Биполярные транзисторы

6451

Новинки

Новинка
BC846A
BC846A
Наличие:
14 471 шт
Под заказ:
217 138 шт
Цена от: 0,75
Новинка
FMMT618TA
FMMT618TA
Наличие:
2 716 шт
Под заказ:
29 033 шт
Цена от: 7,52
Новинка
BC856C
BC856C
Наличие:
48 000 шт
Под заказ:
354 476 шт
Цена от: 0,91
Новинка
BC808-16
BC808-16
Наличие:
2 003 шт
Под заказ:
14 261 шт
Цена от: 4,29
Новинка
PBSS2515YPN,115
PBSS2515YPN,115
Наличие:
0 шт
Под заказ:
3 000 шт
Цена от: 21,05
Новинка
BC847BS
BC847BS
Наличие:
0 шт
Под заказ:
489 692 шт
Цена от: 1,29
Фильтр
Производители
Корпус
(6451)
Акция
MJ21193G MJ21193G Биполярный транзистор, PNP, 250 В, 16 А, 250 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-3
Тип транзистора:
PNP
Напряжение КЭ Макс.:
250 В
Ток коллектора Макс.:
16 А
Мощность Макс.:
250 Вт
Коэффициент усиления hFE:
25
Тип монтажа:
Сквозной
Граничная частота:
4 МГц
Наличие:
53 шт

Внешние склады:
220 шт
Цена от:
от 425,80
MJ21195G MJ21195G Биполярный транзистор, PNP, 250 В, 16 А, 250 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-3
Тип транзистора:
PNP
Напряжение КЭ Макс.:
250 В
Ток коллектора Макс.:
16 А
Мощность Макс.:
250 Вт
Коэффициент усиления hFE:
25
Тип монтажа:
Сквозной
Граничная частота:
4 МГц
Наличие:
57 шт

Внешние склады:
200 шт
Цена от:
от 514,12
Акция
MJB41CT4G MJB41CT4G Биполярный транзистор, NPN, 100 В, 6 А, 65Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
100 В
Ток коллектора Макс.:
6 А
Мощность Макс.:
2 Вт
Коэффициент усиления hFE:
15
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
3 МГц
Наличие:
699 шт

Внешние склады:
800 шт
Аналоги:
1 500 шт
Цена от:
от 71,73
Акция
MJB44H11G MJB44H11G Биполярный транзистор, NPN, 80 В, 10 А, 50 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
80 В
Ток коллектора Макс.:
10 А
Мощность Макс.:
2 Вт
Коэффициент усиления hFE:
40
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
50 МГц
Наличие:
122 шт

Внешние склады:
1 000 шт
Цена от:
от 85,36
Акция
MJB45H11T4G MJB45H11T4G Биполярный транзистор, PNP, 80 В, 10 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Тип транзистора:
PNP
Напряжение КЭ Макс.:
80 В
Ток коллектора Макс.:
10 А
Мощность Макс.:
2 Вт
Коэффициент усиления hFE:
40
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
40 МГц
Наличие:
116 шт

Внешние склады:
800 шт
Аналоги:
1 250 шт
Цена от:
от 47,04
MJD112G MJD112G Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 100 В, 2 А, 20Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Тип транзистора:
NPN, составной
Напряжение КЭ Макс.:
100 В
Ток коллектора Макс.:
2 А
Мощность Макс.:
1.75 Вт
Коэффициент усиления hFE:
1000
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
25 МГц
Наличие:
80 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
35 877 шт
Цена от:
от 45,50
Акция
MJD112T4 MJD112T4 Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 100 В, 2 А, 20 Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Тип транзистора:
NPN, составной
Напряжение КЭ Макс.:
100 В
Ток коллектора Макс.:
2 А
Мощность Макс.:
20 Вт
Коэффициент усиления hFE:
1000
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
25 МГц
Наличие:
629 шт

