Одиночные MOSFET транзисторы Infineon Technologies

2191
Производитель: Infineon Technologies
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (2191)
IRF8707PBF IRF8707PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 11А 2.5Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
11A
Сопротивление открытого канала:
11.9 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.35В
Заряд затвора:
9.3нКл
Входная емкость:
760пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
2 196 шт
Цена от:
от 20,07
Акция
IRF8714PBF IRF8714PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 14А 2,5Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
14A
Сопротивление открытого канала:
8.7 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.35В
Заряд затвора:
12нКл
Входная емкость:
1020пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
1 736 шт
Цена от:
от 27,44
Акция
IRF8721PBF IRF8721PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 14А 2,5Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
14A
Сопротивление открытого канала:
8.5 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.35В
Заряд затвора:
12нКл
Входная емкость:
1040пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
2 638 шт
Цена от:
от 31,93
IRF8734PBF Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 21 А
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
8-SO
Напряжение сток-исток макс.:
30V
Ток стока макс.:
21A
Сопротивление открытого канала:
3.5 mOhm
Мощность макс.:
2.5W
Тип транзистора:
N-Channel
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.35V
Заряд затвора:
30nC
Входная емкость:
3175pF
Тип монтажа:
Surface Mount
IRF8736PBF IRF8736PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 18А 2.5Вт, 0.0048 Ом
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
18A
Сопротивление открытого канала:
4.8 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.35В
Заряд затвора:
26нКл
Входная емкость:
2315пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
5 864 шт
Цена от:
от 12,86
Акция
IRF8788PBF IRF8788PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 24А 2.5Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
24A
Сопротивление открытого канала:
2.8 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.35В
Заряд затвора:
66нКл
Входная емкость:
5720пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
6 135 шт
Цена от:
от 52,93
IRF8910PBF IRF8910PBF Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 20 В, 10 А
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
10A
Тип транзистора:
N-канал
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
2 605 шт
Цена от:
от 48,63
IRF8915TRPBF IRF8915TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 8.9A 8-Pin SOIC лента на катушке
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
8.9A
Сопротивление открытого канала:
18.3 мОм @ 8.9А, 10В
Мощность макс.:
2Вт
Тип транзистора:
N-канальный
Тип монтажа:
Surface Mount
Акция
IRF9310PBF IRF9310PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 20А 2.5Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
20A
Сопротивление открытого канала:
4.6 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.4В
Заряд затвора:
165нКл
Входная емкость:
5250пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
25 014 шт
Цена от:
от 9,92
Акция
IRF9317PBF IRF9317PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 16A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
16A
Сопротивление открытого канала:
6.6 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.4В
Заряд затвора:
92нКл
Входная емкость:
2820пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
4 235 шт
Цена от:
от 45,23
IRF9321PBF IRF9321PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 15А 2.5Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
15A
Сопротивление открытого канала:
7.2 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.4В
Заряд затвора:
98нКл
Входная емкость:
2590пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
9 570 шт
Цена от:
от 22,71
Акция
IRF9328PBF IRF9328PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 12A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
12A
Сопротивление открытого канала:
11.9 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.4В
Заряд затвора:
52нКл
Входная емкость:
1680пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
1 197 шт
Цена от:
от 86,25
IRF9332TRPBF IRF9332TRPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 9.8A 8SOIC
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
9.8A(Ta)
Сопротивление открытого канала:
17.5 мОм @ 9.8А, 10В
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.4В @ 25 µA
Заряд затвора:
41нКл @ 10В
Входная емкость:
1270пФ @ 25В
Тип монтажа:
Surface Mount
Акция
IRF9333PBF IRF9333PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 9.2А 2.5Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SOIC8
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
9.2A
Сопротивление открытого канала:
19.4 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.4В
Заряд затвора:
38нКл
Входная емкость:
1110пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
389 шт
Цена от:
от 7,28
IRF9383MTRPBF IRF9383MTRPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 22A DIRECTFET
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DIRECTFET[тм] MX
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
22A(Ta),160A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
2.9 мОм @ 22А, 10В
Мощность макс.:
2.1Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
2.4В @ 150 µA
Заряд затвора:
130нКл @ 10В
Входная емкость:
7305пФ @ 15В
Тип монтажа:
Surface Mount
Акция
IRF9388PBF IRF9388PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 12A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
12A
Сопротивление открытого канала:
8.5 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.4В
Заряд затвора:
52нКл
Входная емкость:
1680пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
IRF9410TRPBF IRF9410TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 7A 8-SOIC
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
7A(Ta)
Сопротивление открытого канала:
30 мОм @ 7А, 10В
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1В @ 250 µA
Заряд затвора:
27нКл @ 10В
Входная емкость:
550пФ @ 25В
Тип монтажа:
Surface Mount
IRF9520NSPBF IRF9520NSPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 6.8A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
6.8A
Сопротивление открытого канала:
480 мОм
Мощность макс.:
3.8Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
27нКл
Входная емкость:
350пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Акция
IRF9530NSPBF IRF9530NSPBF Транзистор полевой P-канальный 100В 14А 79Вт, 0.2 Ом
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2PAK/TO263
IRF9540NLPBF IRF9540NLPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 23A TO262-3
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-262
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
23A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
117 мОм @ 14А, 10В
Мощность макс.:
3.1Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
4В @ 250 µA
Заряд затвора:
110нКл @ 10В
Входная емкость:
1450пФ @ 25В
Тип монтажа:
Through Hole
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы Infineon Technologies

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы Infineon Technologies в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы Infineon Technologies - от 0.72 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы Infineon Technologies в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы Infineon Technologies в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"