Одиночные MOSFET транзисторы

468
Пороговое напряжение включения макс.:
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (468)
IXTP3N120 IXTP3N120 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 1.2кВ 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220
Производитель:
Littelfuse
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
1200В
Ток стока макс.:
3A
Сопротивление открытого канала:
4.5 Ом
Мощность макс.:
200Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
42нКл
Входная емкость:
1350пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
183 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 367,78
Акция
STD6N95K5 STD6N95K5 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 950В 9A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
950В
Ток стока макс.:
9A
Сопротивление открытого канала:
1.25 Ом
Мощность макс.:
90Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
13нКл
Входная емкость:
450пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
169 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 63,77
FDPF39N20 FDPF39N20 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 39А 0066 Ом, 37Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220F
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
39A
Сопротивление открытого канала:
66 мОм
Мощность макс.:
37Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
49нКл
Входная емкость:
2130пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
160 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 128,83
Акция
FQPF6N90C FQPF6N90C Транзистор полевой MOSFET N-канальный 900В 6А 56Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220F
Напряжение сток-исток макс.:
900В
Ток стока макс.:
6A
Сопротивление открытого канала:
2.3 Ом
Мощность макс.:
56Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
40нКл
Входная емкость:
1770пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
150 шт

Внешние склады:
20 шт
Цена от:
от 150,35
Акция
IRFB4137PBF IRFB4137PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 300В 38A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
300В
Ток стока макс.:
38A
Сопротивление открытого канала:
69 мОм
Мощность макс.:
341Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
125нКл
Входная емкость:
5168пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
145 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 300,68
IRFB52N15DPBF IRFB52N15DPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 51А 320Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
150В
Ток стока макс.:
51A
Сопротивление открытого канала:
32 мОм
Мощность макс.:
3.8Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
89нКл
Входная емкость:
2770пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
140 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 97,95
Акция
STF16N65M5 STF16N65M5 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 12А 0.299 Ом, 25Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220F
Напряжение сток-исток макс.:
650В
Ток стока макс.:
12A
Сопротивление открытого канала:
299 мОм
Мощность макс.:
25Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
45нКл
Входная емкость:
1250пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
135 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 245,40
IRFP4137PBF IRFP4137PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 300В 38А 341Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247AC
Напряжение сток-исток макс.:
300В
Ток стока макс.:
38A
Сопротивление открытого канала:
69 мОм
Мощность макс.:
341Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
125нКл
Входная емкость:
5168пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
125 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 841,01
IRFI4227PBF IRFI4227PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 47А 46Вт, 0.021 Ом
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220F
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
26A
Сопротивление открытого канала:
25 мОм
Мощность макс.:
46Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
110нКл
Входная емкость:
4600пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
124 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 330,83
Акция
STP12NM50FP STP12NM50FP Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 12А 160Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220FP
Напряжение сток-исток макс.:
500В
Ток стока макс.:
12A
Сопротивление открытого канала:
350 мОм
Мощность макс.:
35Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
39нКл
Входная емкость:
1000пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
120 шт

Внешние склады:
95 шт
Цена от:
от 209,72
STW9N150 STW9N150 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 1500В 8А 320Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-247
Напряжение сток-исток макс.:
1500В
Ток стока макс.:
8A
Сопротивление открытого канала:
2.5 Ом
Мощность макс.:
320Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
89.3нКл
Входная емкость:
3255пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
120 шт

Внешние склады:
8 шт
Цена от:
от 296,35
FDP52N20 FDP52N20 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 52А 357Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
52A
Сопротивление открытого канала:
49 мОм
Мощность макс.:
357Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
63нКл
Входная емкость:
2900пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
114 шт

Внешние склады:
730 шт
Цена от:
от 151,79
Акция
FQP6N80C FQP6N80C Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 5.5А 2.5 Ом, 158Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
800В
Ток стока макс.:
5.5A
Сопротивление открытого канала:
2.5 Ом
Мощность макс.:
158Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
30нКл
Входная емкость:
1310пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
112 шт

Внешние склады:
67 шт
Цена от:
от 198,41
Акция
FQD1N80TM FQD1N80TM Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 1А 20 Ом, 45Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
800В
Ток стока макс.:
1A
Сопротивление открытого канала:
20 Ом
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
7.2нКл
Входная емкость:
195пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
107 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 13,38
Акция
STP11NM80 STP11NM80 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 11A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
800В
Ток стока макс.:
11A
Сопротивление открытого канала:
400 мОм
Мощность макс.:
150Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
43.6нКл
Входная емкость:
1630пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
104 шт

Внешние склады:
212 шт
Цена от:
от 239,02
IRFB20N50KPBF IRFB20N50KPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 20А 280Вт
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
500В
Ток стока макс.:
20A
Сопротивление открытого канала:
250 мОм
Мощность макс.:
280Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
110нКл
Входная емкость:
2870пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
101 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 717,33
STF15N80K5 STF15N80K5 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 14A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220FP
Напряжение сток-исток макс.:
800В
Ток стока макс.:
14A
Сопротивление открытого канала:
375 мОм
Мощность макс.:
35Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
32нКл
Входная емкость:
1100пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
101 шт

Внешние склады:
82 976 шт
Цена от:
от 146,48
FDA38N30 FDA38N30 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 300В
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-3P(N)
Напряжение сток-исток макс.:
300В
Ток стока макс.:
38A
Сопротивление открытого канала:
85 мОм
Мощность макс.:
312Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
60нКл
Входная емкость:
2600пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
88 шт

Внешние склады:
410 шт
Цена от:
от 199,25
Акция
SIHF6N40D-E3 SIHF6N40D-E3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 400В 6A
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-220 Full Pack
Напряжение сток-исток макс.:
400В
Ток стока макс.:
6A
Сопротивление открытого канала:
1 Ом
Мощность макс.:
30Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
18нКл
Входная емкость:
311пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
86 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 58,48
IRFU4615PBF IRFU4615PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 33A. 144Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
I-Pak (TO-251AA)
Напряжение сток-исток макс.:
150В
Ток стока макс.:
33A
Сопротивление открытого канала:
42 мОм
Мощность макс.:
144Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
26нКл
Входная емкость:
1750пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
85 шт

Внешние склады:
110 шт
Цена от:
от 87,48
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.62466 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"