Внешние склады:
26 850 шт
Аналоги:
8 478 шт
Цена от:
от 25,07
MJD112T4G MJD112T4G Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 100 В, 2 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Тип транзистора:
NPN, составной
Напряжение КЭ Макс.:
100 В
Ток коллектора Макс.:
2 А
Мощность Макс.:
1.75 Вт
Коэффициент усиления hFE:
1000
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
25 МГц
Наличие:
2 494 шт

Внешние склады:
4 104 шт
Аналоги:
29 359 шт
Цена от:
от 24,11
Акция
MJD117T4 MJD117T4 Биполярный транзистор, PNP, составной (Darlington), 100 В, 2 А, 20 Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Тип транзистора:
PNP, составной
Напряжение КЭ Макс.:
100 В
Ток коллектора Макс.:
2 А
Мощность Макс.:
20 Вт
Коэффициент усиления hFE:
1000
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
25 МГц
Наличие:
1 950 шт

Внешние склады:
12 273 шт
Аналоги:
4 375 шт
Цена от:
от 23,69
MJD122T4 MJD122T4 Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 100 В, 8 А
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Тип транзистора:
NPN, составной
Напряжение КЭ Макс.:
100 В
Ток коллектора Макс.:
8 А
Мощность Макс.:
20 Вт
Коэффициент усиления hFE:
1000
Тип монтажа:
Поверхностный
Наличие:
3 403 шт

Внешние склады:
51 755 шт
Аналоги:
9 400 шт
Цена от:
от 23,45
MJD127T4 MJD127T4 Биполярный транзистор, PNP, составной (Darlington), 100 В, 8 А, 20Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Тип транзистора:
PNP, составной
Напряжение КЭ Макс.:
100 В
Ток коллектора Макс.:
8 А
Мощность Макс.:
20 Вт
Коэффициент усиления hFE:
1000
Тип монтажа:
Поверхностный
Наличие:
2 917 шт

Внешние склады:
17 500 шт
Аналоги:
2 074 шт
Цена от:
от 21,49
Акция
MJD127T4G MJD127T4G Биполярный транзистор, PNP, составной (Darlington), 100 В, 8 А, 20Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Тип транзистора:
PNP, составной
Напряжение КЭ Макс.:
100 В
Ток коллектора Макс.:
8 А
Мощность Макс.:
1.75 Вт
Коэффициент усиления hFE:
1000
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
4 МГц
Наличие:
2 074 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
20 417 шт
Цена от:
от 74,43
Акция
MJD253T4G MJD253T4G Биполярный транзистор, PNP, 100 В, 4 А, 12.5Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Тип транзистора:
PNP
Напряжение КЭ Макс.:
100 В
Ток коллектора Макс.:
4 А
Мощность Макс.:
1.4 Вт
Коэффициент усиления hFE:
40
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
40 МГц
Наличие:
1 343 шт

Внешние склады:
2 500 шт
Цена от:
от 14,21
Акция
MJD2955G MJD2955G Биполярный транзистор, PNP, 60 В, 10 А, 20 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Тип транзистора:
PNP
Напряжение КЭ Макс.:
60 В
Ток коллектора Макс.:
10 А
Мощность Макс.:
1.75 Вт
Коэффициент усиления hFE:
20
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
2 МГц
Наличие:
198 шт

Внешние склады:
1 950 шт
Аналоги:
2 500 шт
Цена от:
от 56,38
MJD3055T4G MJD3055T4G Биполярный транзистор, NPN, 60 В, 10 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK-3
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
60 В
Ток коллектора Макс.:
10 А
Мощность Макс.:
1.75 Вт
Коэффициент усиления hFE:
20
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
2 МГц
Наличие:
1 064 шт

Внешние склады:
2 500 шт
Аналоги:
2 500 шт
Цена от:
от 37,05
Новинка
MJD31C MJD31C Биполярный транзистор NPN 100В 3A DPAK
Производитель:
YANGZHOU YANGJIE ELECTRONIC CO., LTD.
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
100V
Ток коллектора Макс.:
3A
Мощность Макс.:
15W
Коэффициент усиления hFE:
10 @ 3A, 4V
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
584 шт

