IGBT (БТИЗ) транзисторы

1827

Новинки

Новинка
HGTG30N60A4D
HGTG30N60A4D
Наличие:
1 шт
Под заказ:
0 шт
Цена от: 266,17
Новинка
IKW30N65H5XKSA1
IKW30N65H5XKSA1
Наличие:
46 шт
Под заказ:
165 шт
Цена от: 202,29
Новинка
STGWA20H65DFB2
STGWA20H65DFB2
Наличие:
0 шт
Под заказ:
420 шт
Цена от: 261,52
Новинка
DG15X12T2
DG15X12T2
Наличие:
65 шт
Под заказ:
1 573 шт
Цена от: 103,56
Новинка
DG15X06T1
DG15X06T1
Наличие:
222 шт
Под заказ:
865 шт
Цена от: 43,92
Новинка
DG10X06T1
DG10X06T1
Наличие:
160 шт
Под заказ:
1 282 шт
Цена от: 82,72
Фильтр
Производители
Корпус
(1827)
IGB50N65S5ATMA1 IGB50N65S5ATMA1 IGBT, SINGLE, 650V, 80A, TO-263; DC Collector Current:80A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):1.35V; Power Dissipation Pd:270W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:650V; Transistor Case Style:TO-263; No. of Pins
Производитель:
Infineon Technologies
IGCM06F60GA IGCM06F60GA
Производитель:
Infineon Technologies
IGD01N120H2BUMA1 IGD01N120H2BUMA1 Транзистор биполярный с изолированным затвором IGBT 1200В 3.2A 28Вт TO252-3
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
PG-TO252-3
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200V
Макс. ток коллектора:
3.2A
Импульсный ток коллектора макс.:
3.5A
Макс. рассеиваемая мощность:
28W
Переключаемая энергия:
140 µJ
IGP06N60TXKSA1 IGP06N60TXKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 12 А, 88 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600V
Макс. ток коллектора:
12A
Макс. рассеиваемая мощность:
88W
IGP10N60TXKSA1 IGP10N60TXKSA1 Транзистор биполярный с изолированным затвором IGBT 600В 20A 110Вт TO220-3
Производитель:
Infineon Technologies
IGP15N60TXKSA1 IGP15N60TXKSA1 Транзистор биполярный с изолированным затвором IGBT 600В 26A 130Вт 3-Pin(3+Tab) TO-220AB туба
Производитель:
Infineon Technologies
IGP20N60H3XKSA1 IGP20N60H3XKSA1 Транзистор биполярный с изолированным затвором IGBT 600В 40A 170Вт 3-Pin(3+Tab) TO-220AB туба
Производитель:
Infineon Technologies
IGP20N65F5XKSA1 Транзистор БТИЗ, биполярный, 650В, 42А, 125Вт, PG-TO220-3
Производитель:
Infineon Technologies
IGP30N60H3XKSA1 IGP30N60H3XKSA1 Транзистор биполярный с изолированным затвором IGBT 600В 60A 187Вт 3-Pin(3+Tab) TO-220AB туба
Производитель:
Infineon Technologies
IGP30N65F5XKSA1 Транзистор биполярный с изолированным затвором IGBT 650В 55A 188Вт 3-Pin(3+Tab) TO-220 туба
Производитель:
Infineon Technologies
IGP40N65F5XKSA1 IGP40N65F5XKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 650 В, 74 А, 255 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
650 В
Макс. ток коллектора:
74 А
Импульсный ток коллектора макс.:
120 А
Макс. рассеиваемая мощность:
255W
IGW03N120H2FKSA1
Производитель:
Infineon Technologies
IGW08T120FKSA1 IGW08T120FKSA1 Транзистор биполярный с изолированным затвором IGBT 1200В 16A 70Вт 3-Pin(3+Tab) TO-247 туба
Производитель:
Infineon Technologies
IGW100N60H3FKSA1 IGW100N60H3FKSA1 Транзистор биполярный с изолированным затвором IGBT 600В 140A TO247-3
Производитель:
Infineon Technologies
IGW15N120H3FKSA1 IGW15N120H3FKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 30 А, 217 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200V
Макс. ток коллектора:
30A
Макс. рассеиваемая мощность:
217W
IGW15T120FKSA1
Производитель:
Infineon Technologies
IGW25T120FKSA1 IGW25T120FKSA1 Транзистор IGBT Chip N-CH 1200В 25А 190Вт [PG-TO-247-3]
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247
IGW30N60TFKSA1 IGW30N60TFKSA1 Транзистор: IGBT, 600В, 30А, 187Вт, TO247-3
Производитель:
Infineon Technologies
IGW30N60TPXKSA1 IGW30N60TPXKSA1 Транзистор IGBT, 600В, 38А, 100Вт, TO247-3
Производитель:
Infineon Technologies
IGW30N65L5XKSA1 IGW30N65L5XKSA1 Транзистор биполярный с изолированным затвором IGBT 650В 85A 227Вт 3-Pin(3+Tab) TO-247 туба
Производитель:
Infineon Technologies
На странице:

Биполярный транзистор с изолированным затвором, по сути, представляет собой каскадное включение двух транзисторов полевого на входе и биполярного на выходе, применяется, в основном, как мощный ключ в импульсных источниках питания, инверторах и системах управления электрическим приводом.

БТИЗ транзисторы

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (сокращенно — БТИЗ, на английском языке — IGBT) — силовой трехэлектродный полупроводниковый прибор, сочетающий в себе два транзистора на основе одной полупроводниковой структуры. Как правило, он используется в качестве мощного электронного ключа в импульсных источниках питания, а также инверторах. Широкое применение они также нашли в системах управления электрическими приводами, импульсных регуляторах тока, частотно-регулируемых приводах.

Характеристики

Любой электронный прибор, в том числе биполярные транзисторы с изолированным затвором выбирается на основе технических характеристик, которыми он обладает для того, чтобы реализовать возложенные на него задачи. В частности, для БТИЗ транзисторов важными характеристиками являются мощность, рабочее напряжение, рабочая температура, ток, частота. Соответственно, конкретную модель следует выбирать на основании информации из справочника. Кроме этого, можно воспользоваться каталогом на сайте группы компаний «Промэлектроника», где в широком ассортименте представлены биполярные транзисторы с изолированным затвором. Здесь вы можете недорого купить IGBT транзисторы.

Преимущества компании

Группа компаний «Промэлектроника» обладает следующими преимуществами:

  • большой выбор БТИЗ транзисторов, а также другой техники и элементов для производства электронного оборудования;
  • доставка по территории Российской Федерации;
  • продажа товаров оптом и в розницу;
  • помощь в подборе оборудования;
  • гарантия производителя на все представленные товары;
  • различные формы оплаты;
  • приемлемые цены.

Сделайте заказ по телефону, указанному на сайте. В случае возникновения затруднений менеджеры помогут вам.

Цена на IGBT (БТИЗ) транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить IGBT (БТИЗ) транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на IGBT (БТИЗ) транзисторы - от 17.77 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть IGBT (БТИЗ) транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку во все регионы России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе IGBT (БТИЗ) транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"