Одиночные MOSFET транзисторы

359
Пороговое напряжение включения макс.:
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (359)
Акция
FDB8453LZ FDB8453LZ Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 50А 7 мОм
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
16.1A
Сопротивление открытого канала:
7 мОм
Мощность макс.:
3.1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
66нКл
Входная емкость:
3545пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
25 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 29,29
SUD50N04-8M8P-4GE3 SUD50N04-8M8P-4GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 14A
Производитель:
Vishay
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
14A
Сопротивление открытого канала:
8.8 мОм
Мощность макс.:
48.1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
56нКл
Входная емкость:
2400пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
20 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 76,92
FDC655BN FDC655BN Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 6.3A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SSOT6
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
6.3A
Сопротивление открытого канала:
25 мОм
Мощность макс.:
800мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
15нКл
Входная емкость:
570пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
60 шт
Цена от:
от 81,45
FDP7030BL FDP7030BL Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 60A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
60A
Сопротивление открытого канала:
9 мОм
Мощность макс.:
60Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
24нКл
Входная емкость:
1760пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
1 030 шт
Цена от:
от 143,12
FDS6680A FDS6680A Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 12.5А 2.5Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
12.5A
Сопротивление открытого канала:
9.5 мОм
Мощность макс.:
1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
23нКл
Входная емкость:
1620пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
100 шт
Цена от:
от 104,23
HUF76429S3ST HUF76429S3ST Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 47A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
47A
Сопротивление открытого канала:
22 мОм
Мощность макс.:
110Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
46нКл
Входная емкость:
1480пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
340 шт
Цена от:
от 176,01
SI7469DP-T1-E3 SI7469DP-T1-E3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 80В 28A
Производитель:
Vishay
Корпус:
PowerPAKВ® SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
80В
Ток стока макс.:
28A
Сопротивление открытого канала:
25 мОм
Мощность макс.:
83Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
160нКл
Входная емкость:
4700пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
670 шт
Аналоги:
30 шт
Цена от:
от 95,83
SI7469DP-T1-GE3 SI7469DP-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 80В 28A
Производитель:
Vishay
Корпус:
PowerPAKВ® SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
80В
Ток стока макс.:
28A
Сопротивление открытого канала:
25 мОм
Мощность макс.:
83Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
160нКл
Входная емкость:
4700пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
30 шт
Аналоги:
670 шт
Цена от:
от 145,23
SI9435BDY-T1-E3 SI9435BDY-T1-E3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 4.1A
Производитель:
Vishay
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
4.1A
Сопротивление открытого канала:
42 мОм
Мощность макс.:
1.3Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
24нКл
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
800 шт
Цена от:
от 42,60
SUM110P06-07L-E3 SUM110P06-07L-E3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 110A
Производитель:
Vishay
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
110A
Сопротивление открытого канала:
6.9 мОм
Мощность макс.:
3.75Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
345нКл
Входная емкость:
11400пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
11 шт
Цена от:
от 255,46
SUM110P08-11L-E3 SUM110P08-11L-E3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 80В 110A
Производитель:
Vishay
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
80В
Ток стока макс.:
110A
Сопротивление открытого канала:
11.2 мОм
Мощность макс.:
375Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
270нКл
Входная емкость:
10850пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
12 шт
Цена от:
от 297,23
Акция
2N7000 2N7000 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 350мА
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO92-3
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
200мА
Сопротивление открытого канала:
5 Ом
Мощность макс.:
400мВт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Входная емкость:
50пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
18 731 шт
Цена от:
от 3,96
2N7000BU 2N7000BU Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 200мА
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO92-3
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
200мА
Сопротивление открытого канала:
5 Ом
Мощность макс.:
400мВт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Входная емкость:
50пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
18 731 шт
Цена от:
от 3,96
AOD413 AOD413 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 40В 12А 25Вт
Производитель:
Alpha & Omega Semiconductor
Корпус:
TO-252
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
24A
Сопротивление открытого канала:
45 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
14.1нКл
Входная емкость:
850пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
1 054 шт
Цена от:
от 12,99
AUIRL1404S AUIRL1404S Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 160A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
160A
Сопротивление открытого канала:
4 мОм
Мощность макс.:
3.8Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
140нКл
Входная емкость:
6600пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
AUIRL3705ZS AUIRL3705ZS Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 75A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
75A
Сопротивление открытого канала:
8 мОм
Мощность макс.:
130Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
60нКл
Входная емкость:
2880пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
AUIRLR014N AUIRLR014N Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 10A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
10A
Сопротивление открытого канала:
140 мОм
Мощность макс.:
28Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
7.9нКл
Входная емкость:
265пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Акция
AUIRLR2905Z AUIRLR2905Z Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 42A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
42A
Сопротивление открытого канала:
13.5 мОм
Мощность макс.:
110Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
35нКл
Входная емкость:
1570пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
220 шт
Цена от:
от 137,25
BS170FTA BS170FTA Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 150мА
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT23-3
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
150мА
Сопротивление открытого канала:
5 Ом
Мощность макс.:
330мВт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Входная емкость:
60пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
3 606 шт
Цена от:
от 4,93
BS170_D26Z BS170_D26Z Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 500мА
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO92-3
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
500мА
Сопротивление открытого канала:
5 Ом
Мощность макс.:
830мВт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Входная емкость:
40пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
3 606 шт
Цена от:
от 5,17
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.62466 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"