Одиночные IGBT транзисторы

82
Корпус: TO220F
Фильтр
Корпус
Макс. напр. коллектор-эмиттер
Макс. ток коллектора
Импульсный ток коллектора макс.
Макс. рассеиваемая мощность
Переключаемая энергия
Одиночные IGBT транзисторы (82)
-5% Акция
IXGP90N33TCM-A IXGP90N33TCM-A Биполярный транзистор IGBT, 330 В, 40 А, 57 Вт
Производитель:
Littelfuse
Корпус:
TO-220FP
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
330 В
Макс. ток коллектора:
40 А
Макс. рассеиваемая мощность:
57W
Наличие:
24 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 103,34
-5% Акция
IRG4BC30KPBF IRG4BC30KPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 28 А, 100 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
28 А
Импульсный ток коллектора макс.:
58 А
Макс. рассеиваемая мощность:
100 Вт
Переключаемая энергия:
360 мкДж
Наличие:
20 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 230,04
Акция
STGF5H60DF STGF5H60DF Биполярный транзистор IGBT N-канальный 600В 10A 24Вт 3-Pin(3+Tab) TO-220FP туба
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220F
Наличие:
16 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 55,55
Акция
STGF15H60DF STGF15H60DF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 30А, 30 Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220FP
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600V
Макс. ток коллектора:
30A
Импульсный ток коллектора макс.:
60A
Макс. рассеиваемая мощность:
30W
Переключаемая энергия:
136 µJ (on), 207 µJ (off)
Наличие:
15 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 92,88
FGPF4533 FGPF4533 Биполярный транзистор IGBT, 330 В, 50 А/200 А, 28 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220F
FGPF4533TU FGPF4533TU Биполярный транзистор IGBT, 330 В, 50 А/200 А, 28 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220F
FGPF4536 FGPF4536 Биполярный транзистор IGBT, 230 В, 50 А, 30 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220F
FGPF4633 FGPF4633 Биполярный транзистор IGBT, 330 В, 70 А, 30 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220F formed lead
FGPF4633TU FGPF4633TU Биполярный транзистор IGBT, 330 В, 70 А, 30 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220F
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
330V
Макс. ток коллектора:
70A
Макс. рассеиваемая мощность:
30W
Акция
FGT313 FGT313 Биполярный транзистор IGBT, 330 В, 30 А/200 А, 35 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220F
GT30F124 GT30F124 Биполярный транзистор IGBT, 300 В, 30 А
Производитель:
Toshiba Semiconductor
Корпус:
TO-220F
GT30F125 GT30F125 Биполярный транзистор IGBT, 330 В, 200 А
Производитель:
Toshiba Semiconductor
Корпус:
TO-220F
Акция
GT30G122 GT30G122 Биполярный транзистор IGBT, 400 В, 30 А
Производитель:
Toshiba Semiconductor
Корпус:
TO-220SIS (SC-67)
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
400V
Макс. ток коллектора:
30A
GT30J127 GT30J127 Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 30 А/200 А, 25 Вт
Производитель:
Toshiba Semiconductor
Корпус:
TO-220F
Акция
GT45G122 GT45G122 Биполярный транзистор IGBT, 400 В, 45 А, 25 Вт
Производитель:
Toshiba Semiconductor
Корпус:
TO-220F
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
400V
Макс. ток коллектора:
45A
Макс. рассеиваемая мощность:
25W
HGTP10N120BN HGTP10N120BN Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 35 А, 298 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220AB
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200 В
Макс. ток коллектора:
35 А
Импульсный ток коллектора макс.:
80 А
Макс. рассеиваемая мощность:
298 Вт
Переключаемая энергия:
320 мкДж
HGTP12N60C3D HGTP12N60C3D Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 24 А, 104 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220AB
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
24 А
Импульсный ток коллектора макс.:
96 А
Макс. рассеиваемая мощность:
104 Вт
Переключаемая энергия:
380 мкДж
HGTP20N60A4 HGTP20N60A4 Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 70 А, 290 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220AB
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600V
Макс. ток коллектора:
70A
Импульсный ток коллектора макс.:
280A
Макс. рассеиваемая мощность:
290W
Переключаемая энергия:
105 µJ (on), 150 µJ (off)
IGP06N60TXKSA1 IGP06N60TXKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 12 А, 88 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600V
Макс. ток коллектора:
12A
Макс. рассеиваемая мощность:
88W
IRG4BC20KDPBF IRG4BC20KDPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 16 А, 60 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
16 А
Импульсный ток коллектора макс.:
32 А
Макс. рассеиваемая мощность:
60 Вт
Переключаемая энергия:
340 мкДж
На странице:

IGBT транзисторы (расшифровывается как Insulated Gate Bipolar Transistor, или «биполярный транзистор с изолированным затвором», БТИЗ транзистор) сочетают в себе два транзистора в одной полупроводниковой структуре. Эту структуру можно представить как MOSFET, управляющий биполярным транзистором. Такая конструкция позволяет транзистору выдерживать повышенные мощности.

В интернет-магазине «Промэлектроника» мы предлагаем к покупке IGBT транзисторы по лучшим ценам. В нашем каталоге присутствуют IGBT производства таких известных фирм, как RENESAS, Infineon, ST Microelectronics, Toshiba. В наличии БТИЗ транзисторы с максимальной рассеиваемой мощностью до 750 Вт и максимальным напряжением до 2500 В.

Купить IGBT транзисторы лучше всего на сайте интернет-магазина «Промэлектроника». Кроме того, для оформления заказа Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные IGBT транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные IGBT транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные IGBT транзисторы - от 17.77 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные IGBT транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные IGBT транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"