Внешние склады:
18 120 шт
Аналоги:
21 704 шт
Цена от:
от 9,89
MJD31CT4 MJD31CT4 Биполярный транзистор, NPN, 100 В, 3 А, 15 Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
100 В
Ток коллектора Макс.:
3 А
Мощность Макс.:
15 Вт
Коэффициент усиления hFE:
10
Тип монтажа:
Поверхностный
Наличие:
2 173 шт

Внешние склады:
2 500 шт
Аналоги:
35 735 шт
Цена от:
от 29,68
Акция
MJD31CT4G MJD31CT4G Биполярный транзистор, NPN, 100 В, 3 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
100 В
Ток коллектора Макс.:
3 А
Мощность Макс.:
1.56 Вт
Коэффициент усиления hFE:
10
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
3 МГц
Наличие:
851 шт

Внешние склады:
8 052 шт
Аналоги:
31 505 шт
Цена от:
от 17,74
MJD32CT4 MJD32CT4 Биполярный транзистор, PNP, 100 В, 3 А, 15Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Тип транзистора:
PNP
Напряжение КЭ Макс.:
100 В
Ток коллектора Макс.:
3 А
Мощность Макс.:
15 Вт
Коэффициент усиления hFE:
10
Тип монтажа:
Поверхностный
Наличие:
6 119 шт

Внешние склады:
15 200 шт
Аналоги:
7 715 шт
Цена от:
от 21,49
Акция
MJD32CT4G MJD32CT4G Биполярный транзистор, PNP, 100 В, 3 А, 1.56Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Тип транзистора:
PNP
Напряжение КЭ Макс.:
100 В
Ток коллектора Макс.:
3 А
Мощность Макс.:
1.56 Вт
Коэффициент усиления hFE:
10
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
3 МГц
Наличие:
615 шт

Внешние склады:
5 300 шт
Аналоги:
23 119 шт
Цена от:
от 22,61
На странице:

Биполярные транзисторы

Биполярные транзисторы — полупроводниковые трехэлектродные приборы. Используются в различных электронных устройствах для усиления и генерации электрических колебаний, а также в качестве коммутирующего элемента. Как и другие подобные приборы, их необходимо выбирать в соответствии с их рабочими характеристиками по справочнику или дополнительной (в том числе электронной, литературе).

Рабочие характеристики

Итак, перед тем как купить недорого биполярные транзисторы, необходимо знать их рабочие характеристики. В частности:

  • коэффициент передачи по току;
  • входное сопротивление;
  • выходная проводимость;
  • обратный ток коллектор-эмиттер;
  • время включения;
  • предельная частота коэффициента передачи тока базы;
  • обратный ток коллектора;
  • максимально допустимый ток;
  • граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером.

Кроме этого, при выборе необходимо обращать внимание на модель, исполнение и размер. В каталоге группы компаний «Промэлектроника» представлена вся необходимая информация для выбора.

Преимущества компании

Почему стоит обратиться за помощью именно к «Промэлектронике»? Потому что она выделяется рядом преимуществ, среди которых:

  • большой выбор биполярных транзисторов для решения разных технических задач;
  • доставка в любой регион Российской Федерации;
  • возможность покупки товаров оптом и в розницу;
  • консультации менеджеров по вопросам покупки товара;
  • гарантия производителя на все оборудование;
  • различные формы оплаты;
  • скидки для постоянных и оптовых клиентов;
  • отличное качество;
  • антикризисные цены.

По вопросам покупки товаров обращайтесь к менеджерам компании «Промэлектроника». Они подскажут вам дальнейшие инструкции и оформят заказ. Желаем вам приятных покупок!

Цена на Биполярные транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Биполярные транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Биполярные транзисторы - от 0.31648 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Биполярные транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку во все регионы России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Биполярные транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"