IGBT (БТИЗ) транзисторы

Новинки

Новинка
IGW20N60H3FKSA1
Наличие:
235 шт
Под заказ:
0 шт
Цена от: 385,43
Новинка
IKA10N60TXKSA1
Наличие:
146 шт
Под заказ:
1 420 шт
Цена от: 120,90
Новинка
IKZA75N65SS5XKSA1
Наличие:
17 шт
Под заказ:
0 шт
Цена от: 2 095,73
Новинка
DG50Q12T2
Наличие:
20 шт
Под заказ:
580 шт
Цена от: 573,30
Новинка
DG40X12T2
Наличие:
42 шт
Под заказ:
3 764 шт
Цена от: 288,07
Новинка
STGF15H60DF
Наличие:
192 шт
Под заказ:
0 шт
Цена от: 97,93
Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
(1223)
MWI75-06A7T Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 75 Amps 600V Производитель: IXYS Corporation Корпус: Module Напряжение коллектор-эмиттер: 600В Ток коллектора: 600А
NGB8202ANT4G Биполярный транзистор IGBT, 440 В, 20 А, 150 Вт Производитель: Littelfuse Корпус: D2PAK/TO263
NGB8202ANTF4G Ignition IGBT, 20A, 400V, N Channel D2PAK Производитель: Littelfuse
NGB8245NT4G Биполярный транзистор IGBT, 490 В, 20 А, 150 Вт Производитель: Littelfuse Корпус: D2PAK/TO263
Акция NGD8201ANT4G Биполярный транзистор IGBT, 440 В, 20 А, 125 Вт Производитель: Littelfuse Корпус: D-Pak (TO-252AA)
NGD8201ANT4G Биполярный транзистор IGBT, 440 В, 20 А, 125 Вт Производитель: Littelfuse Корпус: DPAK/TO-252AA Макс. напр. коллектор-эмиттер: 375V Макс. ток коллектора: 20A Макс. рассеиваемая мощность: 125W
NGD8205ANT4G Биполярный транзистор IGBT, 390 В, 20 А, 125 Вт Производитель: Littelfuse Корпус: DPAK/TO-252AA
NGTB03N60R2DT4G Trans IGBT Chip N-CH 600V 9A 49000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA
NGTB15N60S1EG Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 30 А, 117 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 30 А Импульсный ток коллектора макс.: 120 А Макс. рассеиваемая мощность: 117 Вт Переключаемая энергия: 550 мкДж
Акция NGTB30N120IHSWG Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 30 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 1200V Макс. ток коллектора: 30A Переключаемая энергия: 1 мДж
NGTB35N65FL2WG Биполярный транзистор IGBT, 650 В, 70 А, 300 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 650 В Макс. ток коллектора: 70 А Импульсный ток коллектора макс.: 120 А Макс. рассеиваемая мощность: 300 Вт Переключаемая энергия: 840 мкДж
NGTB40N120FL2WG Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 80 А, 535 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 1200 В Макс. ток коллектора: 80 А Импульсный ток коллектора макс.: 200 А Макс. рассеиваемая мощность: 535 Вт Переключаемая энергия: 3.4 мДж
NGTB40N120FL3WG Trans IGBT Chip N-CH 1200V 160A 454000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Производитель: ON Semiconductor Макс. напр. коллектор-эмиттер: 1200V Макс. ток коллектора: 160A Макс. рассеиваемая мощность: 454W
NGTB40N120IHRWG Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 80 А, 384 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 1200V Макс. ток коллектора: 80A Макс. рассеиваемая мощность: 384W Переключаемая энергия: 950 мкДж
NGTB50N60FL2WG Производитель: ON Semiconductor
NGTG15N60S1EG Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 30 А, 117 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220
PM100CS1D060 Производитель: Mitsubishi Electric
PM150CL1A120 MOD IPM 6-PAC L1 150A 1200V Производитель: Mitsubishi Electric Напряжение коллектор-эмиттер: 1200В Ток коллектора: 150А
PM150CS1D060 Производитель: Mitsubishi Electric
PM150RL1A120 Производитель: Mitsubishi Electric
На странице:

Биполярный транзистор с изолированным затвором, по сути, представляет собой каскадное включение двух транзисторов полевого на входе и биполярного на выходе, применяется, в основном, как мощный ключ в импульсных источниках питания, инверторах и системах управления электрическим приводом.

БТИЗ транзисторы

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (сокращенно — БТИЗ, на английском языке — IGBT) — силовой трехэлектродный полупроводниковый прибор, сочетающий в себе два транзистора на основе одной полупроводниковой структуры. Как правило, он используется в качестве мощного электронного ключа в импульсных источниках питания, а также инверторах. Широкое применение они также нашли в системах управления электрическими приводами, импульсных регуляторах тока, частотно-регулируемых приводах.

Характеристики

Любой электронный прибор, в том числе биполярные транзисторы с изолированным затвором выбирается на основе технических характеристик, которыми он обладает для того, чтобы реализовать возложенные на него задачи. В частности, для БТИЗ транзисторов важными характеристиками являются мощность, рабочее напряжение, рабочая температура, ток, частота. Соответственно, конкретную модель следует выбирать на основании информации из справочника. Кроме этого, можно воспользоваться каталогом на сайте группы компаний «Промэлектроника», где в широком ассортименте представлены биполярные транзисторы с изолированным затвором. Здесь вы можете недорого купить IGBT транзисторы.

Преимущества компании

Группа компаний «Промэлектроника» обладает следующими преимуществами:

  • большой выбор БТИЗ транзисторов, а также другой техники и элементов для производства электронного оборудования;
  • доставка по территории Российской Федерации;
  • продажа товаров оптом и в розницу;
  • помощь в подборе оборудования;
  • гарантия производителя на все представленные товары;
  • различные формы оплаты;
  • приемлемые цены.

Сделайте заказ по телефону, указанному на сайте. В случае возникновения затруднений менеджеры помогут вам.

Цена на IGBT (БТИЗ) транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить IGBT (БТИЗ) транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на IGBT (БТИЗ) транзисторы - от 8.38 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России и Беларуси

Посмотреть IGBT (БТИЗ) транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку во все регионы России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

Доставка в Беларусь — компанией DPD (до терминала или курьером до адреса).

При заказе IGBT (БТИЗ) транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"