IGBT (БТИЗ) транзисторы

1832

Новинки

Новинка
IKW30N65H5XKSA1
IKW30N65H5XKSA1
Наличие:
46 шт
Под заказ:
165 шт
Цена от: 202,29
Новинка
DG15X12T2
DG15X12T2
Наличие:
65 шт
Под заказ:
1 918 шт
Цена от: 93,87
Новинка
DG15X06T1
DG15X06T1
Наличие:
202 шт
Под заказ:
837 шт
Цена от: 29,66
Новинка
DG10X06T1
DG10X06T1
Наличие:
158 шт
Под заказ:
1 278 шт
Цена от: 74,99
Новинка
DG50Q12T21
DG50Q12T21
Наличие:
30 шт
Под заказ:
0 шт
Цена от: 250,86
Новинка
GD150HFX65C1S
GD150HFX65C1S
Наличие:
6 шт
Под заказ:
121 шт
Цена от: 1 820,17
Фильтр
Производители
Корпус
(1832)
Акция
FGH20N60SFDTU FGH20N60SFDTU Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 40 А, 165 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
40 А
Импульсный ток коллектора макс.:
60 А
Макс. рассеиваемая мощность:
165 Вт
Переключаемая энергия:
370 мкДж
Наличие:
114 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 378,61
IRGB4062DPBF IRGB4062DPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 48 А, 250 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
48 А
Импульсный ток коллектора макс.:
72 А
Макс. рассеиваемая мощность:
250 Вт
Переключаемая энергия:
115 мкДж
Наличие:
114 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 311,24
IRGS4620DPBF IRGS4620DPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 32 А, 140 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
32 А
Импульсный ток коллектора макс.:
36 А
Макс. рассеиваемая мощность:
140 Вт
Переключаемая энергия:
75 мкДж
Наличие:
113 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 202,40
STGWA40M120DF3 STGWA40M120DF3 Транзистор биполярный с изолированным затвором IGBT 1200В 80A 468Вт 3-Pin(3+Tab) TO-247 туба
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200V
Макс. ток коллектора:
80A
Импульсный ток коллектора макс.:
160A
Макс. рассеиваемая мощность:
468W
Переключаемая энергия:
1.03mJ (on), 480 µJ (off)
Наличие:
112 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 308,18
FF200R12KT4HOSA1 FF200R12KT4HOSA1 Биполярный транзистор IGBT, 1200В, 200А, 1100Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
62 mm
Напряжение коллектор-эмиттер:
1200В
Наличие:
110 шт

Внешние склады:
30 шт
Аналоги:
34 шт
Цена от:
от 5 225,20
FP35R12W2T4BOMA1 FP35R12W2T4BOMA1 Биполярный транзистор IGBT, 1200В, 35A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
AG-EASY2B
Напряжение коллектор-эмиттер:
1200В
Ток коллектора:
35А
Наличие:
109 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 2 706,55
Акция
IRG4PC40FPBF IRG4PC40FPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 49 А, 160 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247AC
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
49 А
Импульсный ток коллектора макс.:
200 А
Макс. рассеиваемая мощность:
160 Вт
Переключаемая энергия:
370 мкДж
Наличие:
106 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 454,57
Акция
STGB10NC60HDT4 STGB10NC60HDT4 Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 10 А, 65 Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
20 А
Импульсный ток коллектора макс.:
30 А
Макс. рассеиваемая мощность:
65 Вт
Переключаемая энергия:
31.8 мкДж
Наличие:
103 шт

Внешние склады:
320 шт
Цена от:
от 155,38
IHW30N120R5XKSA1 IHW30N120R5XKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 60 А, 330 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247
Наличие:
102 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 393,18
Акция
IKW50N60H3FKSA1 IKW50N60H3FKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 100 А, 333 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
PG-TO-247-3
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
100 А
Импульсный ток коллектора макс.:
200 А
Макс. рассеиваемая мощность:
333 Вт
Переключаемая энергия:
2.36 мДж
Наличие:
101 шт

