Одиночные IGBT транзисторы Infineon Technologies

Фильтр
Фильтр
Корпус
Макс. напр. коллектор-эмиттер
Макс. ток коллектора
Импульсный ток коллектора макс.
Макс. рассеиваемая мощность
Переключаемая энергия
Одиночные IGBT транзисторы (355)
SGB02N120ATMA1 Производитель: Infineon Technologies
SGB07N120ATMA1 Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 16.5 А, 125000 мВт Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2PAK/TO263 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 1200V Макс. ток коллектора: 16.5A Макс. рассеиваемая мощность: 125W
SGB10N60A Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 20 А, 92 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: PG-TO263-3
SGD02N120BUMA1 Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 6.2 А, 62000 мВт Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA
SGD02N120BUMA1 Производитель: Infineon Technologies
SGP02N120XKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 6.2 А, 62000 мВт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 1200V Макс. ток коллектора: 6.2A Макс. рассеиваемая мощность: 62W
SGP07N120XKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 16.5 А, 125 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 1200 В Макс. ток коллектора: 16.5 А Импульсный ток коллектора макс.: 27 А Макс. рассеиваемая мощность: 125 Вт Переключаемая энергия: 1 мДж
Акция SGP15N120XKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 30 А, 198 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Макс. напр. коллектор-эмиттер: 1200 В Макс. ток коллектора: 30 А Импульсный ток коллектора макс.: 52 А Макс. рассеиваемая мощность: 198 Вт Переключаемая энергия: 1.9 мДж
SGW15N120 Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 15 А, 198 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247AC
SGW30N60FK Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 41 А, 250 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: PG-TO-247-3 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 41 А Импульсный ток коллектора макс.: 112 А Макс. рассеиваемая мощность: 250 Вт Переключаемая энергия: 1.15 мДж
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
11 шт
Цена от:
от 392,55
Акция SGW50N60HS Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 100 А, 416 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: PG-TO-247-3 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 100 А Импульсный ток коллектора макс.: 150 А Макс. рассеиваемая мощность: 416 Вт Переключаемая энергия: 1.96 мДж
SIGC100T60R3EX1SA1 Производитель: Infineon Technologies
SKB02N120ATMA1 Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 6.2 А Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2PAK/TO263 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 1200V Макс. ток коллектора: 6.2A Макс. рассеиваемая мощность: 62W
SKW30N60 Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 41 А, 250 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247
Новинка SKW30N60HS Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 41 А, 250 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 41 А Импульсный ток коллектора макс.: 112 А Макс. рассеиваемая мощность: 250 Вт Переключаемая энергия: 1.15 мДж
На странице:

IGBT транзисторы (расшифровывается как Insulated Gate Bipolar Transistor, или «биполярный транзистор с изолированным затвором», БТИЗ транзистор) сочетают в себе два транзистора в одной полупроводниковой структуре. Эту структуру можно представить как MOSFET, управляющий биполярным транзистором. Такая конструкция позволяет транзистору выдерживать повышенные мощности.

В интернет-магазине «Промэлектроника» мы предлагаем к покупке IGBT транзисторы по лучшим ценам. В нашем каталоге присутствуют IGBT производства таких известных фирм, как RENESAS, Infineon, ST Microelectronics, Toshiba. В наличии БТИЗ транзисторы с максимальной рассеиваемой мощностью до 750 Вт и максимальным напряжением до 2500 В.

Купить IGBT транзисторы лучше всего на сайте интернет-магазина «Промэлектроника». Кроме того, для оформления заказа Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные IGBT транзисторы Infineon Technologies

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные IGBT транзисторы Infineon Technologies в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные IGBT транзисторы Infineon Technologies - от 8.38 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России и Беларуси

Посмотреть Одиночные IGBT транзисторы Infineon Technologies в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

Доставка в Беларусь — компанией DPD (до терминала или курьером до адреса).

При заказе Одиночные IGBT транзисторы Infineon Technologies в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"