IGBT (БТИЗ) транзисторы

1827

Новинки

Новинка
HGTG30N60A4D
HGTG30N60A4D
Наличие:
1 шт
Под заказ:
0 шт
Цена от: 266,17
Новинка
IKW30N65H5XKSA1
IKW30N65H5XKSA1
Наличие:
46 шт
Под заказ:
165 шт
Цена от: 202,29
Новинка
STGWA20H65DFB2
STGWA20H65DFB2
Наличие:
0 шт
Под заказ:
420 шт
Цена от: 261,52
Новинка
DG15X12T2
DG15X12T2
Наличие:
65 шт
Под заказ:
1 573 шт
Цена от: 103,56
Новинка
DG15X06T1
DG15X06T1
Наличие:
222 шт
Под заказ:
865 шт
Цена от: 43,48
Новинка
DG10X06T1
DG10X06T1
Наличие:
160 шт
Под заказ:
1 282 шт
Цена от: 82,72
Фильтр
Производители
Корпус
(1827)
FF75R12YT3BOMA1 Биполярный транзистор IGBT, 1200В, 75А
Производитель:
Infineon Technologies
Напряжение коллектор-эмиттер:
1200В
Ток коллектора:
75А
FF800R17KE3B_2 IGBT модуль 1700В 800 А 130мм Dual IHM
Производитель:
Infineon Technologies
FF800R17KF6C_B2 IGBT модуль 1700В 800 А 130мм Dual IHM
Производитель:
Infineon Technologies
FF800R17KP4B2NOSA2 Биполярный транзистор IGBT
Производитель:
Infineon Technologies
FF800R17KP4_B2 IGBT модуль 1700В 800 А 130мм Dual
Производитель:
Infineon Technologies
FF900R12IE4BOSA1 FF900R12IE4BOSA1 Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 900 А
Производитель:
Infineon Technologies
FF900R12IE4VPBOSA1
Производитель:
Infineon Technologies
FF900R12IP4 FF900R12IP4 Модуль силовой 2-IGBT 1200В 900A PrimePACK2
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
AG-PRIME2 ( PrimePACK™2 )
Напряжение коллектор-эмиттер:
1200В
Ток коллектора:
900А
FF900R12IP4BOSA2 FF900R12IP4BOSA2 Trans IGBT Module N-CH 1200V 900A Tray
Производитель:
Infineon Technologies
FF900R12IP4BOSA2 FF900R12IP4BOSA2
Производитель:
Infineon Technologies
FF900R12IP4DBOSA2
Производитель:
Infineon Technologies
FGA15N120ANTDTU_F109 FGA15N120ANTDTU_F109 Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 30 А, 186 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-3P(N)
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200 В
Макс. ток коллектора:
30 А
Импульсный ток коллектора макс.:
45 А
Макс. рассеиваемая мощность:
186 Вт
Переключаемая энергия:
3 мДж
FGA20N120FTDTU FGA20N120FTDTU Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 40 А, 298 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-3P(N)
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200 В
Макс. ток коллектора:
40 А
Импульсный ток коллектора макс.:
60 А
Макс. рассеиваемая мощность:
298 Вт
FGA20S125P-SN00336 FGA20S125P-SN00336 Биполярный транзистор IGBT, 1250 В, 40 А, 250 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-3P(N)
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1250 В
Макс. ток коллектора:
40 А
Импульсный ток коллектора макс.:
60 А
Макс. рассеиваемая мощность:
250 Вт
FGA20S140P FGA20S140P Биполярный транзистор IGBT, 1400 В, 40 А, 272 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-3P
FGA25N120ANTDTU FGA25N120ANTDTU Биполярный транзистор 1200 В, 25 А, 312 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-3P(N)
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200 В
Макс. ток коллектора:
50 А
Импульсный ток коллектора макс.:
90 А
Макс. рассеиваемая мощность:
312 Вт
Переключаемая энергия:
4.1 мДж
FGA25N120ANTDTU-F109 FGA25N120ANTDTU-F109 Транзистор биполярный с изолированным затвором (IGBT) Copak Discrete
Производитель:
ON Semiconductor
FGA25S125P FGA25S125P Биполярный транзистор IGBT, 1250 В, 50 А, 250 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-3P(N)
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1250 В
Макс. ток коллектора:
50 А
Импульсный ток коллектора макс.:
75 А
Макс. рассеиваемая мощность:
250 Вт
FGA50N100BNTD2 FGA50N100BNTD2 Биполярный транзистор IGBT, 1000 В, 50 А, 156 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-3P(N)
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1000 В
Макс. ток коллектора:
50 А
Импульсный ток коллектора макс.:
200 А
Макс. рассеиваемая мощность:
156 Вт
FGA60N60UFDTU FGA60N60UFDTU Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 120 А, 298 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-3P(N)
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
120 А
Импульсный ток коллектора макс.:
180 А
Макс. рассеиваемая мощность:
298 Вт
Переключаемая энергия:
1.81 мДж
На странице:

Биполярный транзистор с изолированным затвором, по сути, представляет собой каскадное включение двух транзисторов полевого на входе и биполярного на выходе, применяется, в основном, как мощный ключ в импульсных источниках питания, инверторах и системах управления электрическим приводом.

БТИЗ транзисторы

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (сокращенно — БТИЗ, на английском языке — IGBT) — силовой трехэлектродный полупроводниковый прибор, сочетающий в себе два транзистора на основе одной полупроводниковой структуры. Как правило, он используется в качестве мощного электронного ключа в импульсных источниках питания, а также инверторах. Широкое применение они также нашли в системах управления электрическими приводами, импульсных регуляторах тока, частотно-регулируемых приводах.

Характеристики

Любой электронный прибор, в том числе биполярные транзисторы с изолированным затвором выбирается на основе технических характеристик, которыми он обладает для того, чтобы реализовать возложенные на него задачи. В частности, для БТИЗ транзисторов важными характеристиками являются мощность, рабочее напряжение, рабочая температура, ток, частота. Соответственно, конкретную модель следует выбирать на основании информации из справочника. Кроме этого, можно воспользоваться каталогом на сайте группы компаний «Промэлектроника», где в широком ассортименте представлены биполярные транзисторы с изолированным затвором. Здесь вы можете недорого купить IGBT транзисторы.

Преимущества компании

Группа компаний «Промэлектроника» обладает следующими преимуществами:

  • большой выбор БТИЗ транзисторов, а также другой техники и элементов для производства электронного оборудования;
  • доставка по территории Российской Федерации;
  • продажа товаров оптом и в розницу;
  • помощь в подборе оборудования;
  • гарантия производителя на все представленные товары;
  • различные формы оплаты;
  • приемлемые цены.

Сделайте заказ по телефону, указанному на сайте. В случае возникновения затруднений менеджеры помогут вам.

Цена на IGBT (БТИЗ) транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить IGBT (БТИЗ) транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на IGBT (БТИЗ) транзисторы - от 17.77 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть IGBT (БТИЗ) транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку во все регионы России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе IGBT (БТИЗ) транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"