Одиночные MOSFET транзисторы

₄₆₈

Пороговое напряжение включения макс.: 5В

Фильтр

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Chassis Mount (8)
Surface Mount (3357)
Through Hole (1862)

Умный фильтр

Показать

Одиночные MOSFET транзисторы (468)

FCD9N60NTM Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 9A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

600В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

385 мОм

Мощность макс.:

92.6Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

17.8нКл

Входная емкость:

1000пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Связаться с инженером по применению

FCH041N60F Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 76A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-247-3

Напряжение сток-исток макс.:

600В

Ток стока макс.:

76A

Сопротивление открытого канала:

41 мОм

Мощность макс.:

595Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

360нКл

Входная емкость:

14365пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Связаться с инженером по применению

FCH072N60F Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 52A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-247

Напряжение сток-исток макс.:

600В

Ток стока макс.:

52A

Сопротивление открытого канала:

72 мОм

Мощность макс.:

481Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

215нКл

Входная емкость:

8660пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Связаться с инженером по применению

FCH47N60-F133 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 47A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-247-3

Напряжение сток-исток макс.:

600В

Ток стока макс.:

47A

Сопротивление открытого канала:

70 мОм

Мощность макс.:

417Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

270нКл

Входная емкость:

8000пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Связаться с инженером по применению

FCH47N60F-F133 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 47A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-247-3

Напряжение сток-исток макс.:

600В

Ток стока макс.:

47A

Сопротивление открытого канала:

70 мОм

Мощность макс.:

417Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

270нКл

Входная емкость:

8000пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Связаться с инженером по применению

Акция

FCP11N60 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 11А 0.38 Ом, 125Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220

Напряжение сток-исток макс.:

600В

Ток стока макс.:

11A

Сопротивление открытого канала:

380 мОм

Мощность макс.:

125Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

52нКл

Входная емкость:

1490пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Связаться с инженером по применению

Акция

FCP11N60F Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 11А 0.32 Ом, 125Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220

Напряжение сток-исток макс.:

600В

Ток стока макс.:

11A

Сопротивление открытого канала:

380 мОм

Мощность макс.:

125Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

52нКл

Входная емкость:

1490пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Связаться с инженером по применению

FCP4N60 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 3.9A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220

Напряжение сток-исток макс.:

600В

Ток стока макс.:

3.9A

Сопротивление открытого канала:

1.2 Ом

Мощность макс.:

50Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

16.6нКл

Входная емкость:

540пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Связаться с инженером по применению

FCPF11N60 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 11A TO220F

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220F

Напряжение сток-исток макс.:

600В

Ток стока макс.:

11A

Сопротивление открытого канала:

380 мОм

Мощность макс.:

36Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

52нКл

Входная емкость:

1490пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Связаться с инженером по применению

FCPF16N60 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 16A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220F

Напряжение сток-исток макс.:

600В

Ток стока макс.:

16A

Сопротивление открытого канала:

260 мОм

Мощность макс.:

37.9Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

70нКл

Входная емкость:

2250пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Связаться с инженером по применению

FCPF7N60 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 7A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220F

Напряжение сток-исток макс.:

600В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

600 мОм

Мощность макс.:

31Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

30нКл

Входная емкость:

920пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Связаться с инженером по применению

FDA16N50_F109 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 16.5A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-3P(N)

Напряжение сток-исток макс.:

500В

Ток стока макс.:

16.5A

Сопротивление открытого канала:

380 мОм

Мощность макс.:

205Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

45нКл

Входная емкость:

1945пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Связаться с инженером по применению

FDA18N50 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 19A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-3P

Напряжение сток-исток макс.:

500В

Ток стока макс.:

19A

Сопротивление открытого канала:

265 мОм

Мощность макс.:

239Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

60нКл

Входная емкость:

2860пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Связаться с инженером по применению

FDA20N50F Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 22А 0.23 Ом, 280Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-3P(N)

Напряжение сток-исток макс.:

500В

Ток стока макс.:

22A

Сопротивление открытого канала:

260 мОм

Мощность макс.:

388Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

65нКл

Входная емкость:

3390пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Связаться с инженером по применению

Акция

FDA24N50 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 24A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-3P(N)

Напряжение сток-исток макс.:

500В

Ток стока макс.:

24A

Сопротивление открытого канала:

190 мОм

Мощность макс.:

270Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

85нКл

Входная емкость:

4150пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Связаться с инженером по применению

FDA50N50 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 48A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-3P(N)

Напряжение сток-исток макс.:

500В

Ток стока макс.:

48A

Сопротивление открытого канала:

105 мОм

Мощность макс.:

625Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

137нКл

Входная емкость:

6460пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Связаться с инженером по применению

FDA69N25 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 69A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-3PN

Напряжение сток-исток макс.:

250В

Ток стока макс.:

69A

Сопротивление открытого канала:

41 мОм

Мощность макс.:

480Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

100нКл

Входная емкость:

4640пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Связаться с инженером по применению

FDA70N20 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 70A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-3P(N)

Напряжение сток-исток макс.:

200В

Ток стока макс.:

70A

Сопротивление открытого канала:

35 мОм

Мощность макс.:

417Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

86нКл

Входная емкость:

3970пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Связаться с инженером по применению

FDB14N30TM Транзистор полевой MOSFET N-канальный 300В 14A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DBІPAK

Напряжение сток-исток макс.:

300В

Ток стока макс.:

14A

Сопротивление открытого канала:

290 мОм

Мощность макс.:

140Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

25нКл

Входная емкость:

1060пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Связаться с инженером по применению

FDB2710 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 50A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DBІPAK

Напряжение сток-исток макс.:

250В

Ток стока макс.:

50A

Сопротивление открытого канала:

42.5 мОм

Мощность макс.:

260Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

101нКл

Входная емкость:

7280пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Связаться с инженером по применению

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.72 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"