Цена от:
от 253,44
IGCM06F60GAXKMA1 IGCM06F60GAXKMA1 Mодуль IGBT силовой трехфазный 6А 600В PG-MDIP-24
Производитель:
Infineon Technologies
Напряжение коллектор-эмиттер:
600В
Наличие:
179 шт

Внешние склады:
220 шт
Цена от:
от 647,52
-8% Акция
IGP40N65H5XKSA1 IGP40N65H5XKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 650 В, 74 А, 255 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
650 В
Макс. ток коллектора:
74 А
Импульсный ток коллектора макс.:
120 А
Макс. рассеиваемая мощность:
255 Вт
Переключаемая энергия:
390 мкДж
Наличие:
115 шт

Внешние склады:
436 шт
Цена от:
от 211,26
На странице:

Биполярный транзистор с изолированным затвором, по сути, представляет собой каскадное включение двух транзисторов полевого на входе и биполярного на выходе, применяется, в основном, как мощный ключ в импульсных источниках питания, инверторах и системах управления электрическим приводом.

БТИЗ транзисторы

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (сокращенно — БТИЗ, на английском языке — IGBT) — силовой трехэлектродный полупроводниковый прибор, сочетающий в себе два транзистора на основе одной полупроводниковой структуры. Как правило, он используется в качестве мощного электронного ключа в импульсных источниках питания, а также инверторах. Широкое применение они также нашли в системах управления электрическими приводами, импульсных регуляторах тока, частотно-регулируемых приводах.

Характеристики

Любой электронный прибор, в том числе биполярные транзисторы с изолированным затвором выбирается на основе технических характеристик, которыми он обладает для того, чтобы реализовать возложенные на него задачи. В частности, для БТИЗ транзисторов важными характеристиками являются мощность, рабочее напряжение, рабочая температура, ток, частота. Соответственно, конкретную модель следует выбирать на основании информации из справочника. Кроме этого, можно воспользоваться каталогом на сайте группы компаний «Промэлектроника», где в широком ассортименте представлены биполярные транзисторы с изолированным затвором. Здесь вы можете недорого купить IGBT транзисторы.

Преимущества компании

Группа компаний «Промэлектроника» обладает следующими преимуществами:

  • большой выбор БТИЗ транзисторов, а также другой техники и элементов для производства электронного оборудования;
  • доставка по территории Российской Федерации;
  • продажа товаров оптом и в розницу;
  • помощь в подборе оборудования;
  • гарантия производителя на все представленные товары;
  • различные формы оплаты;
  • приемлемые цены.

Сделайте заказ по телефону, указанному на сайте. В случае возникновения затруднений менеджеры помогут вам.

Цена на IGBT (БТИЗ) транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить IGBT (БТИЗ) транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на IGBT (БТИЗ) транзисторы - от 17.77 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть IGBT (БТИЗ) транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку во все регионы России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе IGBT (БТИЗ) транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"