8 800 1000 321 - контакт центр

Одиночные IGBT транзисторы

Вид: 
Таблицой
Витриной
Показывать: 
по:

Производитель

Корпус

Макс. напр. коллектор-эмиттер

Макс. ток коллектора

Импульсный ток коллектора макс.

Напр. насыщения К-Э макс.

Макс. рассеиваемая мощность

Переключаемая энергия

Заряд затвора

Время задержки вкл./выкл.

Время обратного восстановления


123456>>>

  - Новинка      - На позицию действует специальное предложение по цене      - Позиция попадает под 'Распродажу', оптовая цена ниже цены производителя
Фото Наименование
Произ-ль Корпус Со склада В пути Под заказ Норм. упаковка Краткое описание
КупитьМакс. напр. коллектор-эмиттерМакс. ток коллектораИмпульсный ток коллектора макс.Напр. насыщения К-Э макс.Макс. рассеиваемая мощностьПереключаемая энергияЗаряд затвораВремя задержки вкл./выкл.Время обратного восстановления
Цены, руб. Всего Розн. маг. Всего Мин. цена Мин. кол.
для заказа
AUIRG4PH50S AUIRG4PH50S   IRF TO-247-3
1:
233.59

5:
216.81

25:
200.41
59 -   850 181.99 руб. 25 25 Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 57 А, 200 Вт
1200 В57 А114 А1.7 В200 Вт1.8 мДж167 нКл32 нс/845 нс
AUIRGP35B60PD AUIRGP35B60PD   INF TO-247-3 - - -   250 315.11 руб. 50 3 Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 60 А, 308 Вт
600 В60 А120 А2.55 В308 Вт220 мкДж160 нКл26 нс/110 нс
AUIRGP35B60PD-E AUIRGP35B60PD-E   IRF TO-247-3 - - -   100 332.98 руб. 50 25 Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 60 А, 308 Вт
600 В60 А120 А2.55 В308 Вт220 мкДж55 нКл26 нс/110 нс42 нс
AUIRGP4062D AUIRGP4062D    IRF   - - -   125 286.77 руб. 50 25 Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 48 А, 250000 мВт
AUIRGP4063D AUIRGP4063D   INF TO-247-3 - - -   250 416.59 руб. 50 4 Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 96 А, 330 Вт
600 В100 А144 А1.9 В330 Вт625 мкДж140 нКл60 нс/145 нс115 нс
AUIRGP4066D1-E AUIRGP4066D1-E   IRF TO-247-3 - - -   50 519.05 руб. 50 25 Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 140 А, 454 Вт
600 В140 А225 А2.1 В454 Вт4.24 мДж225 нКл50 нс/200 нс240 нс
AUIRGP50B60PD1 AUIRGP50B60PD1   IRF TO-247-3
1:
403.72

5:
372.67

25:
341.61
30 -   940 363.86 руб. 1 25 Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 75 А, 390 Вт
600 В75 А150 А2.85 В390 Вт255 мкДж205 нКл30 нс/130 нс42 нс
AUIRGR4045D AUIRGR4045D   INF DPAK/TO252 - - -   220 79.98 руб. 33 20 Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 12 А, 77 Вт
600 В12 А18 А2 В77 Вт56 мкДж19.5 нКл27 нс/75 нс74 нс
AUIRGS30B60K AUIRGS30B60K   IRF D2PAK/TO263 - - -   300 148.57 руб. 100 50 Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 78 А, 370 Вт
600 В78 А120 А2.35 В370 Вт350 мкДж102 нКл46 нс/185 нс
AUIRGS4062D1 AUIRGS4062D1   IRF D2PAK/TO263 - - -   602 231.73 руб. 14 50 Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 59 А, 246 Вт
600 В59 А72 А1.77 В246 Вт532 мкДж77 нКл19 нс/90 нс102 нс
AUIRGSL30B60K AUIRGSL30B60K   IRF I2PAK - - -   150 148.57 руб. 100 50 Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 78 А, 370 Вт
600 В78 А120 А2.35 В370 Вт350 мкДж102 нКл46 нс/185 нс
BUP314D BUP314D   INF   - - -   200 357.04 руб. 1 5 Биполярный транзистор IGBT
F3L200R07PE4BOSA1 F3L200R07PE4BOSA1    INF   - - -   6 8 535.69 руб. 6 6 Биполярный транзистор IGBT, 650 В, 200 А, 680000 мВт
FGA20N120FTDTU FGA20N120FTDTU   ONS TO-3P - - -   2231 198.25 руб. 17 30 Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 40 А, 298 Вт
1200 В40 А60 А2 В298 Вт137 нКл447 нс
FGA25N120ANTDTU FGA25N120ANTDTU  ONS TO-3P
1:
159.88

