IGBT (БТИЗ) транзисторы

1827

Новинки

Новинка
HGTG30N60A4D
HGTG30N60A4D
Наличие:
1 шт
Под заказ:
0 шт
Цена от: 266,17
Новинка
IKW30N65H5XKSA1
IKW30N65H5XKSA1
Наличие:
46 шт
Под заказ:
165 шт
Цена от: 202,29
Новинка
STGWA20H65DFB2
STGWA20H65DFB2
Наличие:
0 шт
Под заказ:
420 шт
Цена от: 261,52
Новинка
DG15X12T2
DG15X12T2
Наличие:
65 шт
Под заказ:
1 573 шт
Цена от: 103,56
Новинка
DG15X06T1
DG15X06T1
Наличие:
222 шт
Под заказ:
865 шт
Цена от: 43,48
Новинка
DG10X06T1
DG10X06T1
Наличие:
160 шт
Под заказ:
1 282 шт
Цена от: 82,72
Фильтр
Производители
Корпус
(1827)
FGH40T65UPD FGH40T65UPD Биполярный транзистор IGBT, 650 В, 80 А, 268 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
650 В
Макс. ток коллектора:
80 А
Импульсный ток коллектора макс.:
120 А
Макс. рассеиваемая мощность:
268 Вт
Переключаемая энергия:
1.59 мДж
FGH50N3 FGH50N3 Биполярный транзистор IGBT, 300 В, 75 А, 463 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
300 В
Макс. ток коллектора:
75 А
Импульсный ток коллектора макс.:
240 А
Макс. рассеиваемая мощность:
463 Вт
Переключаемая энергия:
130 мкДж
FGH50N6S2D FGH50N6S2D Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 75 А, 463 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
75 А
Импульсный ток коллектора макс.:
240 А
Макс. рассеиваемая мощность:
463 Вт
Переключаемая энергия:
260 мкДж
FGH50T65UPD FGH50T65UPD Биполярный транзистор IGBT, 650 В, 100 А, 340 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
650 В
Макс. ток коллектора:
100 А
Импульсный ток коллектора макс.:
150 А
Макс. рассеиваемая мощность:
340 Вт
Переключаемая энергия:
2.7 мДж
FGH60N60SFTU FGH60N60SFTU Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 120 А, 378 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-247
FGH60N60UFDTU FGH60N60UFDTU Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 60 А, 290 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600V
Макс. ток коллектора:
60A
Макс. рассеиваемая мощность:
290W
FGH60T65SHD-F155 FGH60T65SHD-F155 IGBT Transistors FS3TIGBT TO247 60A 650V
Производитель:
ON Semiconductor
FGH60T65SQD-F155 FGH60T65SQD-F155 IGBT, SINGLE, 650V, 120A, TO-247; DC Collector Current:120A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):1.6V; Power Dissipation Pd:333W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:650V; Transistor Case Style:TO-247; No. of Pin
Производитель:
ON Semiconductor
FGH75N60UFTU FGH75N60UFTU Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 150 А, 452 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
150 А
Импульсный ток коллектора макс.:
225 А
Макс. рассеиваемая мощность:
452 Вт
Переключаемая энергия:
3.05 мДж
FGH75T65SQD-F155 FGH75T65SQD-F155 IGBT, SINGLE, N-CH, 650V, 150A, TO-247-3; DC Collector Current:150A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):1.6V; Power Dissipation Pd:375W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:650V; Transistor Case Style:TO-247; No
Производитель:
ON Semiconductor
FGH80N60FDTU FGH80N60FDTU Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 80 А, 290 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600V
Макс. ток коллектора:
80A
Импульсный ток коллектора макс.:
160A
Макс. рассеиваемая мощность:
290W
Переключаемая энергия:
1mJ (on), 520 µJ (off)
FGHL50T65MQDTL4 FGHL50T65MQDTL4 TRANSISTOR, IGBT, 650V, 80A, TO-247;
Производитель:
ON Semiconductor
FGHL50T65SQ FGHL50T65SQ Биполярный транзистор IGBT, 650 В, 50 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-247-3
FGHL60T120RWD FGHL60T120RWD IGBT, SINGLE, 1.2KV, 120A, TO-247;
Производитель:
ON Semiconductor
FGL40N120ANDTU FGL40N120ANDTU Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 64 А, 500 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-264
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200V
Макс. ток коллектора:
64A
Макс. рассеиваемая мощность:
500W
FGL40N120ANTU FGL40N120ANTU Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 64 А, 500 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO264
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200 В
Макс. ток коллектора:
64 А
Импульсный ток коллектора макс.:
160 А
Макс. рассеиваемая мощность:
500 Вт
Переключаемая энергия:
2.3 мДж
FGL60N100BNTD FGL60N100BNTD Биполярный транзистор IGBT, 1000 В, 60 А, 180 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO264
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1000 В
Макс. ток коллектора:
60 А
Импульсный ток коллектора макс.:
120 А
Макс. рассеиваемая мощность:
180 Вт
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
849 шт
Цена от:
от 1 049,28
FGP10N60UNDF FGP10N60UNDF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 20 А, 139 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220-3
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
20 А
Импульсный ток коллектора макс.:
30 А
Макс. рассеиваемая мощность:
139 Вт
Переключаемая энергия:
150 мкДж
FGP15N60UNDF FGP15N60UNDF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 30 А, 178 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220-3
Новинка
FGP20N60UFD FGP20N60UFD Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 40 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
На странице:

Биполярный транзистор с изолированным затвором, по сути, представляет собой каскадное включение двух транзисторов полевого на входе и биполярного на выходе, применяется, в основном, как мощный ключ в импульсных источниках питания, инверторах и системах управления электрическим приводом.

БТИЗ транзисторы

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (сокращенно — БТИЗ, на английском языке — IGBT) — силовой трехэлектродный полупроводниковый прибор, сочетающий в себе два транзистора на основе одной полупроводниковой структуры. Как правило, он используется в качестве мощного электронного ключа в импульсных источниках питания, а также инверторах. Широкое применение они также нашли в системах управления электрическими приводами, импульсных регуляторах тока, частотно-регулируемых приводах.

Характеристики

Любой электронный прибор, в том числе биполярные транзисторы с изолированным затвором выбирается на основе технических характеристик, которыми он обладает для того, чтобы реализовать возложенные на него задачи. В частности, для БТИЗ транзисторов важными характеристиками являются мощность, рабочее напряжение, рабочая температура, ток, частота. Соответственно, конкретную модель следует выбирать на основании информации из справочника. Кроме этого, можно воспользоваться каталогом на сайте группы компаний «Промэлектроника», где в широком ассортименте представлены биполярные транзисторы с изолированным затвором. Здесь вы можете недорого купить IGBT транзисторы.

Преимущества компании

Группа компаний «Промэлектроника» обладает следующими преимуществами:

  • большой выбор БТИЗ транзисторов, а также другой техники и элементов для производства электронного оборудования;
  • доставка по территории Российской Федерации;
  • продажа товаров оптом и в розницу;
  • помощь в подборе оборудования;
  • гарантия производителя на все представленные товары;
  • различные формы оплаты;
  • приемлемые цены.

Сделайте заказ по телефону, указанному на сайте. В случае возникновения затруднений менеджеры помогут вам.

Цена на IGBT (БТИЗ) транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить IGBT (БТИЗ) транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на IGBT (БТИЗ) транзисторы - от 17.77 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть IGBT (БТИЗ) транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку во все регионы России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе IGBT (БТИЗ) транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"