Одиночные IGBT транзисторы

Фильтр
Фильтр
Корпус
Макс. напр. коллектор-эмиттер
Макс. ток коллектора
Импульсный ток коллектора макс.
Макс. рассеиваемая мощность
Переключаемая энергия
Одиночные IGBT транзисторы (25)
IRG4PC50FDPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 70 А, 200 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247AC Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 70 А Импульсный ток коллектора макс.: 280 А Макс. рассеиваемая мощность: 200 Вт Переключаемая энергия: 1.5 мДж
Наличие:
26 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 6 566,58
Акция IRG4PC50FPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 70 А, 200 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247AC Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 70 А Импульсный ток коллектора макс.: 280 А Макс. рассеиваемая мощность: 200 Вт Переключаемая энергия: 370 мкДж
Наличие:
10 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 1 714,09
IRG4PC50KDPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 52 А, 104 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247AC Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 52 А Импульсный ток коллектора макс.: 104 А Макс. рассеиваемая мощность: 200 Вт Переключаемая энергия: 1.61 мДж
Наличие:
1 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 775,91
IRG4PC50UPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 55 А, 200 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247AC Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 55 А Импульсный ток коллектора макс.: 220 А Макс. рассеиваемая мощность: 200 Вт Переключаемая энергия: 120 мкДж
Наличие:
60 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 1 987,39
IRG4PF50WPBF Биполярный транзистор IGBT, 900 В, 51 А, 200 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247AC Макс. напр. коллектор-эмиттер: 900 В Макс. ток коллектора: 51 А Импульсный ток коллектора макс.: 204 А Макс. рассеиваемая мощность: 200 Вт Переключаемая энергия: 190 мкДж
Наличие:
60 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 871,17
Акция IRG4PH50SPBF Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 33 А, 200 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247AC Макс. напр. коллектор-эмиттер: 1200 В Макс. ток коллектора: 57 А Импульсный ток коллектора макс.: 114 А Макс. рассеиваемая мощность: 200 Вт Переключаемая энергия: 1.8 мДж
Наличие:
15 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 463,78
STGW20NC60VD Биполярный транзистор IGBT, 200 Вт, 30 А, 600 В Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 60 А Импульсный ток коллектора макс.: 150 А Макс. рассеиваемая мощность: 200 Вт Переключаемая энергия: 220 мкДж
Наличие:
85 шт

Под заказ:
20 шт
Цена от:
от 310,72
STGW30NC60WD Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 30 А, 200 Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 60 А Импульсный ток коллектора макс.: 150 А Макс. рассеиваемая мощность: 200 Вт Переключаемая энергия: 305 мкДж
Наличие:
68 шт

Под заказ:
207 шт
Цена от:
от 292,93
AUIRG4PH50S Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 57 А, 200 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247AC Макс. напр. коллектор-эмиттер: 1200 В Макс. ток коллектора: 57 А Импульсный ток коллектора макс.: 114 А Макс. рассеиваемая мощность: 200 Вт Переключаемая энергия: 1.8 мДж
IRG4P254S Биполярный транзистор IGBT, 250 В, 98 А, 200 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 250 В Макс. ток коллектора: 98 А Импульсный ток коллектора макс.: 196 А Макс. рассеиваемая мощность: 200 Вт Переключаемая энергия: 380 мкДж
IRG4PC50KPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 52 А, 200 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 52 А Импульсный ток коллектора макс.: 104 А Макс. рассеиваемая мощность: 200 Вт Переключаемая энергия: 490 мкДж
IRG4PC50SPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 70 А, 200 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247AC Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 70 А Импульсный ток коллектора макс.: 140 А Макс. рассеиваемая мощность: 200 Вт Переключаемая энергия: 720 мкДж
Акция IRG4PC50UDPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 55 А, 200 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247AC Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 55 А Импульсный ток коллектора макс.: 220 А Макс. рассеиваемая мощность: 200 Вт Переключаемая энергия: 990 мкДж
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
90 шт
Цена от:
от 136,09
Акция IRG4PC50WPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 55 А, 200 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247AC Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 55 А Импульсный ток коллектора макс.: 220 А Макс. рассеиваемая мощность: 200 Вт Переключаемая энергия: 80 мкДж
IRG4PF50WDPBF Биполярный транзистор IGBT, 900 В, 51 А, 200 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247AC Макс. напр. коллектор-эмиттер: 900 В Макс. ток коллектора: 51 А Импульсный ток коллектора макс.: 204 А Макс. рассеиваемая мощность: 200 Вт Переключаемая энергия: 2.63 мДж
Акция IRG4PH50KDPBF Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 45 А, 200 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247AC Макс. напр. коллектор-эмиттер: 1200 В Макс. ток коллектора: 45 А Импульсный ток коллектора макс.: 90 А Макс. рассеиваемая мощность: 200 Вт Переключаемая энергия: 3.83 мДж
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
222 шт
Цена от:
от 296,12
IRG4PH50KPBF Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 45 А, 200 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 1200 В Макс. ток коллектора: 45 А Импульсный ток коллектора макс.: 90 А Макс. рассеиваемая мощность: 200 Вт Переключаемая энергия: 1.21 мДж
Акция IRG4PH50UDPBF Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 45 А, 200 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247AC Макс. напр. коллектор-эмиттер: 1200 В Макс. ток коллектора: 45 А Импульсный ток коллектора макс.: 180 А Макс. рассеиваемая мощность: 200 Вт Переключаемая энергия: 2.1 мДж
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
222 шт
Цена от:
от 296,12
IRG4PH50UPBF Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 45 А, 200 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247AC Макс. напр. коллектор-эмиттер: 1200 В Макс. ток коллектора: 45 А Импульсный ток коллектора макс.: 180 А Макс. рассеиваемая мощность: 200 Вт Переключаемая энергия: 530 мкДж
IRGP6640DPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 53 А, 200 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 53 А Импульсный ток коллектора макс.: 72 А Макс. рассеиваемая мощность: 200 Вт Переключаемая энергия: 300 мкДж
На странице:

IGBT транзисторы (расшифровывается как Insulated Gate Bipolar Transistor, или «биполярный транзистор с изолированным затвором», БТИЗ транзистор) сочетают в себе два транзистора в одной полупроводниковой структуре. Эту структуру можно представить как MOSFET, управляющий биполярным транзистором. Такая конструкция позволяет транзистору выдерживать повышенные мощности.

В интернет-магазине «Промэлектроника» мы предлагаем к покупке IGBT транзисторы по лучшим ценам. В нашем каталоге присутствуют IGBT производства таких известных фирм, как RENESAS, Infineon, ST Microelectronics, Toshiba. В наличии БТИЗ транзисторы с максимальной рассеиваемой мощностью до 750 Вт и максимальным напряжением до 2500 В.

Купить IGBT транзисторы лучше всего на сайте интернет-магазина «Промэлектроника». Кроме того, для оформления заказа Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные IGBT транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные IGBT транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные IGBT транзисторы - от 8.38 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России и Беларуси

Посмотреть Одиночные IGBT транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

Доставка в Беларусь — компанией DPD (до терминала или курьером до адреса).

При заказе Одиночные IGBT транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"