10:
139.75

30:
124.35
566 68   877 118.13 руб. 3 30 Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 25 А, 312 Вт
1200 В50 А90 А2.65 В312 Вт4.1 мДж200 нКл50 нс/190 нс350 нс
FGA90N33ATDTU FGA90N33ATDTU   ONS TO-3P
1:
152.43

10:
127.02

60:
111.78
13 13   - - - 30 Биполярный транзистор IGBT, 330 В, 90 А, 223 Вт
330 В90 А330 А1.4 В223 Вт95 нКл23 нс
FGAF40N60SMD FGAF40N60SMD   ONS TO-247-3
1:
181.34

10:
174.75

30:
164.85
- -   - - - 30 Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 80 А, 79 Вт600 В80 А120 А1.9 В115 Вт870 мкДж119 нКл12 нс/92 нс36 нс
FGB20N60SF FGB20N60SF   ONS D2PAK/TO263
1:
118.81

200:
96.88

800:
91.40
- -   - - - 800 Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 40 А, 208 Вт600 В40 А60 А2.8 В208 Вт370 мкДж65 нКл13 нс/90 нс
FGD4536 FGD4536   FSC1 DPAK/TO252
1:
61.95

10:
51.63

50:
45.43
38 38   - - - 75 Биполярный транзистор IGBT, 360 В, 50 А, 125 Вт
FGH30S130P FGH30S130P   ONS TO-247-3 - - -   364 173.02 руб. 20 300 Биполярный транзистор IGBT, 1300 В, 60 А, 500 Вт
1300 В60 А90 А2.3 В500 Вт78 нКл
FGH40N60SFDTU FGH40N60SFDTU   ONS TO-247-3
1:
168.41

10:
147.36

30:
132.32
- -   4245 119.44 руб. 28 30 Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 80 А, 290 Вт
600 В80 А120 А2.9 В290 Вт1.13 мДж120 нКл25 нс/115 нс45 нс
FGH40N60SMD FGH40N60SMD   ONS TO-247-3
1:
262.23

30:
229.45

90:
206.04
1022 136   300 227.72 руб. 2 30 Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 40 А, 290 Вт
600 В80 А120 А2.5 В349 Вт870 мкДж119 нКл12 нс/92 нс36 нс
FGH40N60UFDTU FGH40N60UFDTU   ONS TO-247-3
1:
194.60

30:
170.28

90:
152.90
1332 494   500 235.95 руб. 2 30 Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 40 А, 290 Вт
600 В80 А120 А2.4 В290 Вт1.19 мДж120 нКл24 нс/112 нс45 нс
FGH40T100SMD FGH40T100SMD   ONS TO-247-3
1:
242.49

10:
212.18

30:
190.53
153 48 В пути 306 166.29 руб. 20 30 Биполярный транзистор IGBT, 1000 В, 80 А, 333 Вт
1000 В80 А120 А2.3 В333 Вт2.35 мДж265 нКл29 нс/285 нс78 нс

123456>>>

сообщение об ошибке