IGBT (БТИЗ) транзисторы

1827

Новинки

Новинка
HGTG30N60A4D
HGTG30N60A4D
Наличие:
1 шт
Под заказ:
0 шт
Цена от: 266,17
Новинка
IKW30N65H5XKSA1
IKW30N65H5XKSA1
Наличие:
46 шт
Под заказ:
165 шт
Цена от: 202,29
Новинка
STGWA20H65DFB2
STGWA20H65DFB2
Наличие:
0 шт
Под заказ:
420 шт
Цена от: 261,52
Новинка
DG15X12T2
DG15X12T2
Наличие:
65 шт
Под заказ:
1 573 шт
Цена от: 103,56
Новинка
DG15X06T1
DG15X06T1
Наличие:
222 шт
Под заказ:
865 шт
Цена от: 43,92
Новинка
DG10X06T1
DG10X06T1
Наличие:
160 шт
Под заказ:
1 282 шт
Цена от: 82,72
Фильтр
Производители
Корпус
(1827)
HGTG12N60C3D HGTG12N60C3D Транзистор биполярный с изолированным затвором IGBT 600В 24A 104Вт 3-Pin(3+Tab) TO-247 туба
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600V
Макс. ток коллектора:
24A
Импульсный ток коллектора макс.:
96A
Макс. рассеиваемая мощность:
104W
Переключаемая энергия:
380 µJ (on), 900 µJ (off)
HGTG18N120BND HGTG18N120BND Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 54 А, 390 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-247
HGTG20N60A4 HGTG20N60A4 Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 70 А, 290 Вт, 200 кГц
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
70 А
Импульсный ток коллектора макс.:
280 А
Макс. рассеиваемая мощность:
290 Вт
Переключаемая энергия:
105 мкДж
HGTG30N60A4 HGTG30N60A4 Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 60 А, 463 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
75 А
Импульсный ток коллектора макс.:
240 А
Макс. рассеиваемая мощность:
463 Вт
Переключаемая энергия:
280 мкДж
HGTG30N60B3D HGTG30N60B3D Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 60 А, 208Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
60 А
Импульсный ток коллектора макс.:
220 А
Макс. рассеиваемая мощность:
208 Вт
Переключаемая энергия:
550 мкДж
HGTG30N60C3D HGTG30N60C3D Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 63 А, 208 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-247
HGTG40N60A4 HGTG40N60A4 Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 75 А, 625Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-247
Акция
HGTP12N60A4D HGTP12N60A4D Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 54 А, 167 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
HGTP12N60C3D HGTP12N60C3D Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 24 А, 104 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220AB
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
24 А
Импульсный ток коллектора макс.:
96 А
Макс. рассеиваемая мощность:
104 Вт
Переключаемая энергия:
380 мкДж
Акция
HGTP14N36GVL HGTP14N36GVL Биполярный транзистор IGBT, 390 В, 14 А, 100 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
HGTP20N60A4 HGTP20N60A4 Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 70 А, 290 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220AB
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600V
Макс. ток коллектора:
70A
Импульсный ток коллектора макс.:
280A
Макс. рассеиваемая мощность:
290W
Переключаемая энергия:
105 µJ (on), 150 µJ (off)
HGTP3N60A4 HGTP3N60A4 IGBT 600V 17A 70W TO220AB
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
HST-GL200B120F45 IGBT модуль 1200B 200А
Производитель:
HOMRAY SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY LIMITED
IDP45E60XKSA2
Производитель:
Infineon Technologies
IGB03N120H2ATMA1 Транзистор биполярный с изолированным затвором IGBT 1200В 9.6A 62.5Вт TO263-3
Производитель:
Infineon Technologies
IGB20N60H3ATMA1 IGB20N60H3ATMA1 Транзистор биполярный с изолированным затвором IGBT 600В 40A 170Вт 3-Pin(2+Tab) D2PAK лента на катушке
Производитель:
Infineon Technologies
IGB20N65S5ATMA1 IGB20N65S5ATMA1 IGBT, 650V, 40A, 175DEG C, 125W;
Производитель:
Infineon Technologies
IGB30N60H3ATMA1 IGB30N60H3ATMA1 Транзистор: IGBT, 600В, 30А, 187Вт, D2PAK
Производитель:
Infineon Technologies
IGB50N60TATMA1 IGB50N60TATMA1 Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 90 А, 333 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600V
Макс. ток коллектора:
90A
Макс. рассеиваемая мощность:
333W
IGB50N65H5ATMA1 IGB50N65H5ATMA1 IGBT, SINGLE, 650V, 80A, TO-263; DC Collector Current:80A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):1.65V; Power Dissipation Pd:270W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:650V; Transistor Case Style:TO-263; No. of Pins
Производитель:
Infineon Technologies
На странице:

Биполярный транзистор с изолированным затвором, по сути, представляет собой каскадное включение двух транзисторов полевого на входе и биполярного на выходе, применяется, в основном, как мощный ключ в импульсных источниках питания, инверторах и системах управления электрическим приводом.

БТИЗ транзисторы

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (сокращенно — БТИЗ, на английском языке — IGBT) — силовой трехэлектродный полупроводниковый прибор, сочетающий в себе два транзистора на основе одной полупроводниковой структуры. Как правило, он используется в качестве мощного электронного ключа в импульсных источниках питания, а также инверторах. Широкое применение они также нашли в системах управления электрическими приводами, импульсных регуляторах тока, частотно-регулируемых приводах.

Характеристики

Любой электронный прибор, в том числе биполярные транзисторы с изолированным затвором выбирается на основе технических характеристик, которыми он обладает для того, чтобы реализовать возложенные на него задачи. В частности, для БТИЗ транзисторов важными характеристиками являются мощность, рабочее напряжение, рабочая температура, ток, частота. Соответственно, конкретную модель следует выбирать на основании информации из справочника. Кроме этого, можно воспользоваться каталогом на сайте группы компаний «Промэлектроника», где в широком ассортименте представлены биполярные транзисторы с изолированным затвором. Здесь вы можете недорого купить IGBT транзисторы.

Преимущества компании

Группа компаний «Промэлектроника» обладает следующими преимуществами:

  • большой выбор БТИЗ транзисторов, а также другой техники и элементов для производства электронного оборудования;
  • доставка по территории Российской Федерации;
  • продажа товаров оптом и в розницу;
  • помощь в подборе оборудования;
  • гарантия производителя на все представленные товары;
  • различные формы оплаты;
  • приемлемые цены.

Сделайте заказ по телефону, указанному на сайте. В случае возникновения затруднений менеджеры помогут вам.

Цена на IGBT (БТИЗ) транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить IGBT (БТИЗ) транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на IGBT (БТИЗ) транзисторы - от 17.77 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть IGBT (БТИЗ) транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку во все регионы России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе IGBT (БТИЗ) транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"