Внешние склады:
375 шт
Цена от:
от 202,64
IRG4BC40SPBF IRG4BC40SPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 60 А, 160 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
60 А
Импульсный ток коллектора макс.:
120 А
Макс. рассеиваемая мощность:
160 Вт
Переключаемая энергия:
450 мкДж
Наличие:
101 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 278,32
STGW45HF60WD STGW45HF60WD Биполярный транзистор IGBT, 100 КГц, 45 А, 600 В, 250W
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-247
Наличие:
101 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 444,63
2MBI300XNA120-50 Биполярный транзистор IGBT
Производитель:
Fuji Electric
Наличие:
100 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
1 571 шт
Цена от:
от 14 684,87
CM300DX-24T CM300DX-24T Силовой модуль IGBT сдвоенный 1200В 300A
Производитель:
Mitsubishi Electric
Корпус:
Module
Напряжение коллектор-эмиттер:
1200В
Наличие:
100 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
1 571 шт
Цена от:
от 7 011,98
CM300DX-34T
Производитель:
Mitsubishi Electric
Наличие:
100 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 8 064,04
CM450DX-24T IGBT MOD DUAL 1200V 450A
Производитель:
Mitsubishi Electric
Корпус:
Module
Напряжение коллектор-эмиттер:
1200В
Ток коллектора:
450А
Наличие:
100 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
1 571 шт
Цена от:
от 7 487,00
CM450DX-34T
Производитель:
Mitsubishi Electric
Наличие:
100 шт

Внешние склады:
1 шт
Аналоги:
4 219 шт
Цена от:
от 7 728,56
CM600DX-34T CM600DX-34T Биполярный транзистор IGBTсдвоенный, 600A, 1200В
Производитель:
Mitsubishi Electric
Корпус:
Module
Напряжение коллектор-эмиттер:
1200В
Ток коллектора:
600А
Наличие:
100 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
1 470 шт
Цена от:
от 15 068,05
FF300R12ME4BOSA1 FF300R12ME4BOSA1 Биполярный транзистор IGBT, 1200В, 300А
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
ECONOD-3
Напряжение коллектор-эмиттер:
1200В
Наличие:
100 шт

Внешние склады:
10 шт
Цена от:
от 14 431,21
FF300R17ME4 Силовой модуль 2-IGBT 1700В 300А, econo dual 3
Производитель:
Infineon Technologies
Напряжение коллектор-эмиттер:
1700В
Наличие:
100 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 14 637,63
На странице:

Биполярный транзистор с изолированным затвором, по сути, представляет собой каскадное включение двух транзисторов полевого на входе и биполярного на выходе, применяется, в основном, как мощный ключ в импульсных источниках питания, инверторах и системах управления электрическим приводом.

БТИЗ транзисторы

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (сокращенно — БТИЗ, на английском языке — IGBT) — силовой трехэлектродный полупроводниковый прибор, сочетающий в себе два транзистора на основе одной полупроводниковой структуры. Как правило, он используется в качестве мощного электронного ключа в импульсных источниках питания, а также инверторах. Широкое применение они также нашли в системах управления электрическими приводами, импульсных регуляторах тока, частотно-регулируемых приводах.

Характеристики

Любой электронный прибор, в том числе биполярные транзисторы с изолированным затвором выбирается на основе технических характеристик, которыми он обладает для того, чтобы реализовать возложенные на него задачи. В частности, для БТИЗ транзисторов важными характеристиками являются мощность, рабочее напряжение, рабочая температура, ток, частота. Соответственно, конкретную модель следует выбирать на основании информации из справочника. Кроме этого, можно воспользоваться каталогом на сайте группы компаний «Промэлектроника», где в широком ассортименте представлены биполярные транзисторы с изолированным затвором. Здесь вы можете недорого купить IGBT транзисторы.

Преимущества компании

Группа компаний «Промэлектроника» обладает следующими преимуществами:

  • большой выбор БТИЗ транзисторов, а также другой техники и элементов для производства электронного оборудования;
  • доставка по территории Российской Федерации;
  • продажа товаров оптом и в розницу;
  • помощь в подборе оборудования;
  • гарантия производителя на все представленные товары;
  • различные формы оплаты;
  • приемлемые цены.

Сделайте заказ по телефону, указанному на сайте. В случае возникновения затруднений менеджеры помогут вам.

Цена на IGBT (БТИЗ) транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить IGBT (БТИЗ) транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на IGBT (БТИЗ) транзисторы - от 17.77 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть IGBT (БТИЗ) транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку во все регионы России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе IGBT (БТИЗ) транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"