Одиночные IGBT транзисторы

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные IGBT транзисторы (66)

IKW40N120H3FKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 80 А, 483 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: PG-TO-247-3 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 1200 В Макс. ток коллектора: 80 А Импульсный ток коллектора макс.: 160 А Макс. рассеиваемая мощность: 483 Вт Переключаемая энергия: 4.4 мДж

Наличие:

632 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 462,08₽

IGW60T120FKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 100 А, 375 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: PG-TO-247-3 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 1200 В Макс. ток коллектора: 100 А Импульсный ток коллектора макс.: 150 А Макс. рассеиваемая мощность: 375 Вт Переключаемая энергия: 9.5 мДж

Наличие:

52 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 526,08₽

IKW15N120H3FKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 30 А, 217 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: PG-TO-247-3 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 1200 В Макс. ток коллектора: 30 А Импульсный ток коллектора макс.: 60 А Макс. рассеиваемая мощность: 217 Вт Переключаемая энергия: 1.55 мДж

Наличие:

292 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 310,26₽

IKW25N120H3FKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 50 А, 326 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: PG-TO-247-3 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 1200 В Макс. ток коллектора: 50 А Импульсный ток коллектора макс.: 100 А Макс. рассеиваемая мощность: 326 Вт Переключаемая энергия: 2.65 мДж

Наличие:

222 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 296,12₽

IKW25N120T2FKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 50 А, 349 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: PG-TO-247-3 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 1200 В Макс. ток коллектора: 50 А Импульсный ток коллектора макс.: 100 А Макс. рассеиваемая мощность: 349 Вт Переключаемая энергия: 2.9 мДж

Наличие:

288 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 352,36₽

IKW25T120FKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 50 А, 190 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: PG-TO-247-3 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 1200 В Макс. ток коллектора: 50 А Импульсный ток коллектора макс.: 75 А Макс. рассеиваемая мощность: 190 Вт Переключаемая энергия: 4.2 мДж

Наличие:

44 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 753,21₽

IRG4PH40UDPBF Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 40 А, 160 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247AC Макс. напр. коллектор-эмиттер: 1200 В Макс. ток коллектора: 41 А Импульсный ток коллектора макс.: 82 А Макс. рассеиваемая мощность: 160 Вт Переключаемая энергия: 1.8 мДж

Наличие:

197 шт

Под заказ:

20 шт

Цена от:

от 1 026,45₽

Акция

IRG4PH50SPBF Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 33 А, 200 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247AC Макс. напр. коллектор-эмиттер: 1200 В Макс. ток коллектора: 57 А Импульсный ток коллектора макс.: 114 А Макс. рассеиваемая мощность: 200 Вт Переключаемая энергия: 1.8 мДж

Наличие:

15 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 463,78₽

IRG7PH35UDPBF Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 50 А, 180 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247AC Макс. напр. коллектор-эмиттер: 1200 В Макс. ток коллектора: 50 А Импульсный ток коллектора макс.: 60 А Макс. рассеиваемая мощность: 180 Вт Переключаемая энергия: 1.06 мДж

Наличие:

187 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 424,48₽

IRG7PH35UPBF Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 55 А Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247AC Макс. напр. коллектор-эмиттер: 1200 В Макс. ток коллектора: 55 А Импульсный ток коллектора макс.: 60 А Макс. рассеиваемая мощность: 210 Вт Переключаемая энергия: 1.06 мДж

Наличие:

118 шт

Под заказ:

180 шт

Цена от:

от 465,18₽

Акция

IRG7PH42UDPBF Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 85 А, 320 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 1200 В Макс. ток коллектора: 85 А Импульсный ток коллектора макс.: 90 А Макс. рассеиваемая мощность: 320 Вт Переключаемая энергия: 2.11 мДж

Наличие:

1 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 1 172,33₽

IRG7PH50UPBF Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 140 А, 556 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 1200 В Макс. ток коллектора: 140 А Импульсный ток коллектора макс.: 150 А Макс. рассеиваемая мощность: 556 Вт Переключаемая энергия: 3.6 мДж

