Одиночные IGBT транзисторы Infineon Technologies

357
Производитель: Infineon Technologies
Фильтр
Корпус
Макс. напр. коллектор-эмиттер
Макс. ток коллектора
Импульсный ток коллектора макс.
Макс. рассеиваемая мощность
Переключаемая энергия
Одиночные IGBT транзисторы (357)
AUIRGP4063D AUIRGP4063D Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 96 А, 330 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247AC
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
100 А
Импульсный ток коллектора макс.:
144 А
Макс. рассеиваемая мощность:
330 Вт
Переключаемая энергия:
625 мкДж
-5% Акция
AUIRGP4063D-E AUIRGP4063D-E Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 96 А, 330 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247AC
AUIRGP50B60PD1 AUIRGP50B60PD1 Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 75 А, 390 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247AC
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
75 А
Импульсный ток коллектора макс.:
150 А
Макс. рассеиваемая мощность:
390 Вт
Переключаемая энергия:
255 мкДж
AUIRGP50B60PD1E AUIRGP50B60PD1E Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 75 А, 390 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247AD
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
75 А
Импульсный ток коллектора макс.:
150 А
Макс. рассеиваемая мощность:
390 Вт
Переключаемая энергия:
255 мкДж
AUIRGPS4070D0 AUIRGPS4070D0 Транзистор биполярный с изолированным затвором IGBT 700В TO-247
Производитель:
Infineon Technologies
AUIRGS30B60K AUIRGS30B60K Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 78 А, 370 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2PAK/TO263
AUIRGS4062D1 AUIRGS4062D1 Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 59 А, 246 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2PAK/TO263
F3L200R07PE4BOSA1 F3L200R07PE4BOSA1 Биполярный транзистор IGBT, 650 В, 200 А, 680 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
650V
Макс. ток коллектора:
200A
Макс. рассеиваемая мощность:
680W
FF900R12IE4BOSA1 FF900R12IE4BOSA1 Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 900 А
Производитель:
Infineon Technologies
IDP45E60XKSA2
Производитель:
Infineon Technologies
IGB03N120H2ATMA1 Транзистор биполярный с изолированным затвором IGBT 1200В 9.6A 62.5Вт TO263-3
Производитель:
Infineon Technologies
IGB10N60TATMA1 IGB10N60TATMA1 Транзистор биполярный с изолированным затвором IGBT 600В 24A 110Вт 3-Pin(2+Tab) D2PAK лента на катушке
Производитель:
Infineon Technologies
IGB20N60H3ATMA1 IGB20N60H3ATMA1 Транзистор биполярный с изолированным затвором IGBT 600В 40A 170Вт 3-Pin(2+Tab) D2PAK лента на катушке
Производитель:
Infineon Technologies
IGB20N65S5ATMA1 IGB20N65S5ATMA1 IGBT, 650V, 40A, 175DEG C, 125W;
Производитель:
Infineon Technologies
IGB30N60H3ATMA1 IGB30N60H3ATMA1 Транзистор: IGBT, 600В, 30А, 187Вт, D2PAK
Производитель:
Infineon Technologies
IGB50N60TATMA1 IGB50N60TATMA1 Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 90 А, 333 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600V
Макс. ток коллектора:
90A
Макс. рассеиваемая мощность:
333W
IGB50N65H5ATMA1 IGB50N65H5ATMA1 IGBT, SINGLE, 650V, 80A, TO-263; DC Collector Current:80A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):1.65V; Power Dissipation Pd:270W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:650V; Transistor Case Style:TO-263; No. of Pins
Производитель:
Infineon Technologies
IGB50N65S5ATMA1 IGB50N65S5ATMA1 IGBT, SINGLE, 650V, 80A, TO-263; DC Collector Current:80A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):1.35V; Power Dissipation Pd:270W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:650V; Transistor Case Style:TO-263; No. of Pins
Производитель:
Infineon Technologies
IGD01N120H2BUMA1 IGD01N120H2BUMA1 Транзистор биполярный с изолированным затвором IGBT 1200В 3.2A 28Вт TO252-3
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
PG-TO252-3
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200V
Макс. ток коллектора:
3.2A
Импульсный ток коллектора макс.:
3.5A
Макс. рассеиваемая мощность:
28W
Переключаемая энергия:
140 µJ
IGP06N60TXKSA1 IGP06N60TXKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 12 А, 88 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600V
Макс. ток коллектора:
12A
Макс. рассеиваемая мощность:
88W
На странице:

IGBT транзисторы (расшифровывается как Insulated Gate Bipolar Transistor, или «биполярный транзистор с изолированным затвором», БТИЗ транзистор) сочетают в себе два транзистора в одной полупроводниковой структуре. Эту структуру можно представить как MOSFET, управляющий биполярным транзистором. Такая конструкция позволяет транзистору выдерживать повышенные мощности.

В интернет-магазине «Промэлектроника» мы предлагаем к покупке IGBT транзисторы по лучшим ценам. В нашем каталоге присутствуют IGBT производства таких известных фирм, как RENESAS, Infineon, ST Microelectronics, Toshiba. В наличии БТИЗ транзисторы с максимальной рассеиваемой мощностью до 750 Вт и максимальным напряжением до 2500 В.

Купить IGBT транзисторы лучше всего на сайте интернет-магазина «Промэлектроника». Кроме того, для оформления заказа Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные IGBT транзисторы Infineon Technologies

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные IGBT транзисторы Infineon Technologies в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные IGBT транзисторы Infineon Technologies - от 17.77 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные IGBT транзисторы Infineon Technologies в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные IGBT транзисторы Infineon Technologies в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"