Одиночные MOSFET транзисторы

3875
Тип транзистора: N-канал
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (3875)
FCPF20N60 FCPF20N60 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 20А 0.15 Ом, 39Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220F
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
20A
Сопротивление открытого канала:
190 мОм
Мощность макс.:
39Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
98нКл
Входная емкость:
3080пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
82 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 393,08
FDA24N40F FDA24N40F Транзистор полевой MOSFET N-канальный 400В 23А 235Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-3P(N)
Напряжение сток-исток макс.:
400В
Ток стока макс.:
23A
Сопротивление открытого канала:
190 мОм
Мощность макс.:
235Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
60нКл
Входная емкость:
3030пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
192 шт

Внешние склады:
2 328 шт
Цена от:
от 164,14
FDA24N50 FDA24N50 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 24A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-3P(N)
Напряжение сток-исток макс.:
500В
Ток стока макс.:
24A
Сопротивление открытого канала:
190 мОм
Мощность макс.:
270Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
85нКл
Входная емкость:
4150пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
78 шт

Внешние склады:
417 шт
Цена от:
от 325,59
FDA38N30 FDA38N30 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 300В
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-3P(N)
Напряжение сток-исток макс.:
300В
Ток стока макс.:
38A
Сопротивление открытого канала:
85 мОм
Мощность макс.:
312Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
60нКл
Входная емкость:
2600пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
106 шт

Внешние склады:
1 080 шт
Цена от:
от 151,07
-6% Акция
FDA59N25 FDA59N25 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 59А 390Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-3P(N)
Напряжение сток-исток макс.:
250В
Ток стока макс.:
59A
Сопротивление открытого канала:
49 мОм
Мощность макс.:
392Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
82нКл
Входная емкость:
4020пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
55 шт

Внешние склады:
495 шт
Цена от:
от 267,04
FDA59N30 FDA59N30 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 300В 59A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-3P(N)
Напряжение сток-исток макс.:
300В
Ток стока макс.:
59A
Сопротивление открытого канала:
56 мОм
Мощность макс.:
500Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
100нКл
Входная емкость:
4670пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
249 шт

Внешние склады:
2 028 шт
Цена от:
от 117,31
Акция
FDB33N25TM FDB33N25TM Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 33А 235Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
250В
Ток стока макс.:
33A
Сопротивление открытого канала:
94 мОм
Мощность макс.:
235Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
48нКл
Входная емкость:
2135пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
123 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 113,25
FDD13AN06A0 FDD13AN06A0 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 50А 13 мОм
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
9.9A
Сопротивление открытого канала:
13.5 мОм
Мощность макс.:
115Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Automotive
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
29нКл
Входная емкость:
1350пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
233 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 115,90
FDD8447L FDD8447L Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 50А 44Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
15.2A
Сопротивление открытого канала:
8.5 мОм
Мощность макс.:
1.3Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
52нКл
Входная емкость:
1970пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
3 430 шт

Внешние склады:
5 000 шт
Цена от:
от 32,42
FDD850N10L FDD850N10L Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 15А 50Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
15.7A
Сопротивление открытого канала:
75 мОм
Мощность макс.:
50Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Заряд затвора:
28.9нКл
Входная емкость:
1465пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
323 шт

Внешние склады:
2 500 шт
Цена от:
от 63,08
FDD8647L FDD8647L Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 14A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
14A
Сопротивление открытого канала:
9 мОм
Мощность макс.:
3.1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
28нКл
Входная емкость:
1640пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
588 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 75,59
FDD8896 FDD8896 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 85А 80Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
17A
Сопротивление открытого канала:
5.7 мОм
Мощность макс.:
80Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Заряд затвора:
60нКл
Входная емкость:
2525пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
158 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 56,75
FDD8N50NZ FDD8N50NZ Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 6.5А 90Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK
Напряжение сток-исток макс.:
500В
Ток стока макс.:
6.5A
Мощность макс.:
90Вт
Тип транзистора:
N-канал
Наличие:
98 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 51,24
-6% Акция
FDMC7660S FDMC7660S Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
Power33
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
20A
Сопротивление открытого канала:
2.2 мОм
Мощность макс.:
2.3Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Заряд затвора:
66нКл
Входная емкость:
4325пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
97 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 56,19
-6% Акция
FDN327N FDN327N Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 2А 0.07 Ом, 0.5Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23 (SuperSOT-3)
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
2A
Сопротивление открытого канала:
70 мОм
Мощность макс.:
460мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate, 1.8V Drive
Пороговое напряжение включения макс.:
1.5В
Заряд затвора:
6.3нКл
Входная емкость:
423пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
409 шт

Внешние склады:
9 000 шт
Цена от:
от 6,35
Акция
FDN335N FDN335N Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 1.7А 0.5Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
3-SSOT
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
1.7A
Сопротивление открытого канала:
70 мОм
Мощность макс.:
460мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate, 2.5V Drive
Пороговое напряжение включения макс.:
1.5В
Заряд затвора:
5нКл
Входная емкость:
310пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
3 171 шт

Внешние склады:
12 390 шт
Цена от:
от 8,94
FDN337N FDN337N Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 2,2А 0.054 Ом, 0.5Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23 (SuperSOT-3)
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
2.2A
Сопротивление открытого канала:
65 мОм
Мощность макс.:
460мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
9нКл
Входная емкость:
300пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
3 029 шт

Внешние склады:
22 174 шт
Цена от:
от 6,35
-6% Акция
FDN357N FDN357N Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 1.9А 0.5Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
3-SSOT
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
1.9A
Сопротивление открытого канала:
60 мОм
Мощность макс.:
460мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
5.9нКл
Входная емкость:
235пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
2 006 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 5,50
FDP2532 FDP2532 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 79A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
150В
Ток стока макс.:
8A(Ta),79A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
16 мОм @ 33А, 10В
Мощность макс.:
310Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
4В @ 250 µA
Заряд затвора:
107нКл @ 10В
Входная емкость:
5870пФ @ 25В
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
67 шт

Внешние склады:
1 350 шт
Цена от:
от 141,86
FDP52N20 FDP52N20 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 52А 357Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
52A
Сопротивление открытого канала:
49 мОм
Мощность макс.:
357Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
63нКл
Входная емкость:
2900пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
59 шт

Внешние склады:
1 690 шт
Цена от:
от 117,56
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.40992 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"