Наличие:

4 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 845,89₽

IRGP20B120UD-EP Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 40 А, 300 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247AD Макс. напр. коллектор-эмиттер: 1200 В Макс. ток коллектора: 40 А Импульсный ток коллектора макс.: 120 А Макс. рассеиваемая мощность: 300 Вт Переключаемая энергия: 850 мкДж

Наличие:

7 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 881,72₽

SGP02N120 Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 6.2 А, 62 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: PG-TO220-3 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 1200 В Макс. ток коллектора: 6.2 А Импульсный ток коллектора макс.: 9.6 А Макс. рассеиваемая мощность: 62 Вт Переключаемая энергия: 220 мкДж

Наличие:

15 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 553,34₽

SGW25N120 Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 46 А, 313 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: PG-TO-247-3 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 1200 В Макс. ток коллектора: 46 А Импульсный ток коллектора макс.: 84 А Макс. рассеиваемая мощность: 313 Вт Переключаемая энергия: 3.7 мДж

Наличие:

26 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 2 012,73₽

SKW25N120FK Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 46 А, 313 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: PG-TO-247-3 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 1200 В Макс. ток коллектора: 46 А Импульсный ток коллектора макс.: 84 А Макс. рассеиваемая мощность: 313 Вт Переключаемая энергия: 3.7 мДж

Наличие:

22 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 1 752,31₽

STGF3NC120HD Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 7 А, 25 Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220FP Макс. напр. коллектор-эмиттер: 1200 В Макс. ток коллектора: 6 А Импульсный ток коллектора макс.: 20 А Макс. рассеиваемая мощность: 25 Вт Переключаемая энергия: 236 мкДж

Наличие:

433 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 119,26₽

AUIRG4PH50S Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 57 А, 200 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247AC Макс. напр. коллектор-эмиттер: 1200 В Макс. ток коллектора: 57 А Импульсный ток коллектора макс.: 114 А Макс. рассеиваемая мощность: 200 Вт Переключаемая энергия: 1.8 мДж

Сообщить о поступлении

FGA15N120ANTDTU_F109 Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 30 А, 186 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-3P Макс. напр. коллектор-эмиттер: 1200 В Макс. ток коллектора: 30 А Импульсный ток коллектора макс.: 45 А Макс. рассеиваемая мощность: 186 Вт Переключаемая энергия: 3 мДж

Сообщить о поступлении

FGA20N120FTDTU Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 40 А, 298 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-3P Макс. напр. коллектор-эмиттер: 1200 В Макс. ток коллектора: 40 А Импульсный ток коллектора макс.: 60 А Макс. рассеиваемая мощность: 298 Вт

Сообщить о поступлении

IGBT транзисторы (расшифровывается как Insulated Gate Bipolar Transistor, или «биполярный транзистор с изолированным затвором», БТИЗ транзистор) сочетают в себе два транзистора в одной полупроводниковой структуре. Эту структуру можно представить как MOSFET, управляющий биполярным транзистором. Такая конструкция позволяет транзистору выдерживать повышенные мощности.

В интернет-магазине «Промэлектроника» мы предлагаем к покупке IGBT транзисторы по лучшим ценам. В нашем каталоге присутствуют IGBT производства таких известных фирм, как RENESAS, Infineon, ST Microelectronics, Toshiba. В наличии БТИЗ транзисторы с максимальной рассеиваемой мощностью до 750 Вт и максимальным напряжением до 2500 В.

Купить IGBT транзисторы лучше всего на сайте интернет-магазина «Промэлектроника». Кроме того, для оформления заказа Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные IGBT транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные IGBT транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные IGBT транзисторы - от 8.38 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России и Беларуси

Посмотреть Одиночные IGBT транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

Доставка в Беларусь — компанией DPD (до терминала или курьером до адреса).

При заказе Одиночные IGBT транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"