Одиночные MOSFET транзисторы

₉₀₆

Корпус: DPAK/TO252

Фильтр

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Through Hole (1863)
Surface Mount (3357)
Chassis Mount (8)

Умный фильтр

Показать

Одиночные MOSFET транзисторы (906)

RFD12N06RLESM9A Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 18A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-252-3

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

18A

Сопротивление открытого канала:

63 мОм

Мощность макс.:

49Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

15нКл

Входная емкость:

485пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

RFD14N05LSM Транзистор полевой MOSFET N-канальный 50В 14A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

50В

Ток стока макс.:

14A

Сопротивление открытого канала:

100 мОм

Мощность макс.:

48Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2В

Заряд затвора:

40нКл

Входная емкость:

670пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

RFD14N05LSM9A Транзистор полевой MOSFET N-канальный 50В 14A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

50В

Ток стока макс.:

14A

Сопротивление открытого канала:

100 мОм

Мощность макс.:

48Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2В

Заряд затвора:

40нКл

Входная емкость:

670пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

RFD14N05SM9A Транзистор полевой MOSFET N-канальный 50В 14A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

50В

Ток стока макс.:

14A

Сопротивление открытого канала:

100 мОм

Мощность макс.:

48Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

40нКл

Входная емкость:

570пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

RFD16N05LSM9A Транзистор полевой MOSFET N-канальный 50В 16A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

50В

Ток стока макс.:

16A

Сопротивление открытого канала:

47 мОм

Мощность макс.:

60Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2В

Заряд затвора:

80нКл

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

RFD16N05SM9A Транзистор полевой MOSFET N-канальный 50В 16A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

50В

Ток стока макс.:

16A

Сопротивление открытого канала:

47 мОм

Мощность макс.:

72Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

80нКл

Входная емкость:

900пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

RFD16N06LESM9A Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 16A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

16A

Сопротивление открытого канала:

47 мОм

Мощность макс.:

90Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

62нКл

Входная емкость:

1350пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

RFD3055LESM9A Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 11A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

11A

Сопротивление открытого канала:

107 мОм

Мощность макс.:

38Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

11.3нКл

Входная емкость:

350пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SIHD3N50D-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 3A

Производитель:

Vishay

Корпус:

TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

500В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

3.2 Ом

Мощность макс.:

69Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

12нКл

Входная емкость:

175пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SIHD5N50D-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 5.3A

Производитель:

Vishay

Корпус:

TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

500В

Ток стока макс.:

5.3A

Сопротивление открытого канала:

1.5 Ом

Мощность макс.:

104Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

20нКл

Входная емкость:

325пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SIHD6N65E-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 7A

Производитель:

Vishay

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

650В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

600 мОм

Мощность макс.:

78Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

48нКл

Входная емкость:

820пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SIHFRC20TR-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке

Производитель:

Vishay

Корпус:

DPAK

Напряжение сток-исток макс.:

600В

Ток стока макс.:

Тип транзистора:

N-канал

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SPD15P10PLGBTMA1 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 15A автомобильного применения 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

DPAK

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

15A

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Automotive

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SQD50N05-11L-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 50В 50A

Производитель:

Vishay

Корпус:

TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

50В

Ток стока макс.:

50A

Сопротивление открытого канала:

11 мОм

Мощность макс.:

75Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.5В

Заряд затвора:

52нКл

Входная емкость:

2106пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SQD50P08-25L_GE3 Полевой транзистор, P-канальный, 80 В, 50 А

Производитель:

Vishay

Корпус:

TO-252-3

Напряжение сток-исток макс.:

80В

Ток стока макс.:

50А

Мощность макс.:

136Вт

Тип транзистора:

P-канальный

Сообщить о поступлении

STD100N10F7 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 80A

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

DPAK

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

80A

Сопротивление открытого канала:

8 мОм

Мощность макс.:

120Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4.5В

Заряд затвора:

61нКл

Входная емкость:

4369пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

STD10N60M2 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

DPAK

Напряжение сток-исток макс.:

600В

Ток стока макс.:

7.5A

Сопротивление открытого канала:

600 мОм

Мощность макс.:

85Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

13.5нКл

Входная емкость:

400пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

STD10NM50N Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 7A

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

500В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

630 мОм

Мощность макс.:

70Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

17нКл

Входная емкость:

450пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

STD10P6F6 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 10A

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

DPAK

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

10A

Сопротивление открытого канала:

160 мОм

Мощность макс.:

35Вт

Тип транзистора:

P-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

6.4нКл

Входная емкость:

340пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

STD10PF06T4 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 10А 40Вт, 0.032 Ом

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

DPAK

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

10A

Сопротивление открытого канала:

200 мОм

Мощность макс.:

40Вт

Тип транзистора:

P-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

21нКл

Входная емкость:

850пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.69252 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"